Capacitância de Óxido de Porta Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Cox = Cg/(Wg*Lg)
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância da camada de óxido de porta - (Medido em Farad por metro quadrado) - A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Capacitância do portão - (Medido em Farad) - Capacitância de porta é a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Largura do portão - (Medido em Metro) - Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.
Comprimento do portão - (Medido em Metro) - Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância do portão: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
Largura do portão: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do portão: 7.01 Milímetro --> 0.00701 Metro (Verifique a conversão aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cox = Cg/(Wg*Lg) --> 5.961E-05/(0.000285*0.00701)
Avaliando ... ...
Cox = 29.8370748554696
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
29.8370748554696 Farad por metro quadrado -->29.8370748554696 Microfarad por Milímetro Quadrado (Verifique a conversão aqui)
RESPOSTA FINAL
29.8370748554696 29.83707 Microfarad por Milímetro Quadrado <-- Capacitância da camada de óxido de porta
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
Vai Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))
Coeficiente de Efeito Corporal
Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))
Tensão integrada de junção VLSI
Vai Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
Vai Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))
Capacitância Parasítica da Fonte Total
Vai Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)
Corrente de saturação de canal curto VLSI
Vai Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação
Corrente de junção
Vai Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)
Potencial de Superfície
Vai Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)
Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão
Vai Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)
Capacitância de Óxido de Porta
Vai Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Capacitância da porta
Vai Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Tensão de limiar
Vai Tensão de limiar = Tensão do portão para o canal-(Taxa de canal/Capacitância do portão)
Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal
Vai Tensão Limite DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar para Potencial de Fonte+Tensão de limiar
Coeficiente DIBL
Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte
Carga do canal
Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)
Sublimiar Inclinação
Vai Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
Vai Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala
Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI
Vai Espessura do óxido de porta após escala completa = Espessura do Óxido de Porta/Fator de escala
Capacitância de porta intrínseca
Vai Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição
Tensão Crítica
Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Profundidade da junção após Full Scaling VLSI
Vai Profundidade da junção após escala completa = Profundidade da Junção/Fator de escala
Comprimento do canal após Full Scaling VLSI
Vai Comprimento do canal após escala completa = Comprimento do canal/Fator de escala
Mobilidade em Mosfet
Vai Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta
Largura do canal após Full Scaling VLSI
Vai Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala
K-Prime
Vai K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta

Capacitância de Óxido de Porta Fórmula

Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Cox = Cg/(Wg*Lg)

Quais são as regiões de operação nos transistores MOS?

Os transistores MOS têm três regiões de operação. Eles são região de corte ou sublimiar, região linear e região de saturação.

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