Концентрация в зоне проводимости Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Концентрация электронов в зоне проводимости = Эффективная плотность состояний в зоне проводимости*Функция Ферми
n0 = Nc*fE
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Концентрация электронов в зоне проводимости - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация электронов в зоне проводимости относится к количеству свободных электронов, доступных для проводимости в зоне проводимости полупроводникового материала.
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Эффективная плотность состояний в зоне проводимости определяется как количество эквивалентных минимумов энергии в зоне проводимости.
Функция Ферми - Функция Ферми определяется как термин, используемый для описания верхней части набора электронных энергетических уровней при температуре абсолютного нуля.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости: 640000000 1 на кубический метр --> 640000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Функция Ферми: 0.022 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
n0 = Nc*fE --> 640000000*0.022
Оценка ... ...
n0 = 14080000
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
14080000 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
14080000 1.4E+7 1 на кубический метр <-- Концентрация электронов в зоне проводимости
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

20 Группа энергии Калькуляторы

Концентрация внутреннего носителя
​ Идти Концентрация внутреннего носителя = sqrt(Эффективная плотность состояний в валентной зоне*Эффективная плотность состояний в зоне проводимости)*exp(-Энергетический разрыв/(2*[BoltZ]*Температура))
Срок службы оператора связи
​ Идти Срок службы перевозчика = 1/(Пропорциональность для рекомбинации*(Концентрация отверстий в полосе обшивки+Концентрация электронов в зоне проводимости))
Энергия электрона с учетом постоянной Кулона
​ Идти Энергия электрона = (Квантовое число^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Потенциальная длина скважины^2)
Стационарная концентрация электронов
​ Идти Устойчивая концентрация носителя = Концентрация электронов в зоне проводимости+Избыточная концентрация носителя
Концентрация в зоне проводимости
​ Идти Концентрация электронов в зоне проводимости = Эффективная плотность состояний в зоне проводимости*Функция Ферми
Эффективная плотность состояния
​ Идти Эффективная плотность состояний в зоне проводимости = Концентрация электронов в зоне проводимости/Функция Ферми
Функция Ферми
​ Идти Функция Ферми = Концентрация электронов в зоне проводимости/Эффективная плотность состояний в зоне проводимости
Эффективное состояние плотности в валентной зоне
​ Идти Эффективная плотность состояний в валентной зоне = Концентрация отверстий в полосе обшивки/(1-Функция Ферми)
Концентрация дырок в валентной зоне
​ Идти Концентрация отверстий в полосе обшивки = Эффективная плотность состояний в валентной зоне*(1-Функция Ферми)
Время жизни рекомбинации
​ Идти Время жизни рекомбинации = (Пропорциональность для рекомбинации*Концентрация отверстий в полосе обшивки)^-1
Коэффициент распределения
​ Идти Коэффициент распределения = Концентрация примесей в твердом теле/Концентрация примесей в жидкости
Жидкая концентрация
​ Идти Концентрация примесей в жидкости = Концентрация примесей в твердом теле/Коэффициент распределения
Чистая скорость изменения зоны проводимости
​ Идти Пропорциональность для рекомбинации = Тепловая генерация/(Концентрация внутреннего носителя^2)
Скорость тепловой генерации
​ Идти Тепловая генерация = Пропорциональность для рекомбинации*(Концентрация внутреннего носителя^2)
Избыточная концентрация носителя
​ Идти Избыточная концентрация носителя = Скорость оптической генерации*Время жизни рекомбинации
Скорость оптической генерации
​ Идти Скорость оптической генерации = Избыточная концентрация носителя/Время жизни рекомбинации
Энергия зоны проводимости
​ Идти Энергия зоны проводимости = Энергетический разрыв+Энергия валентной полосы
Энергия валентной полосы
​ Идти Энергия валентной полосы = Энергия зоны проводимости-Энергетический разрыв
Энергетический разрыв
​ Идти Энергетический разрыв = Энергия зоны проводимости-Энергия валентной полосы
Фотоэлектронная энергия
​ Идти Фотоэлектронная энергия = [hP]*Частота падающего света

Концентрация в зоне проводимости формула

Концентрация электронов в зоне проводимости = Эффективная плотность состояний в зоне проводимости*Функция Ферми
n0 = Nc*fE

Равна ли концентрация электронов концентрации дырок в этом собственном кремнии?

В собственном полупроводнике количество электронов, генерируемых в зоне проводимости, равно количеству дырок, генерируемых в валентной зоне. Следовательно, концентрация электронных носителей равна концентрации дырочных носителей.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!