Koncentracja w paśmie przewodnictwa Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

⤿

Nośniki półprzewodnikowe

Złącze SSD

✖Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa definiowana jest jako liczba równoważnych minimów energii w paśmie przewodnictwa.ⓘ Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa [N_c]			+10% -10%
✖Funkcja Fermiego jest zdefiniowana jako termin używany do opisania szczytu zbioru poziomów energii elektronów w temperaturze zera absolutnego.ⓘ Funkcja Fermiego [f_E]			+10% -10%

✖Stężenie elektronów w paśmie przewodnictwa odnosi się do ilości lub obfitości wolnych elektronów dostępnych do przewodzenia w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego.ⓘ Koncentracja w paśmie przewodnictwa [n₀]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Koncentracja w paśmie przewodnictwa

Formuła

`"n"_{"0"} = "N"_{"c"}*"f"_{"E"}`

Przykład

`"1.4E^7/m³"="6.4e8/m³"*"0.022"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Zespół energetyczny Formuły PDF PDF Image

Koncentracja w paśmie przewodnictwa Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego
n₀ = N_c*f_E
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie elektronów w paśmie przewodnictwa odnosi się do ilości lub obfitości wolnych elektronów dostępnych do przewodzenia w paśmie przewodnictwa materiału półprzewodnikowego.
Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa definiowana jest jako liczba równoważnych minimów energii w paśmie przewodnictwa.
Funkcja Fermiego - Funkcja Fermiego jest zdefiniowana jako termin używany do opisania szczytu zbioru poziomów energii elektronów w temperaturze zera absolutnego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa: 640000000 1 na metr sześcienny --> 640000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Funkcja Fermiego: 0.022 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

n₀ = N_c*f_E --> 640000000*0.022

Ocenianie ... ...

n₀ = 14080000

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

14080000 1 na metr sześcienny --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

14080000 ≈ 1.4E+7 1 na metr sześcienny <-- Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Zespół energetyczny » Koncentracja w paśmie przewodnictwa

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 20 Zespół energetyczny Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Energia elektronu przy danej stałej Coulomba

Iść Energia elektronu = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potencjalna długość studni^2)

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym

Iść Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika

Koncentracja w paśmie przewodnictwa

Iść Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego

Efektywna gęstość stanu

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Funkcja Fermiego

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Koncentracja dziur w paśmie walencyjnym

Iść Koncentracja dziur w paśmie Valance'a = Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*(1-Funkcja Fermiego)

Żywotność rekombinacji

Iść Żywotność rekombinacji = (Proporcjonalność dla rekombinacji*Koncentracja dziur w paśmie Valance'a)^-1

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Stężenie w płynie

Iść Stężenie zanieczyszczeń w cieczy = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Współczynnik dystrybucji

Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa

Iść Proporcjonalność dla rekombinacji = Wytwarzanie ciepła/(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość wytwarzania ciepła

Iść Wytwarzanie ciepła = Proporcjonalność dla rekombinacji*(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość generacji optycznej

Iść Szybkość generacji optycznej = Nadmierne stężenie nośnika/Żywotność rekombinacji

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia pasma walencyjnego

Iść Energia pasma walencyjnego = Energia pasma przewodnictwa-Przerwa energetyczna

Przerwa energetyczna

Iść Przerwa energetyczna = Energia pasma przewodnictwa-Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Koncentracja w paśmie przewodnictwa Formułę

Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego
n₀ = N_c*f_E

Czy stężenie elektronów jest równe stężeniu dziur w tym samoistnym krzemie?

W półprzewodniku samoistnym liczba elektronów generowanych w paśmie przewodnictwa jest równa liczbie dziur generowanych w paśmie walencyjnym. Stąd stężenie nośnika elektronów jest równe stężeniu nośnika dziur.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!