Konzentration im Leitungsband Taschenrechner

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✖Die effektive Zustandsdichte im Leitungsband ist definiert als die Anzahl äquivalenter Energieminima im Leitungsband.ⓘ Effektive Zustandsdichte im Leitungsband [N_c]			+10% -10%
✖Die Fermi-Funktion ist als ein Begriff definiert, der verwendet wird, um die Spitze der Sammlung von Elektronenenergieniveaus bei absoluter Nulltemperatur zu beschreiben.ⓘ Fermi-Funktion [f_E]			+10% -10%

✖Die Elektronenkonzentration im Leitungsband bezieht sich auf die Menge oder Häufigkeit freier Elektronen, die für die Leitung im Leitungsband eines Halbleitermaterials zur Verfügung stehen.ⓘ Konzentration im Leitungsband [n₀]

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Formel

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Konzentration im Leitungsband

Formel

`"n"_{"0"} = "N"_{"c"}*"f"_{"E"}`

Beispiel

`"1.4E^7/m³"="6.4e8/m³"*"0.022"`

Taschenrechner

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Konzentration im Leitungsband Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion
n₀ = N_c*f_E
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Elektronenkonzentration im Leitungsband - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Elektronenkonzentration im Leitungsband bezieht sich auf die Menge oder Häufigkeit freier Elektronen, die für die Leitung im Leitungsband eines Halbleitermaterials zur Verfügung stehen.
Effektive Zustandsdichte im Leitungsband - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die effektive Zustandsdichte im Leitungsband ist definiert als die Anzahl äquivalenter Energieminima im Leitungsband.
Fermi-Funktion - Die Fermi-Funktion ist als ein Begriff definiert, der verwendet wird, um die Spitze der Sammlung von Elektronenenergieniveaus bei absoluter Nulltemperatur zu beschreiben.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Effektive Zustandsdichte im Leitungsband: 640000000 1 pro Kubikmeter --> 640000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Fermi-Funktion: 0.022 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

n₀ = N_c*f_E --> 640000000*0.022

Auswerten ... ...

n₀ = 14080000

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

14080000 1 pro Kubikmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

14080000 ≈ 1.4E+7 1 pro Kubikmeter <-- Elektronenkonzentration im Leitungsband

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 20 Energieband Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

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Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

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Konzentration im Leitungsband

Gehen Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion

Effektive Staatsdichte

Gehen Effektive Zustandsdichte im Leitungsband = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Fermi-Funktion

Wärmeerzeugungsrate

Gehen Thermische Erzeugung = Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Konzentration von Löchern im Valenzband

Gehen Lochkonzentration im Volantband = Effektive Zustandsdichte im Valenzband*(1-Fermi-Funktion)

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Optische Erzeugungsrate

Gehen Optische Erzeugungsrate = Überschüssige Trägerkonzentration/Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Valenzbandenergie

Gehen Valenzbandenergie = Leitungsbandenergie-Energielücke

Energielücke

Gehen Energielücke = Leitungsbandenergie-Valenzbandenergie

Konzentration im Leitungsband Formel

Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion
n₀ = N_c*f_E

Ist die Elektronenkonzentration gleich der Löcherkonzentration in diesem intrinsischen Silizium?

In einem intrinsischen Halbleiter ist die Anzahl der im Leitungsband erzeugten Elektronen gleich der Anzahl der im Valenzband erzeugten Löcher. Daher ist die Elektronenträgerkonzentration gleich der Lochträgerkonzentration.

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