Текущий вход в сток-источник в области насыщения NMOS Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

Улучшение N-канала Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Параметр крутизны процесса в NMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса в NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖Ширина канала относится к количеству полосы пропускания, доступной для передачи данных в канале связи.ⓘ Ширина канала [W_c]			+10% -10%
✖Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.ⓘ Длина канала [L]			+10% -10%
✖Напряжение затвор-исток — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.ⓘ Напряжение источника затвора [V_gs]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение [V_T]			+10% -10%

✖Ток стока в NMOS - это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET).ⓘ Текущий вход в сток-источник в области насыщения NMOS [I_d]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Текущий вход в сток-источник в области насыщения NMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток стока в NMOS = 1/2*Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2
В этой формуле используются 6 Переменные

Используемые переменные

Ток стока в NMOS - (Измеряется в Ампер) - Ток стока в NMOS - это электрический ток, протекающий от стока к истоку полевого транзистора (FET) или полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET).
Параметр крутизны процесса в NMOS - (Измеряется в Сименс) - Параметр крутизны процесса в NMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала относится к количеству полосы пропускания, доступной для передачи данных в канале связи.
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.
Напряжение источника затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Параметр крутизны процесса в NMOS: 2 Миллисименс --> 0.002 Сименс (Проверьте преобразование здесь)
Ширина канала: 10 микрометр --> 1E-05 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина канала: 3 микрометр --> 3E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение источника затвора: 10.3 вольт --> 10.3 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 1.82 вольт --> 1.82 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2

Оценка ... ...

I_d = 0.239701333333333

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.239701333333333 Ампер -->239.701333333333 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

239.701333333333 ≈ 239.7013 Миллиампер <-- Ток стока в NMOS

(Расчет завершен через 00.012 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение N-канала » Текущий вход в сток-источник в области насыщения NMOS

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Улучшение N-канала Калькуляторы

Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS

LaTeX Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*(Напряжение источника стока)^2)

Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора

LaTeX Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*Напряжение источника стока^2)

NMOS как линейное сопротивление

LaTeX Идти Линейное сопротивление = Длина канала/(Подвижность электронов на поверхности канала*Оксид Емкость*Ширина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение))

Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS

LaTeX Идти Скорость дрейфа электронов = Подвижность электронов на поверхности канала*Электрическое поле по длине канала

Узнать больше >>

Текущий вход в сток-источник в области насыщения NMOS формула

LaTeX Идти

Что такое область насыщения?

Вторая область называется «насыщенность». Именно здесь базовый ток увеличился намного выше точки, в которой переход эмиттер-база смещен в прямом направлении. Фактически, базовый ток увеличился до точки, в которой он может вызвать увеличение тока коллектора.

При каких условиях NMOS находится в состоянии насыщения?

МОП-транзистор находится в состоянии насыщения, когда V (GS)> V (TH) и V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Если я медленно увеличиваю напряжение затвора, начиная с 0, MOSFET остается выключенным. Светодиод начинает проводить небольшой ток, когда напряжение на затворе составляет около 2,5 В или около того.

English Spanish French German Italian Portuguese Polish Dutch

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!