Калькулятор от А до Я

NMOS как линейное сопротивление Калькулятор

Инженерное делоДетская площадкаЗдоровьематематика​Больше >>
ЭлектроникаГражданскаяМатериаловедениеМеханический​Больше >>
Аналоговая электроникаEDCАналоговая связьАнтенна и распространение волн​Больше >>
МОП-транзисторБЮТ
Улучшение N-каналаАнализ малых сигналовВнутренние емкостные эффекты и высокочастотная модельКоэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)​Больше >>
✖Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.ⓘ Длина канала [L]
+10%
-10%
✖Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или проводить ток в поверхностном слое материала под действием электрического поля.ⓘ Подвижность электронов на поверхности канала [μn]
+10%
-10%
✖Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксид Емкость [Cox]
+10%
-10%
✖Ширина канала относится к количеству полосы пропускания, доступной для передачи данных в канале связи.ⓘ Ширина канала [Wc]
+10%
-10%
✖Напряжение затвор-исток — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.ⓘ Напряжение источника затвора [Vgs]
+10%
-10%
✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение [VT]
+10%
-10%
✖Линейное сопротивление действует как переменный резистор в линейной области и как источник тока в области насыщения.ⓘ NMOS как линейное сопротивление [rDS]
⎘ копия
👎
Формула
сбросить
👍

NMOS как линейное сопротивление Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Линейное сопротивление = Длина канала/(Подвижность электронов на поверхности канала*Оксид Емкость*Ширина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))
В этой формуле используются 7 Переменные
Используемые переменные
Линейное сопротивление - (Измеряется в ом) - Линейное сопротивление действует как переменный резистор в линейной области и как источник тока в области насыщения.
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала может быть определена как расстояние между его начальной и конечной точками и может сильно варьироваться в зависимости от его назначения и местоположения.
Подвижность электронов на поверхности канала - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или проводить ток в поверхностном слое материала под действием электрического поля.
Оксид Емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.
Ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала относится к количеству полосы пропускания, доступной для передачи данных в канале связи.
Напряжение источника затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Длина канала: 3 микрометр --> 3E-06 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Подвижность электронов на поверхности канала: 2.2 Квадратный метр на вольт в секунду --> 2.2 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксид Емкость: 2.02 Микрофарад --> 2.02E-06 фарада (Проверьте преобразование ​здесь)
Ширина канала: 10 микрометр --> 1E-05 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Напряжение источника затвора: 10.3 вольт --> 10.3 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 1.82 вольт --> 1.82 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT)) --> 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82))
Оценка ... ...
rDS = 7960.70173055041
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
7960.70173055041 ом -->7.96070173055041 килоом (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
7.96070173055041 ≈ 7.960702 килоом <-- Линейное сопротивление
(Расчет завершен через 00.020 секунд)
Вы здесь -
Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение N-канала » NMOS как линейное сопротивление

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия LinkedIn Logo
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод LinkedIn Logo
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Улучшение N-канала Калькуляторы

Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS
​ LaTeX ​ Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*(Напряжение источника стока)^2)
Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора
​ LaTeX ​ Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*Напряжение источника стока^2)
NMOS как линейное сопротивление
​ LaTeX ​ Идти Линейное сопротивление = Длина канала/(Подвижность электронов на поверхности канала*Оксид Емкость*Ширина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение))
Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS
​ LaTeX ​ Идти Скорость дрейфа электронов = Подвижность электронов на поверхности канала*Электрическое поле по длине канала

NMOS как линейное сопротивление формула

​LaTeX ​Идти
Линейное сопротивление = Длина канала/(Подвижность электронов на поверхности канала*Оксид Емкость*Ширина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение))
rDS = L/(μn*Cox*Wc*(Vgs-VT))

Каковы условия использования полевого МОП-транзистора в качестве линейного резистора?

Когда вы медленно увеличиваете напряжение затвора, полевой МОП-транзистор начинает медленно проводить, входя в линейную область, где он начинает развивать напряжение на нем, которое мы называем V

© 2016-2025 calculatoratoz.com A softUsvista Inc. venture!



Home Icon
Дом PDF Icon
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍 Поиск
Category Icon
Категории
Share Icon
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!