Расстояние от эмиттера до коллектора Калькулятор

✖Максимальное приложенное напряжение в BJT на диоде — это самое высокое напряжение, которое можно приложить к диоду, не вызывая необратимого повреждения или пробоя.ⓘ Максимальное приложенное напряжение в BJT [V_mb]			+10% -10%
✖Максимальное электрическое поле в BJT — это максимальная сила на единицу приложенного заряда.ⓘ Максимальное электрическое поле в BJT [E_mb]			+10% -10%

✖Расстояние между эмиттером и коллектором — это общее расстояние между переходом эмиттера и коллектора.ⓘ Расстояние от эмиттера до коллектора [L_min]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Расстояние от эмиттера до коллектора

Формула

`"L"_{"min"} = "V"_{"mb"}/"E"_{"mb"}`

Пример

`"2.19978μm"="0.22mV"/"100.01V/m"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ-микроволновые устройства Формулы PDF PDF Image

Расстояние от эмиттера до коллектора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Расстояние от эмиттера до коллектора = Максимальное приложенное напряжение в BJT/Максимальное электрическое поле в BJT
L_min = V_mb/E_mb
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Расстояние от эмиттера до коллектора - (Измеряется в метр) - Расстояние между эмиттером и коллектором — это общее расстояние между переходом эмиттера и коллектора.
Максимальное приложенное напряжение в BJT - (Измеряется в вольт) - Максимальное приложенное напряжение в BJT на диоде — это самое высокое напряжение, которое можно приложить к диоду, не вызывая необратимого повреждения или пробоя.
Максимальное электрическое поле в BJT - (Измеряется в Вольт на метр) - Максимальное электрическое поле в BJT — это максимальная сила на единицу приложенного заряда.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Максимальное приложенное напряжение в BJT: 0.22 милливольт --> 0.00022 вольт (Проверьте преобразование здесь)
Максимальное электрическое поле в BJT: 100.01 Вольт на метр --> 100.01 Вольт на метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

L_min = V_mb/E_mb --> 0.00022/100.01

Оценка ... ...

L_min = 2.1997800219978E-06

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.1997800219978E-06 метр -->2.1997800219978 микрометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.1997800219978 ≈ 2.19978 микрометр <-- Расстояние от эмиттера до коллектора

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Теория СВЧ » Микроволновые полупроводниковые приборы » БЮТ-микроволновые устройства » Расстояние от эмиттера до коллектора

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 БЮТ-микроволновые устройства Калькуляторы

Максимальная частота колебаний

Идти Максимальная частота колебаний = sqrt(Частота усиления короткого замыкания с общим эмиттером/(8*pi*Базовое сопротивление*Базовая емкость коллектора))

Время задержки базового коллектора

Идти Время задержки коллектора базы = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)

Время зарядки базы излучателя

Идти Время зарядки эмиттера = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки)

Время зарядки коллектора

Идти Время зарядки коллектора = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)

Базовое время в пути

Идти Базовое время доставки = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Время зарядки эмиттера)

Время задержки между эмиттером и коллектором

Идти Время задержки эмиттера-коллектора = Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера

Базовая емкость коллектора

Идти Базовая емкость коллектора = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовое сопротивление)

Базовое сопротивление

Идти Базовое сопротивление = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовая емкость коллектора)

Фактор лавинного умножения

Идти Фактор лавинного умножения = 1/(1-(Приложенное напряжение/Лавинное напряжение пробоя)^Допинговый числовой коэффициент)

Скорость дрейфа насыщения

Идти Скорость насыщенного дрейфа в BJT = Расстояние от эмиттера до коллектора/Среднее время прохождения эмиттера к коллектору

Расстояние от эмиттера до коллектора

Идти Расстояние от эмиттера до коллектора = Максимальное приложенное напряжение в BJT/Максимальное электрическое поле в BJT

Общее время в пути

Идти Общее время в пути = Базовое время доставки+Область истощения коллектора

Общее время зарядки

Идти Общее время зарядки = Время зарядки эмиттера+Время зарядки коллектора

Частота среза микроволновой печи

Идти Частота среза в BJT = 1/(2*pi*Время задержки эмиттера-коллектора)

Дырочный ток эмиттера

Идти Дырочный ток эмиттера = Базовый ток+Коллекторный ток

Расстояние от эмиттера до коллектора формула

Расстояние от эмиттера до коллектора = Максимальное приложенное напряжение в BJT/Максимальное электрическое поле в BJT
L_min = V_mb/E_mb

Что такое напряжение промышленной частоты?

Отношение напряжения пробоя для любой изоляции или зазора из-за импульсного напряжения заданной t1 / t2 или формы к напряжению пробоя промышленной частоты определяется как отношение импульсов.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!