Emitter-Kollektor-Abstand Taschenrechner

✖Die maximale angelegte Spannung in BJT an einer Diode ist die höchste Spannung, die an die Diode angelegt werden kann, ohne dass es zu dauerhaften Schäden oder Ausfällen kommt.ⓘ Maximale angelegte Spannung in BJT [V_mb]			+10% -10%
✖Das maximale elektrische Feld im BJT ist die maximale Kraft pro ausgeübter Ladungseinheit.ⓘ Maximales elektrisches Feld in BJT [E_mb]			+10% -10%

✖Der Abstand zwischen Emitter und Kollektor ist der Gesamtabstand zwischen Emitter und Kollektor.ⓘ Emitter-Kollektor-Abstand [L_min]

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Formel

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Emitter-Kollektor-Abstand

Formel

`"L"_{"min"} = "V"_{"mb"}/"E"_{"mb"}`

Beispiel

`"2.19978μm"="0.22mV"/"100.01V/m"`

Taschenrechner

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Emitter-Kollektor-Abstand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Abstand zwischen Emitter und Kollektor = Maximale angelegte Spannung in BJT/Maximales elektrisches Feld in BJT
L_min = V_mb/E_mb
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Abstand zwischen Emitter und Kollektor - (Gemessen in Meter) - Der Abstand zwischen Emitter und Kollektor ist der Gesamtabstand zwischen Emitter und Kollektor.
Maximale angelegte Spannung in BJT - (Gemessen in Volt) - Die maximale angelegte Spannung in BJT an einer Diode ist die höchste Spannung, die an die Diode angelegt werden kann, ohne dass es zu dauerhaften Schäden oder Ausfällen kommt.
Maximales elektrisches Feld in BJT - (Gemessen in Volt pro Meter) - Das maximale elektrische Feld im BJT ist die maximale Kraft pro ausgeübter Ladungseinheit.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Maximale angelegte Spannung in BJT: 0.22 Millivolt --> 0.00022 Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Maximales elektrisches Feld in BJT: 100.01 Volt pro Meter --> 100.01 Volt pro Meter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

L_min = V_mb/E_mb --> 0.00022/100.01

Auswerten ... ...

L_min = 2.1997800219978E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.1997800219978E-06 Meter -->2.1997800219978 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.1997800219978 ≈ 2.19978 Mikrometer <-- Abstand zwischen Emitter und Kollektor

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 BJT-Mikrowellengeräte Taschenrechner

Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = sqrt(Gemeinsame Emitter-Kurzschlussverstärkungsfrequenz/(8*pi*Basiswiderstand*Kollektorbasiskapazität))

Base-Collector-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Basiskollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Ladezeit der Emitterbasis

Gehen Ladezeit des Emitters = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit)

Ladezeit des Kollektors

Gehen Ladezeit des Kollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Basis-Transitzeit

Gehen Basislaufzeit = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Ladezeit des Emitters)

Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors = Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters

Kollektor-Basiskapazität

Gehen Kollektorbasiskapazität = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Basiswiderstand)

Basiswiderstand

Gehen Basiswiderstand = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Kollektorbasiskapazität)

Sättigungsdriftgeschwindigkeit

Gehen Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT = Abstand zwischen Emitter und Kollektor/Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor

Lawinenmultiplikationsfaktor

Gehen Lawinenmultiplikationsfaktor = 1/(1-(Angelegte Spannung/Lawinendurchbruchspannung)^Numerischer Dopingfaktor)

Emitter-Kollektor-Abstand

Gehen Abstand zwischen Emitter und Kollektor = Maximale angelegte Spannung in BJT/Maximales elektrisches Feld in BJT

Grenzfrequenz der Mikrowelle

Gehen Grenzfrequenz in BJT = 1/(2*pi*Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors)

Gesamtladezeit

Gehen Gesamtladezeit = Ladezeit des Emitters+Ladezeit des Kollektors

Gesamtlaufzeit

Gehen Gesamtlaufzeit = Basislaufzeit+Collector-Depletion-Region

Lochstrom des Emitters

Gehen Lochstrom des Emitters = Basisstrom+Kollektorstrom

Emitter-Kollektor-Abstand Formel

Abstand zwischen Emitter und Kollektor = Maximale angelegte Spannung in BJT/Maximales elektrisches Feld in BJT
L_min = V_mb/E_mb

Was ist Netzfrequenzspannung?

Das Verhältnis der Durchbruchspannung für eine Isolierung oder einen Spalt aufgrund einer Impulsspannung von spezifiziertem t1 / t2 oder einer bestimmten Form zur Durchbruchspannung der Netzfrequenz wird als Impulsverhältnis definiert.

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