Константа равновесия координатных комплексов. Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Константа образования координатных комплексов = (Концентрация комплексного иона^Стехиометрический коэффициент комплексного иона)/((Концентрация металла в комплексе^Стехиометрический коэффициент металла)*(Концентрация оснований Льюиса^Стехиометрический коэффициент основания Льюиса))
kf = (Z^z)/((Mcomplex^m)*(L^lcomplex))
В этой формуле используются 7 Переменные
Используемые переменные
Константа образования координатных комплексов - Константой образования координатных комплексов является сродство ионов металлов к лигандам. Обозначается символом Kf. Она также известна как константа устойчивости.
Концентрация комплексного иона - (Измеряется в Моль на кубический метр) - Концентрация комплексного иона представляет собой концентрацию образовавшегося координационного комплекса.
Стехиометрический коэффициент комплексного иона - Стехиометрический коэффициент комплексного иона — это множитель или фактор, который измеряет конкретное свойство.
Концентрация металла в комплексе - (Измеряется в Моль на кубический метр) - Концентрация металла в комплексе – это концентрация того иона металла, который образует комплекс.
Стехиометрический коэффициент металла - Стехиометрический коэффициент металла представляет собой множитель или коэффициент, который измеряет конкретное свойство.
Концентрация оснований Льюиса - (Измеряется в Моль на кубический метр) - Концентрация оснований Льюиса — это концентрация лиганда, координирующего металл.
Стехиометрический коэффициент основания Льюиса - Стехиометрический коэффициент основания Льюиса — это множитель или фактор, который измеряет конкретное свойство.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Концентрация комплексного иона: 100 моль / литр --> 100000 Моль на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Стехиометрический коэффициент комплексного иона: 1.5 --> Конверсия не требуется
Концентрация металла в комплексе: 0.1 моль / литр --> 100 Моль на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Стехиометрический коэффициент металла: 2.5 --> Конверсия не требуется
Концентрация оснований Льюиса: 200 моль / литр --> 200000 Моль на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Стехиометрический коэффициент основания Льюиса: 0.05 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
kf = (Z^z)/((Mcomplex^m)*(L^lcomplex)) --> (100000^1.5)/((100^2.5)*(200000^0.05))
Оценка ... ...
kf = 171.770468513564
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
171.770468513564 --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
171.770468513564 171.7705 <-- Константа образования координатных комплексов
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Торша_Павел
Калькуттский университет (ТС), Калькутта
Торша_Павел создал этот калькулятор и еще 200+!
Verifier Image
Проверено Супаян банерджи
Национальный университет судебных наук (НУЖС), Калькутта
Супаян банерджи проверил этот калькулятор и еще 800+!

12 Энергия стабилизации Калькуляторы

Константа равновесия координатных комплексов.
​ Идти Константа образования координатных комплексов = (Концентрация комплексного иона^Стехиометрический коэффициент комплексного иона)/((Концентрация металла в комплексе^Стехиометрический коэффициент металла)*(Концентрация оснований Льюиса^Стехиометрический коэффициент основания Льюиса))
Энергия стабилизации октаэдрического узла
​ Идти Энергия стабилизации октаэдрического узла = Энергия расщепления кристаллического поля Октаэдр-Тетраэдр энергии расщепления кристаллического поля
Энергия перехода от T1g к T1gP
​ Идти Энергия перехода от T1g к T1gP = (3/5*Разница в энергии)+(15*Параметр Рака)+(2*Взаимодействие с конфигурацией)
Энергия перехода от A2g к T1gP
​ Идти Энергия перехода от A2g к T1gP = (6/5*Разница в энергии)+(15*Параметр Рака)+Взаимодействие с конфигурацией
Энергия расщепления кристаллического поля для тетраэдрических комплексов
​ Идти Тетраэдр энергии расщепления кристаллического поля = ((Электроны на орбиталях, например*(-0.6))+(0.4*Электроны на орбитали T2g))*(4/9)
Энергия активации кристаллического поля для диссоциативной реакции
​ Идти Диссоциативная замена CFAE = Энергия расщепления кристаллического поля Октаэдр-CFSE для промежуточного уровня квадратной пирамиды
Энергия расщепления кристаллического поля для октаэдрических комплексов
​ Идти Энергия расщепления кристаллического поля Октаэдр = (Электроны на орбиталях, например*0.6)+(-0.4*Электроны на орбитали T2g)
Произведение растворимости координатного комплекса
​ Идти Произведение растворимости координатного комплекса = Константа образования координатных комплексов*Продукт растворимости
Энергия активации кристаллического поля для ассоциативной реакции
​ Идти Ассоциативная замена CFAE = Энергия расщепления кристаллического поля Октаэдр-CFSE для пятиугольной бипирамиды
Энергия перехода от A2g к T1gF
​ Идти Энергия перехода от A2g к T1gF = (9/5*Разница в энергии)-Взаимодействие с конфигурацией
Энергия перехода от T1g к T2g
​ Идти Энергия перехода от T1g к T2g = (4/5*Разница в энергии)+Взаимодействие с конфигурацией
Энергия перехода от T1g к A2g
​ Идти Энергия перехода от T1g к A2g = (9/5*Разница в энергии)+Взаимодействие с конфигурацией

Константа равновесия координатных комплексов. формула

Константа образования координатных комплексов = (Концентрация комплексного иона^Стехиометрический коэффициент комплексного иона)/((Концентрация металла в комплексе^Стехиометрический коэффициент металла)*(Концентрация оснований Льюиса^Стехиометрический коэффициент основания Льюиса))
kf = (Z^z)/((Mcomplex^m)*(L^lcomplex))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!