Внутренняя емкость затвора Калькулятор

✖Емкость затвора МОП является важным фактором при расчете емкости перекрытия затвора.ⓘ Емкость МОП-ворота [C_gcs]			+10% -10%
✖Ширина перехода определяется как увеличение ширины при увеличении напряжения сток-исток, в результате чего область триода переходит в область насыщения.ⓘ Ширина перехода [W]			+10% -10%

✖Емкость перекрытия МОП-затвора — это емкость, которая обусловлена конструкцией самого устройства и обычно связана с его внутренними PN-переходами.ⓘ Внутренняя емкость затвора [C_mos]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Внутренняя емкость затвора

Формула

`"C"_{"mos"} = "C"_{"gcs"}*"W"`

Пример

`"1.799993μF"="20.04μF"*"89.82mm"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF

Внутренняя емкость затвора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость перекрытия МОП-затвора = Емкость МОП-ворота*Ширина перехода
C_mos = C_gcs*W
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Емкость перекрытия МОП-затвора - (Измеряется в фарада) - Емкость перекрытия МОП-затвора — это емкость, которая обусловлена конструкцией самого устройства и обычно связана с его внутренними PN-переходами.
Емкость МОП-ворота - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора МОП является важным фактором при расчете емкости перекрытия затвора.
Ширина перехода - (Измеряется в метр) - Ширина перехода определяется как увеличение ширины при увеличении напряжения сток-исток, в результате чего область триода переходит в область насыщения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Емкость МОП-ворота: 20.04 Микрофарад --> 2.004E-05 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Ширина перехода: 89.82 Миллиметр --> 0.08982 метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_mos = C_gcs*W --> 2.004E-05*0.08982

Оценка ... ...

C_mos = 1.7999928E-06

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.7999928E-06 фарада -->1.7999928 Микрофарад (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.7999928 ≈ 1.799993 Микрофарад <-- Емкость перекрытия МОП-затвора

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » Внутренняя емкость затвора

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Плотность заряда области массового истощения СБИС

Идти Плотность заряда области массового истощения = -(1-((Боковая протяженность области истощения с источником+Боковая протяженность области истощения с дренажом)/(2*Длина канала)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Концентрация акцептора*abs(2*Поверхностный потенциал))

Коэффициент эффекта тела

Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

Соединение Встроенное напряжение СБИС

Идти Встроенное напряжение соединения = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2)

Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС

Идти Глубина истощения Pn-перехода с источником = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Встроенное напряжение соединения)/([Charge-e]*Концентрация акцептора))

Общая паразитная емкость источника

Идти Паразитная емкость источника = (Емкость между соединением тела и источника*Область диффузии источника)+(Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой*Периметр боковой стенки диффузии источника)

Ток насыщения короткого канала СБИС

Идти Ток насыщения короткого канала = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*Оксидная емкость на единицу площади*Напряжение источника насыщения, стока

Переходный ток

Идти Ток перехода = (Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора)-(Подпороговый ток+Текущий конфликт+Ток затвора)

Поверхностный потенциал

Идти Поверхностный потенциал = 2*Разница в потенциале исходного тела*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация)

Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела

Идти Пороговое напряжение DIBL = Коэффициент DIBL*Сток в источник потенциала+Пороговое напряжение

DIBL Коэффициент

Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Пороговое напряжение

Идти Пороговое напряжение = Ворота к напряжению канала-(Плата за канал/Емкость затвора)

Емкость затвора

Идти Емкость затвора = Плата за канал/(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС

Идти Оксидная емкость после полного масштабирования = Оксидная емкость на единицу площади*Коэффициент масштабирования

Плата за канал

Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Подпороговый наклон

Идти Подпороговый наклон = Разница в потенциале исходного тела*Коэффициент DIBL*ln(10)

Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора

Идти Длина ворот = Емкость затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Ширина ворот)

Оксидная емкость затвора

Идти Емкость оксидного слоя затвора = Емкость затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС

Идти Толщина оксида затвора после полного масштабирования = Толщина оксида ворот/Коэффициент масштабирования

Глубина соединения после полного масштабирования СБИС

Идти Глубина соединения после полного масштабирования = Глубина соединения/Коэффициент масштабирования

Критическое напряжение

Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Ширина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Ширина канала после полного масштабирования = ширина канала/Коэффициент масштабирования

Длина канала после полного масштабирования СБИС

Идти Длина канала после полного масштабирования = Длина канала/Коэффициент масштабирования

Внутренняя емкость затвора

Идти Емкость перекрытия МОП-затвора = Емкость МОП-ворота*Ширина перехода

Мобильность в Mosfet

Идти Мобильность в MOSFET = К Прайм/Емкость оксидного слоя затвора

K-Prime

Идти К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора

Внутренняя емкость затвора формула

Емкость перекрытия МОП-затвора = Емкость МОП-ворота*Ширина перехода
C_mos = C_gcs*W

Какая необходимость в допинге CMOS?

Легирование в технологии КМОП используется для введения примесей в полупроводниковый материал с целью изменения его электрических свойств. Добавляя примеси, можно увеличить количество свободных носителей заряда (электронов или дырок), что позволяет лучше контролировать электрическое поведение устройства. Это важно для создания высокопроизводительных КМОП-схем, в которых используются транзисторы как n-типа, так и p-типа.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!