Intrinsieke poortcapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte
Cmos = Cgcs*W
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
MOS-poortoverlappingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - MOS Gate Overlap Capacitance is een capaciteit die voortkomt uit de constructie van het apparaat zelf en meestal wordt geassocieerd met de interne PN-overgangen.
MOS-poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - MOS-poortcapaciteit is een belangrijke factor bij het berekenen van de poortoverlapcapaciteit.
Overgangsbreedte - (Gemeten in Meter) - Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
MOS-poortcapaciteit: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
Overgangsbreedte: 89.82 Millimeter --> 0.08982 Meter (Bekijk de conversie hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Cmos = Cgcs*W --> 2.004E-05*0.08982
Evalueren ... ...
Cmos = 1.7999928E-06
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.7999928E-06 Farad -->1.7999928 Microfarad (Bekijk de conversie hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.7999928 1.799993 Microfarad <-- MOS-poortoverlappingscapaciteit
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI
Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))
Lichaamseffectcoëfficiënt
Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI
Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)
PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI
Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))
Totale bronparasitaire capaciteit
Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)
Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI
Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning
Junction Current
Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)
Oppervlakte Potentieel
Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)
Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt
Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning
DIBL-coëfficiënt
Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel
Subdrempel Helling
Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)
Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit
Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)
Gate-oxidecapaciteit
Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)
Poortcapaciteit
Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Drempelspanning
Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)
Kanaallading
Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI
Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor
Kritieke spanning
Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte
Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI
Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor
Intrinsieke poortcapaciteit
Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte
Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI
Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor
Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI
Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor
Mobiliteit in Mosfet
Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer
Kanaallengte na volledige schaling VLSI
Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor
K-Prime
Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Intrinsieke poortcapaciteit Formule

MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte
Cmos = Cgcs*W

Wat is de noodzaak van doping in CMOS?

Doping in CMOS-technologie wordt gebruikt om onzuiverheden in het halfgeleidermateriaal te introduceren en zo de elektrische eigenschappen ervan te veranderen. Door doteermiddelen toe te voegen kan het aantal vrije ladingsdragers (elektronen of gaten) worden vergroot, waardoor een grotere controle over het elektrische gedrag van het apparaat mogelijk is. Dit is essentieel voor het creëren van hoogwaardige CMOS-circuits die zowel n-type als p-type transistors gebruiken.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!