Максимальное усиление напряжения при резонансе Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Максимальное усиление напряжения при резонансе = Крутизна/проводимость
Amax = gm/G
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Максимальное усиление напряжения при резонансе - Максимальное усиление напряжения при резонансе относится к максимально достижимому усилению напряжения в цепи, когда она работает на резонансной частоте.
Крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна в цепи определяет количественную взаимосвязь между входным напряжением и результирующим выходным током.
проводимость - (Измеряется в Сименс) - Проводимость в цепи — это мера способности материала проводить электрический ток.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Крутизна: 2 Сименс --> 2 Сименс Конверсия не требуется
проводимость: 0.5 Сименс --> 0.5 Сименс Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Amax = gm/G --> 2/0.5
Оценка ... ...
Amax = 4
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
4 --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
4 <-- Максимальное усиление напряжения при резонансе
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Синггадский инженерный колледж (SCOE), Пуна
Симран Шраван Нишад создал этот калькулятор и еще 25+!
Verifier Image
Проверено Ритвик Трипати
Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор
Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

23 Лучевая трубка Калькуляторы

СВЧ-напряжение в зазоре Банчера
​ Идти СВЧ-напряжение в зазоре Банчера = (Амплитуда сигнала/(Угловая частота микроволнового напряжения*Среднее время доставки))*(cos(Угловая частота микроволнового напряжения*Ввод времени)-cos(Резонансная угловая частота+(Угловая частота микроволнового напряжения*Расстояние зазора Банчера)/Скорость электрона))
Выходная мощность РЧ
​ Идти Выходная мощность РЧ = Входная мощность РЧ*exp(-2*Константа радиочастотного затухания*Длина радиочастотной цепи)+int((Генерируемая радиочастотная мощность/Длина радиочастотной цепи)*exp(-2*Константа радиочастотного затухания*(Длина радиочастотной цепи-x)),x,0,Длина радиочастотной цепи)
Коэффициент усиления мощности двухрезонаторного клистронного усилителя
​ Идти Коэффициент усиления мощности двухрезонаторного клистронного усилителя = (1/4)*(((Катодный ток Банчера*Угловая частота)/(Катодное напряжение Банчера*Уменьшенная плазменная частота))^2)*(Коэффициент связи лучей^4)*Общее шунтирующее сопротивление входной полости*Общее шунтирующее сопротивление выходного резонатора
Напряжение отражателя
​ Идти Напряжение отпугивателя = sqrt((8*Угловая частота^2*Длина пространства дрейфа^2*Малое напряжение луча)/((2*pi*Количество колебаний)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Малое напряжение луча
Характеристическое сопротивление коаксиальной линии
​ Идти Характеристическое сопротивление коаксиального кабеля = (1/(2*pi))*(sqrt(Относительная проницаемость/Диэлектрическая проницаемость диэлектрика))*ln(Внешний радиус проводника/Внутренний радиус проводника)
Фазовая скорость в осевом направлении
​ Идти Фазовая скорость в осевом направлении = Спиральный шаг/(sqrt(Относительная проницаемость*Диэлектрическая проницаемость диэлектрика*((Спиральный шаг^2)+(pi*Диаметр спирали)^2)))
Полное истощение системы WDM
​ Идти Полное истощение системы WDM = sum(x,2,Количество каналов,Коэффициент комбинационного усиления*Мощность канала*Эффективная длина/Эффективная площадь)
Средняя потеря мощности в резонаторе
​ Идти Средняя потеря мощности в резонаторе = (Поверхностное сопротивление резонатора/2)*(int(((Пиковое значение тангенциальной магнитной напряженности)^2)*x,x,0,Радиус резонатора))
Плазменная частота
​ Идти Плазменная частота = sqrt(([Charge-e]*Плотность электронного заряда постоянного тока)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Полная энергия, запасенная в резонаторе
​ Идти Полная энергия, запасенная в резонаторе = int((Диэлектрическая проницаемость среды/2*Напряженность электрического поля^2)*x,x,0,Объем резонатора)
Глубина кожи
​ Идти Глубина кожи = sqrt(Удельное сопротивление/(pi*Относительная проницаемость*Частота))
Полная плотность тока электронного пучка
​ Идти Полная плотность тока электронного пучка = -Плотность тока луча постоянного тока+Мгновенное возмущение тока радиочастотного луча
Общая плотность заряда
​ Идти Общая плотность заряда = -Плотность электронного заряда постоянного тока+Мгновенная плотность радиочастотного заряда
Несущая частота в спектральной линии
​ Идти Несущая частота = Частота спектральной линии-Количество образцов*Частота повторения
Полная скорость электронов
​ Идти Полная скорость электронов = Скорость электронов постоянного тока+Мгновенное возмущение скорости электронов
Мощность, полученная от источника постоянного тока
​ Идти Источник постоянного тока = Мощность, вырабатываемая в анодной цепи/Электронная эффективность
Мощность, генерируемая в анодной цепи
​ Идти Мощность, вырабатываемая в анодной цепи = Источник постоянного тока*Электронная эффективность
Сниженная частота плазмы
​ Идти Уменьшенная плазменная частота = Плазменная частота*Коэффициент уменьшения объемного заряда
Максимальное усиление напряжения при резонансе
​ Идти Максимальное усиление напряжения при резонансе = Крутизна/проводимость
Пиковая мощность прямоугольного СВЧ-импульса
​ Идти Пиковая импульсная мощность = Средняя мощность/Рабочий цикл
Питание переменного тока, обеспечиваемое напряжением луча
​ Идти Источник питания переменного тока = (Напряжение*Текущий)/2
Обратные потери
​ Идти Обратные потери = -20*log10(Коэффициент отражения)
Питание постоянного тока, обеспечиваемое напряжением луча
​ Идти Источник постоянного тока = Напряжение*Текущий

Максимальное усиление напряжения при резонансе формула

Максимальное усиление напряжения при резонансе = Крутизна/проводимость
Amax = gm/G
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!