Gain de tension maximum à la résonance Calculatrice

✖La transconductance en circuit quantifie la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie résultant.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%
✖La conductance dans un circuit est une mesure de la capacité d'un matériau à conduire le courant électrique.ⓘ Conductance [G]			+10% -10%

✖Le gain de tension maximal à la résonance fait référence à l'amplification de tension la plus élevée possible dans un circuit lorsqu'il fonctionne à sa fréquence de résonance.ⓘ Gain de tension maximum à la résonance [A_max]

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Formule

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Gain de tension maximum à la résonance

Formule

`"A"_{"max"} = "g"_{"m"}/"G"`

Exemple

`"4"="2S"/"0.5S"`

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Gain de tension maximum à la résonance Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Gain de tension maximum à la résonance = Transconductance/Conductance
A_max = g_m/G
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Gain de tension maximum à la résonance - Le gain de tension maximal à la résonance fait référence à l'amplification de tension la plus élevée possible dans un circuit lorsqu'il fonctionne à sa fréquence de résonance.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance en circuit quantifie la relation entre la tension d'entrée et le courant de sortie résultant.
Conductance - (Mesuré en Siemens) - La conductance dans un circuit est une mesure de la capacité d'un matériau à conduire le courant électrique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 2 Siemens --> 2 Siemens Aucune conversion requise
Conductance: 0.5 Siemens --> 0.5 Siemens Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_max = g_m/G --> 2/0.5

Évaluer ... ...

A_max = 4

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

4 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

4 <-- Gain de tension maximum à la résonance

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Simran Shravan Nishad

Collège d'ingénierie de Sinhgad (SCOE), Puné

Simran Shravan Nishad a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

< 20 Tube de faisceau Calculatrices

Tension micro-ondes dans l'espace du groupeur

Aller Tension micro-onde dans l'espace du groupeur = (Amplitude du signal/(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Temps de transit moyen))*(cos(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Saisie de l'heure)-cos(Fréquence angulaire de résonance+(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Distance d'écart entre le groupeur)/Vitesse de l'électron))

Puissance de sortie RF

Aller Puissance de sortie RF = Puissance d'entrée RF*exp(-2*Constante d'atténuation RF*Longueur du circuit RF)+int((Puissance RF générée/Longueur du circuit RF)*exp(-2*Constante d'atténuation RF*(Longueur du circuit RF-x)),x,0,Longueur du circuit RF)

Tension du répulsif

Aller Tension du répulsif = sqrt((8*Fréquence angulaire^2*Longueur de l'espace de dérive^2*Tension du petit faisceau)/((2*pi*Nombre d'oscillations)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tension du petit faisceau

Épuisement total pour le système WDM

Aller Épuisement total pour un système WDM = sum(x,2,Nombre de canaux,Coefficient de gain Raman*Puissance du canal*Longueur efficace/Zone efficace)

Perte de puissance moyenne dans le résonateur

Aller Perte de puissance moyenne dans le résonateur = (Résistance de surface du résonateur/2)*(int(((Valeur maximale de l'intensité magnétique tangentielle)^2)*x,x,0,Rayon du résonateur))

Fréquence plasmatique

Aller Fréquence plasmatique = sqrt(([Charge-e]*Densité de charge électronique CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Énergie totale stockée dans le résonateur

Aller Énergie totale stockée dans le résonateur = int((Permittivité du milieu/2*Intensité du champ électrique^2)*x,x,0,Volume du résonateur)

Profondeur de la peau

Aller Profondeur de la peau = sqrt(Résistivité/(pi*Perméabilité relative*Fréquence))

Densité totale de courant du faisceau d'électrons

Aller Densité totale de courant du faisceau d'électrons = -Densité de courant du faisceau CC+Perturbation instantanée du courant du faisceau RF

Fréquence porteuse dans la ligne spectrale

Aller Fréquence porteuse = Fréquence de la ligne spectrale-Nombre d'échantillons*Fréquence de répétition

Vitesse totale des électrons

Aller Vitesse totale des électrons = Vitesse des électrons CC+Perturbation instantanée de la vitesse des électrons

Fréquence plasma réduite

Aller Fréquence plasmatique réduite = Fréquence plasmatique*Facteur de réduction de la charge d'espace

Densité de charge totale

Aller Densité de charge totale = -Densité de charge électronique CC+Densité de charge RF instantanée

Puissance obtenue à partir de l'alimentation CC

Aller Alimentation CC = Puissance générée dans le circuit anodique/Efficacité électronique

Puissance générée dans le circuit anodique

Aller Puissance générée dans le circuit anodique = Alimentation CC*Efficacité électronique

Gain de tension maximum à la résonance

Aller Gain de tension maximum à la résonance = Transconductance/Conductance

Puissance de crête d'impulsion micro-ondes rectangulaire

Aller Puissance de crête d'impulsion = Puissance moyenne/Cycle de service

Perte de retour

Aller Perte de retour = -20*log10(Coefficient de reflexion)

Alimentation CA fournie par la tension du faisceau

Aller Alimentation CA = (Tension*Actuel)/2

Alimentation CC fournie par la tension du faisceau

Aller Alimentation CC = Tension*Actuel

Gain de tension maximum à la résonance Formule

Gain de tension maximum à la résonance = Transconductance/Conductance
A_max = g_m/G

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