Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz Taschenrechner

✖Transkonduktanz im Schaltkreis quantifiziert die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem resultierenden Ausgangsstrom.ⓘ Transkonduktanz [g_m]			+10% -10%
✖Die Leitfähigkeit im Stromkreis ist ein Maß für die Fähigkeit eines Materials, elektrischen Strom zu leiten.ⓘ Leitfähigkeit [G]			+10% -10%

✖Die maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz bezieht sich auf die höchste erreichbare Spannungsverstärkung in einem Stromkreis, wenn dieser mit seiner Resonanzfrequenz betrieben wird.ⓘ Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz [A_max]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz

Formel

`"A"_{"max"} = "g"_{"m"}/"G"`

Beispiel

`"4"="2S"/"0.5S"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Mikrowellenröhren und -schaltungen Formel Pdf PDF Image

Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz = Transkonduktanz/Leitfähigkeit
A_max = g_m/G
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz - Die maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz bezieht sich auf die höchste erreichbare Spannungsverstärkung in einem Stromkreis, wenn dieser mit seiner Resonanzfrequenz betrieben wird.
Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Transkonduktanz im Schaltkreis quantifiziert die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem resultierenden Ausgangsstrom.
Leitfähigkeit - (Gemessen in Siemens) - Die Leitfähigkeit im Stromkreis ist ein Maß für die Fähigkeit eines Materials, elektrischen Strom zu leiten.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanz: 2 Siemens --> 2 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Leitfähigkeit: 0.5 Siemens --> 0.5 Siemens Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A_max = g_m/G --> 2/0.5

Auswerten ... ...

A_max = 4

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

4 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

4 <-- Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Mikrowellentheorie » Mikrowellenröhren und -schaltungen » Strahlrohr » Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz

Credits

Erstellt von Simran Shravan Nishad

Sinhgad College of Engineering (SCOE), Pune

Simran Shravan Nishad hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

< 20 Strahlrohr Taschenrechner

Mikrowellenspannung im Buncher-Spalt

Gehen Mikrowellenspannung im Buncher-Lückenbereich = (Signalamplitude/(Winkelfrequenz der Mikrowellenspannung*Durchschnittliche Transitzeit))*(cos(Winkelfrequenz der Mikrowellenspannung*Zeit eingeben)-cos(Resonanz-Winkelfrequenz+(Winkelfrequenz der Mikrowellenspannung*Buncher-Lückenabstand)/Elektronengeschwindigkeit))

HF-Ausgangsleistung

Gehen HF-Ausgangsleistung = HF-Eingangsleistung*exp(-2*HF-Dämpfungskonstante*HF-Schaltungslänge)+int((Erzeugte HF-Leistung/HF-Schaltungslänge)*exp(-2*HF-Dämpfungskonstante*(HF-Schaltungslänge-x)),x,0,HF-Schaltungslänge)

Repeller-Spannung

Gehen Repellerspannung = sqrt((8*Winkelfrequenz^2*Länge des Driftraums^2*Kleine Strahlspannung)/((2*pi*Anzahl der Schwingungen)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Kleine Strahlspannung

Totale Erschöpfung für WDM-System

Gehen Totale Erschöpfung für ein WDM-System = sum(x,2,Anzahl der Kanäle,Raman-Verstärkungskoeffizient*Kanalleistung*Effektive Länge/Nutzfläche)

Durchschnittlicher Leistungsverlust im Resonator

Gehen Durchschnittlicher Leistungsverlust im Resonator = (Oberflächenwiderstand des Resonators/2)*(int(((Spitzenwert der tangentialen magnetischen Intensität)^2)*x,x,0,Radius des Resonators))

Plasmafrequenz

Gehen Plasmafrequenz = sqrt(([Charge-e]*DC-Elektronenladungsdichte)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))

Gesamte im Resonator gespeicherte Energie

Gehen Gesamte im Resonator gespeicherte Energie = int((Permittivität des Mediums/2*Elektrische Feldstärke^2)*x,x,0,Resonatorvolumen)

Hauttiefe

Gehen Hauttiefe = sqrt(Widerstand/(pi*Relative Permeabilität*Frequenz))

Trägerfrequenz in der Spektrallinie

Gehen Trägerfrequenz = Spektrallinienfrequenz-Anzahl von Beispielen*Wiederholungsfrequenz

Gesamtstromdichte des Elektronenstrahls

Gehen Gesamtstromdichte des Elektronenstrahls = -Gleichstromdichte des Strahls+Momentane Störung des HF-Strahlstroms

Gesamtelektronengeschwindigkeit

Gehen Gesamtelektronengeschwindigkeit = DC-Elektronengeschwindigkeit+Momentane Störung der Elektronengeschwindigkeit

Im Anodenstromkreis erzeugter Strom

Gehen Im Anodenstromkreis erzeugter Strom = Gleichstromquelle*Elektronische Effizienz

Strom aus DC-Netzteil bezogen

Gehen Gleichstromquelle = Im Anodenstromkreis erzeugter Strom/Elektronische Effizienz

Gesamtladungsdichte

Gehen Gesamtladungsdichte = -DC-Elektronenladungsdichte+Momentane HF-Ladungsdichte

Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz

Gehen Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz = Transkonduktanz/Leitfähigkeit

Reduzierte Plasmafrequenz

Gehen Reduzierte Plasmafrequenz = Plasmafrequenz*Raumladungsreduktionsfaktor

Rechteckige Mikrowellenimpuls-Spitzenleistung

Gehen Pulsspitzenleistung = Durchschnittliche Kraft/Auslastungsgrad

Rückflussdämpfung

Gehen Rückflussdämpfung = -20*log10(Reflexionsfaktor)

Gleichstromversorgung durch Strahlspannung

Gehen Gleichstromquelle = Stromspannung*Aktuell

Wechselstromversorgung durch Strahlspannung

Gehen AC-Netzteil = (Stromspannung*Aktuell)/2

Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz Formel

Maximale Spannungsverstärkung bei Resonanz = Transkonduktanz/Leitfähigkeit
A_max = g_m/G

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!