NMOS como resistência linear Calculadora

✖O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.ⓘ Comprimento do Canal [L]			+10% -10%
✖A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou conduzirem dentro da camada superficial de um material quando submetidos a um campo elétrico.ⓘ Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal [μ_n]			+10% -10%
✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%
✖A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.ⓘ Largura do Canal [W_c]			+10% -10%
✖A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.ⓘ Tensão da fonte do portão [V_gs]			+10% -10%
✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_T]			+10% -10%

✖A resistência linear atua como um resistor variável na região linear e como uma fonte de corrente na região de saturação.ⓘ NMOS como resistência linear [r_DS]

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Fórmula

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NMOS como resistência linear

Fórmula

`"r"_{"DS"} = "L"/("μ"_{"n"}*"C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*("V"_{"gs"}-"V"_{"T"}))`

Exemplo

`"7.960702kΩ"="3μm"/("2.2m²/V*s"*"2.02μF"*"10μm"*("10.3V"-"1.82V"))`

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NMOS como resistência linear Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))
r_DS = L/(μ_n*C_ox*W_c*(V_gs-V_T))
Esta fórmula usa 7 Variáveis

Variáveis Usadas

Resistência Linear - (Medido em Ohm) - A resistência linear atua como um resistor variável na região linear e como uma fonte de corrente na região de saturação.
Comprimento do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou conduzirem dentro da camada superficial de um material quando submetidos a um campo elétrico.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.
Largura do Canal - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Tensão da fonte do portão - (Medido em Volt) - A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Comprimento do Canal: 3 Micrômetro --> 3E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal: 2.2 Metro quadrado por volt por segundo --> 2.2 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 2.02 Microfarad --> 2.02E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)
Largura do Canal: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão da fonte do portão: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

r_DS = L/(μ_n*C_ox*W_c*(V_gs-V_T)) --> 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82))

Avaliando ... ...

r_DS = 7960.70173055041

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

7960.70173055041 Ohm -->7.96070173055041 Quilohm (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

7.96070173055041 ≈ 7.960702 Quilohm <-- Resistência Linear

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 17 Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno)

Efeito Corporal em NMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

NMOS como resistência linear

Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))

Drenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

Vai Parâmetro do Processo de Fabricação = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Potência total fornecida em NMOS

Vai Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno

Vai Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal

Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela

Potência total dissipada em NMOS

Vai Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO

Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS

Vai Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal

Capacitância de óxido de NMOS

Vai Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido

NMOS como resistência linear Fórmula

Qual é a condição para usar o MOSFET como um resistor linear?

Quando você aumenta lentamente a tensão da porta, o MOSFET começa a conduzir lentamente ao entrar na região linear onde começa a desenvolver uma tensão que chamamos de V

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