Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
физика
финансовый
Химия
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Технология производства
Химическая инженерия
Электрические
Электроника и приборы
⤿
Изготовление СБИС
EDC
Аналоговая связь
Аналоговая электроника
Антенна
Беспроводная связь
Волоконно-оптическая передача
Встроенная система
Интегральные схемы (ИС)
Конструкция оптического волокна
Линия передачи и антенна
Оптоэлектронные устройства
Проектирование и применение КМОП
Радиолокационная система
РФ Микроэлектроника
Сигнал и системы
Силовая электроника
Система контроля
Системы коммутации телекоммуникаций
Спутниковая связь
Твердотельные устройства
Телевизионная инженерия
Теория информации и кодирование
Теория СВЧ
Теория электромагнитного поля
Усилители
Цифровая обработка изображений
Цифровая связь
⤿
Оптимизация материалов СБИС
Аналоговая СБИС
✖
Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.
ⓘ
Коэффициент масштабирования [Sf]
+10%
-10%
✖
Рассеяние мощности — это преобразование электрической энергии в тепло внутри электронных компонентов или цепей.
ⓘ
Рассеяние мощности [P]
Attojoule / Second
Аттоватт
Тормозная мощность (л.с.)
БТЕ (IT) / час
БТЕ (IT) / мин
БТЕ (IT) / сек
БТЕ (й) / час
БТЕ (й) / мин
БТЕ (й) / сек
Калорийность (ИТ) / час
Калорийность (ИТ) / минуту
Калорийность (ИТ) / сек
Калорийность (й) / час
Калорийность (й) / минуту
Калорийность (й) / сек
Centijoule / сек
сантиватт
CHU в час
Декаджоуль / сек
Декаватт
дециджоуль / сек
Дециватт
Эрг в час
Эрг / сек
Эксаджоуль / сек
экса-ватт
Femtojoule / сек
Фемтоватт
Фут-фунт-сила в час
Фут-фунт-сила в минуту
Фут-фунт-сила в секунду
ГДж / сек
Гигаватт
гектоджоуль / сек
Гектоватт
Лошадиные силы
Лс (550 фут * фунт-сила / с)
Лс (котел)
Лс (электрический)
Лошадиная сила (метрическая)
Лс (вода)
Джоуль / час
Джоуль в минуту
Джоуль в секунду
Килокалорий (IT) / час
Килокалорий (IT) / минуту
Килокалорий (IT) / сек
Килокалорий (й) / час
Килокалорий (й) / минуту
Килокалорий (й) / сек
Килоджоулей / час
Килоджоуль в минуту
Килоджоуль в секунду
киловольт-ампер
киловатт
МБХ
МБТЕ (ИТ) в час
Мегаджоуль в секунду
Мегаватт
Микроджоуль / сек
Микроватт
Millijoule / сек
Милливатт
MMBH
MMBtu (IT) в час
Nanojoule / сек
Нановатт
Ньютон-метр / сек
Петаджоуль / сек
петаватт
Pferdestarke
Picojoule / сек
Пиковатт
Планка питания
Фунт-фут в час
Фунт-фут в минуту
Фунт-фут в секунду
Тераджоуль / сек
Тераватт
Тон (холодильная техника)
вольт-ампер
Вольт Ампер Реактивный
Ватт
Йоктоватт
Yottawatt
Zeptowatt
Зеттаватт
+10%
-10%
✖
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения определяется как количество мощности, рассеиваемой после уменьшения МОП-транзистора методом масштабирования напряжения.
ⓘ
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI [P']
Attojoule / Second
Аттоватт
Тормозная мощность (л.с.)
БТЕ (IT) / час
БТЕ (IT) / мин
БТЕ (IT) / сек
БТЕ (й) / час
БТЕ (й) / мин
БТЕ (й) / сек
Калорийность (ИТ) / час
Калорийность (ИТ) / минуту
Калорийность (ИТ) / сек
Калорийность (й) / час
Калорийность (й) / минуту
Калорийность (й) / сек
Centijoule / сек
сантиватт
CHU в час
Декаджоуль / сек
Декаватт
дециджоуль / сек
Дециватт
Эрг в час
Эрг / сек
Эксаджоуль / сек
экса-ватт
Femtojoule / сек
Фемтоватт
Фут-фунт-сила в час
Фут-фунт-сила в минуту
Фут-фунт-сила в секунду
ГДж / сек
Гигаватт
гектоджоуль / сек
Гектоватт
Лошадиные силы
Лс (550 фут * фунт-сила / с)
Лс (котел)
Лс (электрический)
Лошадиная сила (метрическая)
Лс (вода)
Джоуль / час
Джоуль в минуту
Джоуль в секунду
Килокалорий (IT) / час
Килокалорий (IT) / минуту
Килокалорий (IT) / сек
Килокалорий (й) / час
Килокалорий (й) / минуту
Килокалорий (й) / сек
Килоджоулей / час
Килоджоуль в минуту
Килоджоуль в секунду
киловольт-ампер
киловатт
МБХ
МБТЕ (ИТ) в час
Мегаджоуль в секунду
Мегаватт
Микроджоуль / сек
Микроватт
Millijoule / сек
Милливатт
MMBH
MMBtu (IT) в час
Nanojoule / сек
Нановатт
Ньютон-метр / сек
Петаджоуль / сек
петаватт
Pferdestarke
Picojoule / сек
Пиковатт
Планка питания
Фунт-фут в час
Фунт-фут в минуту
Фунт-фут в секунду
Тераджоуль / сек
Тераватт
Тон (холодильная техника)
вольт-ампер
Вольт Ампер Реактивный
Ватт
Йоктоватт
Yottawatt
Zeptowatt
Зеттаватт
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI
Формула
`"P'" = "Sf"*"P"`
Пример
`"4.95W"="1.5"*"3.3W"`
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать Электроника формула PDF
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения
=
Коэффициент масштабирования
*
Рассеяние мощности
P'
=
Sf
*
P
В этой формуле используются
3
Переменные
Используемые переменные
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения
-
(Измеряется в Ватт)
- Рассеяние мощности после масштабирования напряжения определяется как количество мощности, рассеиваемой после уменьшения МОП-транзистора методом масштабирования напряжения.
Коэффициент масштабирования
- Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.
Рассеяние мощности
-
(Измеряется в Ватт)
- Рассеяние мощности — это преобразование электрической энергии в тепло внутри электронных компонентов или цепей.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Коэффициент масштабирования:
1.5 --> Конверсия не требуется
Рассеяние мощности:
3.3 Ватт --> 3.3 Ватт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
P' = Sf*P -->
1.5*3.3
Оценка ... ...
P'
= 4.95
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
4.95 Ватт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
4.95 Ватт
<--
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Изготовление СБИС
»
Оптимизация материалов СБИС
»
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI
Кредиты
Сделано
Приянка Патель
Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай
(ЛДЦЭ)
,
Ахмедабад
Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!
Проверено
Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара
(ДСКЭ)
,
Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы
Плотность заряда области массового истощения СБИС
Идти
Плотность заряда области массового истощения
= -(1-((
Боковая протяженность области истощения с источником
+
Боковая протяженность области истощения с дренажом
)/(2*
Длина канала
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Концентрация акцептора
*
abs
(2*
Поверхностный потенциал
))
Коэффициент эффекта тела
Идти
Коэффициент эффекта тела
=
modulus
((
Пороговое напряжение
-
Пороговое напряжение DIBL
)/(
sqrt
(
Поверхностный потенциал
+(
Разница в потенциале исходного тела
))-
sqrt
(
Поверхностный потенциал
)))
Соединение Встроенное напряжение СБИС
Идти
Встроенное напряжение соединения
= (
[BoltZ]
*
Температура
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Концентрация акцептора
*
Концентрация доноров
/(
Внутренняя концентрация
)^2)
Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС
Идти
Глубина истощения Pn-перехода с источником
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Встроенное напряжение соединения
)/(
[Charge-e]
*
Концентрация акцептора
))
Общая паразитная емкость источника
Идти
Паразитная емкость источника
= (
Емкость между соединением тела и источника
*
Область диффузии источника
)+(
Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой
*
Периметр боковой стенки диффузии источника
)
Ток насыщения короткого канала СБИС
Идти
Ток насыщения короткого канала
=
ширина канала
*
Скорость дрейфа электронов насыщения
*
Оксидная емкость на единицу площади
*
Напряжение источника насыщения, стока
Переходный ток
Идти
Ток перехода
= (
Статическая мощность
/
Базовое напряжение коллектора
)-(
Подпороговый ток
+
Текущий конфликт
+
Ток затвора
)
Поверхностный потенциал
Идти
Поверхностный потенциал
= 2*
Разница в потенциале исходного тела
*
ln
(
Концентрация акцептора
/
Внутренняя концентрация
)
DIBL Коэффициент
Идти
Коэффициент DIBL
= (
Пороговое напряжение DIBL
-
Пороговое напряжение
)/
Сток в источник потенциала
Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела
Идти
Пороговое напряжение DIBL
=
Коэффициент DIBL
*
Сток в источник потенциала
+
Пороговое напряжение
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС
Идти
Оксидная емкость после полного масштабирования
=
Оксидная емкость на единицу площади
*
Коэффициент масштабирования
Пороговое напряжение
Идти
Пороговое напряжение
=
Ворота к напряжению канала
-(
Плата за канал
/
Емкость затвора
)
Емкость затвора
Идти
Емкость затвора
=
Плата за канал
/(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Плата за канал
Идти
Плата за канал
=
Емкость затвора
*(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Подпороговый наклон
Идти
Подпороговый наклон
=
Разница в потенциале исходного тела
*
Коэффициент DIBL
*
ln
(10)
Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора
Идти
Длина ворот
=
Емкость затвора
/(
Емкость оксидного слоя затвора
*
Ширина ворот
)
Оксидная емкость затвора
Идти
Емкость оксидного слоя затвора
=
Емкость затвора
/(
Ширина ворот
*
Длина ворот
)
Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС
Идти
Толщина оксида затвора после полного масштабирования
=
Толщина оксида ворот
/
Коэффициент масштабирования
Глубина соединения после полного масштабирования СБИС
Идти
Глубина соединения после полного масштабирования
=
Глубина соединения
/
Коэффициент масштабирования
Критическое напряжение
Идти
Критическое напряжение
=
Критическое электрическое поле
*
Электрическое поле по длине канала
Ширина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Ширина канала после полного масштабирования
=
ширина канала
/
Коэффициент масштабирования
Длина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Длина канала после полного масштабирования
=
Длина канала
/
Коэффициент масштабирования
Внутренняя емкость затвора
Идти
Емкость перекрытия МОП-затвора
=
Емкость МОП-ворота
*
Ширина перехода
Мобильность в Mosfet
Идти
Мобильность в MOSFET
=
К Прайм
/
Емкость оксидного слоя затвора
K-Prime
Идти
К Прайм
=
Мобильность в MOSFET
*
Емкость оксидного слоя затвора
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI формула
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения
=
Коэффициент масштабирования
*
Рассеяние мощности
P'
=
Sf
*
P
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!