Calculadora A a Z
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Projeto VLSI analógico
✖
O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
ⓘ
Fator de escala [Sf]
+10%
-10%
✖
A dissipação de energia é a conversão de energia elétrica em calor dentro de componentes ou circuitos eletrônicos.
ⓘ
Dissipação de energia [P]
Attojoule/Segundo
Attowatt
Potência de freio (bhp)
Btu (IT)/hora
Btu (IT)/minuto
Btu (IT)/segundo
Btu (th)/hora
Btu (th)/minuto
Btu (th)/segundo
Caloria (IT)/Hora
Caloria (IT)/Minuto
Caloria (IT)/Segundo
Calorie (th)/Hora
Caloria (th)/Minuto
Caloria (th)/Segundo
Centijoule/Segundo
Centiwatt
CHU por hora
Decajoule/segundo
Decawatt
Decijoule/Segundo
Deciwatt
Erg por hora
Erg/Segundo
Exajoule/Second
Exawatt
Femtojoule/Segundo
Femtowatt
Pé-libra-força por hora
Pé-libra-força por minuto
Pé-libra-força por segundo
Gigajoule/Segundo
Gigawatt
Hectojoule/Segundo
Hectovátio
Cavalo-vapor
Cavalo-vapor (550 ft*lbf/s)
Cavalo-vapor (caldeira)
Cavalo-vapor (elétrica)
Cavalo-vapor (métrico)
Cavalo-vapor (água)
Joule/Hora
Joule por minuto
Joule por segundo
Kilocalorie (IT)/Hora
Kilocalorie (IT)/Minuto
Kilocalorie (IT)/Second
Kilocalorie (th)/Hora
Kilocalorie (th)/Minuto
Kilocalorie (th)/Second
Kilojoule/Hora
Quilojoule por minuto
Quilojoule por segundo
Quilovolt Ampere
Quilowatt
MBH
MBtu (IT) por hora
Megajoule por segundo
Megawatt
Microjoule/Segundo
Microwatt
Milijoule/Segundo
Miliwatt
MMBH
MMBtu (IT) por hora
Nanojoule/Segundo
Nanowatt
Newton metro/segundo
Petajoule/Segundo
Petawatt
Pferdestarke
Picojoule/Segundo
Picowatt
Planck de energia
Libra-pé por hora
Libra-pé por minuto
Libra-pé por segundo
Terajoule/Segundo
Terawatt
Ton (refrigeração)
Volt Ampere
Volt Ampere Reativo
Watt
Yoctowatt
Yottawatt
Zeptowatt
Zettawatt
+10%
-10%
✖
A dissipação de energia após a escala de tensão é definida como a quantidade de energia que está sendo dissipada após a redução do MOSFET pelo método de escala de tensão.
ⓘ
Dissipação de energia após escalonamento de tensão VLSI [P']
Attojoule/Segundo
Attowatt
Potência de freio (bhp)
Btu (IT)/hora
Btu (IT)/minuto
Btu (IT)/segundo
Btu (th)/hora
Btu (th)/minuto
Btu (th)/segundo
Caloria (IT)/Hora
Caloria (IT)/Minuto
Caloria (IT)/Segundo
Calorie (th)/Hora
Caloria (th)/Minuto
Caloria (th)/Segundo
Centijoule/Segundo
Centiwatt
CHU por hora
Decajoule/segundo
Decawatt
Decijoule/Segundo
Deciwatt
Erg por hora
Erg/Segundo
Exajoule/Second
Exawatt
Femtojoule/Segundo
Femtowatt
Pé-libra-força por hora
Pé-libra-força por minuto
Pé-libra-força por segundo
Gigajoule/Segundo
Gigawatt
Hectojoule/Segundo
Hectovátio
Cavalo-vapor
Cavalo-vapor (550 ft*lbf/s)
Cavalo-vapor (caldeira)
Cavalo-vapor (elétrica)
Cavalo-vapor (métrico)
Cavalo-vapor (água)
Joule/Hora
Joule por minuto
Joule por segundo
Kilocalorie (IT)/Hora
Kilocalorie (IT)/Minuto
Kilocalorie (IT)/Second
Kilocalorie (th)/Hora
Kilocalorie (th)/Minuto
Kilocalorie (th)/Second
Kilojoule/Hora
Quilojoule por minuto
Quilojoule por segundo
Quilovolt Ampere
Quilowatt
MBH
MBtu (IT) por hora
Megajoule por segundo
Megawatt
Microjoule/Segundo
Microwatt
Milijoule/Segundo
Miliwatt
MMBH
MMBtu (IT) por hora
Nanojoule/Segundo
Nanowatt
Newton metro/segundo
Petajoule/Segundo
Petawatt
Pferdestarke
Picojoule/Segundo
Picowatt
Planck de energia
Libra-pé por hora
Libra-pé por minuto
Libra-pé por segundo
Terajoule/Segundo
Terawatt
Ton (refrigeração)
Volt Ampere
Volt Ampere Reativo
Watt
Yoctowatt
Yottawatt
Zeptowatt
Zettawatt
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Degraus
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Fórmula
✖
Dissipação de energia após escalonamento de tensão VLSI
Fórmula
`"P'" = "Sf"*"P"`
Exemplo
`"4.95W"="1.5"*"3.3W"`
Calculadora
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Download Eletrônicos Fórmula PDF
Dissipação de energia após escalonamento de tensão VLSI Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Dissipação de energia após escala de tensão
=
Fator de escala
*
Dissipação de energia
P'
=
Sf
*
P
Esta fórmula usa
3
Variáveis
Variáveis Usadas
Dissipação de energia após escala de tensão
-
(Medido em Watt)
- A dissipação de energia após a escala de tensão é definida como a quantidade de energia que está sendo dissipada após a redução do MOSFET pelo método de escala de tensão.
Fator de escala
- O fator de escala é definido como a razão pela qual as dimensões do transistor são alteradas durante o processo de projeto.
Dissipação de energia
-
(Medido em Watt)
- A dissipação de energia é a conversão de energia elétrica em calor dentro de componentes ou circuitos eletrônicos.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Fator de escala:
1.5 --> Nenhuma conversão necessária
Dissipação de energia:
3.3 Watt --> 3.3 Watt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
P' = Sf*P -->
1.5*3.3
Avaliando ... ...
P'
= 4.95
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
4.95 Watt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
4.95 Watt
<--
Dissipação de energia após escala de tensão
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)
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Otimização de materiais VLSI
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Dissipação de energia após escalonamento de tensão VLSI
Créditos
Criado por
Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras
Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
Vai
Densidade de carga da região de esgotamento em massa
= -(1-((
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte
+
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno
)/(2*
Comprimento do canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentração do aceitante
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
))
Coeficiente de Efeito Corporal
Vai
Coeficiente de Efeito Corporal
=
modulus
((
Tensão de limiar
-
Tensão Limite DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de Superfície
+(
Diferença potencial do corpo de origem
))-
sqrt
(
Potencial de Superfície
)))
Tensão integrada de junção VLSI
Vai
Tensão interna de junção
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentração do aceitante
*
Concentração de doadores
/(
Concentração Intrínseca
)^2)
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
Vai
Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Tensão interna de junção
)/(
[Charge-e]
*
Concentração do aceitante
))
Capacitância Parasítica da Fonte Total
Vai
Fonte de capacitância parasita
= (
Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte
*
Área de Difusão de Fonte
)+(
Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral
*
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte
)
Corrente de saturação de canal curto VLSI
Vai
Corrente de saturação de canal curto
=
Largura de banda
*
Velocidade de deriva de elétrons de saturação
*
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Tensão da fonte de drenagem de saturação
Corrente de junção
Vai
Corrente de Junção
= (
Potência Estática
/
Tensão do Coletor Base
)-(
Corrente Sublimiar
+
Corrente de contenção
+
Corrente do portão
)
Potencial de Superfície
Vai
Potencial de Superfície
= 2*
Diferença potencial do corpo de origem
*
ln
(
Concentração do aceitante
/
Concentração Intrínseca
)
Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão
Vai
Comprimento do portão
=
Capacitância do portão
/(
Capacitância da camada de óxido de porta
*
Largura do portão
)
Capacitância de Óxido de Porta
Vai
Capacitância da camada de óxido de porta
=
Capacitância do portão
/(
Largura do portão
*
Comprimento do portão
)
Capacitância da porta
Vai
Capacitância do portão
=
Taxa de canal
/(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Coeficiente DIBL
Vai
Coeficiente DIBL
= (
Tensão Limite DIBL
-
Tensão de limiar
)/
Drenar para Potencial de Fonte
Tensão de limiar
Vai
Tensão de limiar
=
Tensão do portão para o canal
-(
Taxa de canal
/
Capacitância do portão
)
Carga do canal
Vai
Taxa de canal
=
Capacitância do portão
*(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal
Vai
Tensão Limite DIBL
=
Coeficiente DIBL
*
Drenar para Potencial de Fonte
+
Tensão de limiar
Sublimiar Inclinação
Vai
Inclinação Sublimiar
=
Diferença potencial do corpo de origem
*
Coeficiente DIBL
*
ln
(10)
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
Vai
Capacitância de óxido após escala completa
=
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Fator de escala
Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI
Vai
Espessura do óxido de porta após escala completa
=
Espessura do Óxido de Porta
/
Fator de escala
Capacitância de porta intrínseca
Vai
Capacitância de sobreposição de porta MOS
=
Capacitância da Porta MOS
*
Largura da transição
Tensão Crítica
Vai
Tensão Crítica
=
Campo Elétrico Crítico
*
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Profundidade da junção após Full Scaling VLSI
Vai
Profundidade da junção após escala completa
=
Profundidade da Junção
/
Fator de escala
Comprimento do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Comprimento do canal após escala completa
=
Comprimento do canal
/
Fator de escala
Largura do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Largura do canal após escala completa
=
Largura de banda
/
Fator de escala
Mobilidade em Mosfet
Vai
Mobilidade em MOSFET
=
K Prime
/
Capacitância da camada de óxido de porta
K-Prime
Vai
K Prime
=
Mobilidade em MOSFET
*
Capacitância da camada de óxido de porta
Dissipação de energia após escalonamento de tensão VLSI Fórmula
Dissipação de energia após escala de tensão
=
Fator de escala
*
Dissipação de energia
P'
=
Sf
*
P
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