Ток насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток насыщения = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ширина базового соединения
isat = (Abe*[Charge-e]*Dn*npo)/wb
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные
Используемые константы
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые переменные
Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.
Базовая область излучателя - (Измеряется в Квадратный метр) - Площадь базового эмиттера определяется как площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер в усилителе.
Электронная диффузия - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Диффузия электронов — это диффузионный ток — ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).
Тепловая равновесная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Тепловая равновесная концентрация определяется как концентрация носителей в усилителе.
Ширина базового соединения - (Измеряется в Метр) - Ширина базового перехода — это параметр, который показывает ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Базовая область излучателя: 0.12 Площадь Сантиметр --> 1.2E-05 Квадратный метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Электронная диффузия: 0.8 Квадратный сантиметр в секунду --> 8E-05 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование ​здесь)
Тепловая равновесная концентрация: 1E+15 1 на кубический сантиметр --> 1E+21 1 на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Ширина базового соединения: 0.0085 сантиметр --> 8.5E-05 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
isat = (Abe*[Charge-e]*Dn*npo)/wb --> (1.2E-05*[Charge-e]*8E-05*1E+21)/8.5E-05
Оценка ... ...
isat = 0.00180951712376471
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.00180951712376471 Ампер -->1.80951712376471 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
1.80951712376471 1.809517 Миллиампер <-- Ток насыщения
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия LinkedIn Logo
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод LinkedIn Logo
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Характеристики усилителя Калькуляторы

Ширина базового соединения усилителя
​ LaTeX ​ Идти Ширина базового соединения = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ток насыщения
Дифференциальное напряжение в усилителе
​ LaTeX ​ Идти Дифференциальный входной сигнал = Выходное напряжение/((Сопротивление 4/Сопротивление 3)*(1+(Сопротивление 2)/Сопротивление 1))
Коэффициент усиления мощности усилителя
​ LaTeX ​ Идти Прирост мощности = Мощность нагрузки/Входная мощность
Текущее усиление усилителя
​ LaTeX ​ Идти Текущее усиление = Выходной ток/Входной ток

Ток насыщения формула

​LaTeX ​Идти
Ток насыщения = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ширина базового соединения
isat = (Abe*[Charge-e]*Dn*npo)/wb

Почему мы рассчитываем ток насыщения в транзисторе?

Расчет тока насыщения транзисторов имеет решающее значение для понимания их поведения и производительности. Ток насыщения — это ток, при котором выходное напряжение транзистора больше не зависит от входного тока. Он представляет собой максимальный ток, который может выдержать транзистор без значительного искажения его выходного сигнала.

© 2016-2025 calculatoratoz.com A softUsvista Inc. venture!



Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!