Sättigungsstrom Taschenrechner

✖Die Basis-Emitter-Fläche ist definiert als die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs in einem Verstärker.ⓘ Basis-Emitter-Bereich [A_be]			+10% -10%
✖Elektronendiffusivität ist der Diffusionsstrom, ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.ⓘ Elektronendiffusivität [D_n]			+10% -10%
✖Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist definiert als die Konzentration der Träger in einem Verstärker.ⓘ Thermische Gleichgewichtskonzentration [n_po]			+10% -10%
✖Die Basisverbindungsbreite ist der Parameter, der angibt, wie breit die Basisverbindung eines analogen Elektronikelements ist.ⓘ Breite der Basisverbindung [w_b]			+10% -10%

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [i_sat]

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Formel

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Sättigungsstrom

Formel

`"i"_{"sat"} = ("A"_{"be"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*"n"_{"po"})/"w"_{"b"}`

Beispiel

`"1.809517mA"=("0.12cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*"1e15/cm³")/"0.0085cm"`

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Sättigungsstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = (Basis-Emitter-Bereich*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*Thermische Gleichgewichtskonzentration)/Breite der Basisverbindung
i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Basis-Emitter-Bereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Basis-Emitter-Fläche ist definiert als die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs in einem Verstärker.
Elektronendiffusivität - (Gemessen in Quadratmeter pro Sekunde) - Elektronendiffusivität ist der Diffusionsstrom, ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.
Thermische Gleichgewichtskonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die thermische Gleichgewichtskonzentration ist definiert als die Konzentration der Träger in einem Verstärker.
Breite der Basisverbindung - (Gemessen in Meter) - Die Basisverbindungsbreite ist der Parameter, der angibt, wie breit die Basisverbindung eines analogen Elektronikelements ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Basis-Emitter-Bereich: 0.12 Quadratischer Zentimeter --> 1.2E-05 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektronendiffusivität: 0.8 Quadratzentimeter pro Sekunde --> 8E-05 Quadratmeter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Thermische Gleichgewichtskonzentration: 1E+15 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+21 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Breite der Basisverbindung: 0.0085 Zentimeter --> 8.5E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b --> (1.2E-05*[Charge-e]*8E-05*1E+21)/8.5E-05

Auswerten ... ...

i_sat = 0.00180951712376471

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00180951712376471 Ampere -->1.80951712376471 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.80951712376471 ≈ 1.809517 Milliampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.015 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Breite der Basisverbindung des Verstärkers

Gehen Breite der Basisverbindung = (Basis-Emitter-Bereich*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*Thermische Gleichgewichtskonzentration)/Sättigungsstrom

Sättigungsstrom

Gehen Sättigungsstrom = (Basis-Emitter-Bereich*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*Thermische Gleichgewichtskonzentration)/Breite der Basisverbindung

Differenzspannung im Verstärker

Gehen Differenzielles Eingangssignal = Ausgangsspannung/((Widerstand 4/Widerstand 3)*(1+(Widerstand 2)/Widerstand 1))

Ausgangsspannung für Instrumentenverstärker

Gehen Ausgangsspannung = (Widerstand 4/Widerstand 3)*(1+(Widerstand 2)/Widerstand 1)*Differenzielles Eingangssignal

Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand

Gehen Spannungsverstärkung = Gemeinsame Basisstromverstärkung*((1/(1/Lastwiderstand+1/Sammlerwiderstand))/Emitterwiderstand)

Lastleistung des Verstärkers

Gehen Ladeleistung = (Positive Gleichspannung*Positiver Gleichstrom)+(Negative Gleichspannung*Negativer Gleichstrom)

Eingangsspannung des Verstärkers

Gehen Eingangsspannung = (Eingangswiderstand/(Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Signalspannung

Signalspannung des Verstärkers

Gehen Signalspannung = Eingangsspannung*((Eingangswiderstand+Signalwiderstand)/Eingangswiderstand)

Differenzverstärkung des Instrumentenverstärkers

Gehen Differenzmodusverstärkung = (Widerstand 4/Widerstand 3)*(1+(Widerstand 2)/Widerstand 1)

Ausgangsspannungsverstärkung bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Ausgangsspannungsverstärkung = -(Lastwiderstand/(1/Transkonduktanz+Serienwiderstand))

Lastwiderstand in Bezug auf Transkonduktanz

Gehen Lastwiderstand = -(Ausgangsspannungsverstärkung*(1/Transkonduktanz+Serienwiderstand))

Leerlauf-Transwiderstand

Gehen Transwiderstand im offenen Schaltkreis = Ausgangsspannung/Eingangsstrom

Leistungseffizienz des Verstärkers

Gehen Prozentsatz der Energieeffizienz = 100*(Ladeleistung/Eingangsleistung)

Stromverstärkung des Verstärkers in Dezibel

Gehen Aktueller Gewinn in Dezibel = 20*(log10(Aktueller Gewinn))

Spannungsverstärkung des Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung = Ausgangsspannung/Eingangsspannung

Ausgangsspannung des Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

Stromverstärkung des Verstärkers

Gehen Aktueller Gewinn = Ausgangsstrom/Eingangsstrom

Eingangsspannung bei maximaler Verlustleistung

Gehen Eingangsspannung = (Spitzenspannung*pi)/2

Spitzenspannung bei maximaler Verlustleistung

Gehen Spitzenspannung = (2*Eingangsspannung)/pi

Leistungsgewinn des Verstärkers

Gehen Kraftgewinn = Ladeleistung/Eingangsleistung

Leerlaufzeitkonstante des Verstärkers

Gehen Zeitkonstante des offenen Stromkreises = 1/Polfrequenz

Sättigungsstrom Formel

Sättigungsstrom = (Basis-Emitter-Bereich*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*Thermische Gleichgewichtskonzentration)/Breite der Basisverbindung
i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b

Warum berechnen wir den Sättigungsstrom im Transistor?

Die Berechnung des Sättigungsstroms in Transistoren ist entscheidend für das Verständnis ihres Verhaltens und ihrer Leistung. Der Sättigungsstrom ist der Strom, bei dem die Ausgangsspannung des Transistors nicht mehr durch den Eingangsstrom beeinflusst wird. Er stellt den maximalen Strom dar, den der Transistor verarbeiten kann, ohne seinen Ausgang stark zu verzerren.

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