Ток насыщения Калькулятор

✖Площадь базового эмиттера определяется как площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер в усилителе.ⓘ Базовая область излучателя [A_be]			+10% -10%
✖Диффузия электронов — это диффузионный ток — ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).ⓘ Электронная диффузия [D_n]			+10% -10%
✖Тепловая равновесная концентрация определяется как концентрация носителей в усилителе.ⓘ Тепловая равновесная концентрация [n_po]			+10% -10%
✖Ширина базового перехода — это параметр, который показывает ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.ⓘ Ширина базового соединения [w_b]			+10% -10%

✖Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.ⓘ Ток насыщения [i_sat]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток насыщения

Формула

`"i"_{"sat"} = ("A"_{"be"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*"n"_{"po"})/"w"_{"b"}`

Пример

`"1.809517mA"=("0.12cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*"1e15/cm³")/"0.0085cm"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики усилителя Формулы PDF

Ток насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток насыщения = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ширина базового соединения
i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.
Базовая область излучателя - (Измеряется в Квадратный метр) - Площадь базового эмиттера определяется как площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер в усилителе.
Электронная диффузия - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Диффузия электронов — это диффузионный ток — ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).
Тепловая равновесная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Тепловая равновесная концентрация определяется как концентрация носителей в усилителе.
Ширина базового соединения - (Измеряется в метр) - Ширина базового перехода — это параметр, который показывает ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Базовая область излучателя: 0.12 Площадь Сантиметр --> 1.2E-05 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Электронная диффузия: 0.8 Квадратный сантиметр в секунду --> 8E-05 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Тепловая равновесная концентрация: 1E+15 1 на кубический сантиметр --> 1E+21 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Ширина базового соединения: 0.0085 сантиметр --> 8.5E-05 метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

i_sat = (A_be*[Charge-e]*D_n*n_po)/w_b --> (1.2E-05*[Charge-e]*8E-05*1E+21)/8.5E-05

Оценка ... ...

i_sat = 0.00180951712376471

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00180951712376471 Ампер -->1.80951712376471 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.80951712376471 ≈ 1.809517 Миллиампер <-- Ток насыщения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » Характеристики усилителя » Ток насыщения

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 21 Характеристики усилителя Калькуляторы

Ширина базового соединения усилителя

Идти Ширина базового соединения = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ток насыщения

Ток насыщения

Идти Ток насыщения = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ширина базового соединения

Мощность нагрузки усилителя

Идти Мощность нагрузки = (Положительное напряжение постоянного тока*Положительный постоянный ток)+(Отрицательное напряжение постоянного тока*Отрицательный постоянный ток)

Дифференциальное напряжение в усилителе

Идти Дифференциальный входной сигнал = Выходное напряжение/((Сопротивление 4/Сопротивление 3)*(1+(Сопротивление 2)/Сопротивление 1))

Выходное напряжение инструментального усилителя

Идти Выходное напряжение = (Сопротивление 4/Сопротивление 3)*(1+(Сопротивление 2)/Сопротивление 1)*Дифференциальный входной сигнал

Коэффициент усиления напряжения при заданном сопротивлении нагрузки

Идти Усиление напряжения = Коэффициент усиления по току с общей базой*((1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Сопротивление коллектора))/Сопротивление эмиттера)

Напряжение сигнала усилителя

Идти Напряжение сигнала = Входное напряжение*((Входное сопротивление+Сигнальное сопротивление)/Входное сопротивление)

Входное напряжение усилителя

Идти Входное напряжение = (Входное сопротивление/(Входное сопротивление+Сигнальное сопротивление))*Напряжение сигнала

Дифференциальное усиление инструментального усилителя

Идти Усиление дифференциального режима = (Сопротивление 4/Сопротивление 3)*(1+(Сопротивление 2)/Сопротивление 1)

Коэффициент усиления выходного напряжения с учетом крутизны

Идти Коэффициент усиления выходного напряжения = -(Сопротивление нагрузки/(1/Крутизна+Последовательный резистор))

Сопротивление нагрузки относительно крутизны

Идти Сопротивление нагрузки = -(Коэффициент усиления выходного напряжения*(1/Крутизна+Последовательный резистор))

Эффективность мощности усилителя

Идти Процент энергоэффективности = 100*(Мощность нагрузки/Входная мощность)

Трансопротивление холостого хода

Идти Транссопротивление разомкнутой цепи = Выходное напряжение/Входной ток

Текущее усиление усилителя в децибелах

Идти Текущее усиление в децибелах = 20*(log10(Текущее усиление) )

Выходное напряжение усилителя

Идти Выходное напряжение = Усиление напряжения*Входное напряжение

Усиление напряжения усилителя

Идти Усиление напряжения = Выходное напряжение/Входное напряжение

Коэффициент усиления мощности усилителя

Идти Прирост мощности = Мощность нагрузки/Входная мощность

Входное напряжение при максимальной рассеиваемой мощности

Идти Входное напряжение = (Пиковое напряжение*pi)/2

Пиковое напряжение при максимальной рассеиваемой мощности

Идти Пиковое напряжение = (2*Входное напряжение)/pi

Текущее усиление усилителя

Идти Текущее усиление = Выходной ток/Входной ток

Постоянная времени разомкнутой цепи усилителя

Идти Постоянная времени разомкнутой цепи = 1/Частота полюса

Ток насыщения формула

Почему мы рассчитываем ток насыщения в транзисторе?

Расчет тока насыщения транзисторов имеет решающее значение для понимания их поведения и производительности. Ток насыщения — это ток, при котором выходное напряжение транзистора больше не зависит от входного тока. Он представляет собой максимальный ток, который может выдержать транзистор без значительного искажения его выходного сигнала.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!