Концентрация дефекта Шоттки Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Количество дефектов Шоттки = Количество атомных сайтов*exp(-Энергия активации формации Шоттки/(2*Универсальная газовая постоянная*Температура))
NS = N*exp(-Qs/(2*R*T))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные
Используемые функции
exp - В показательной функции значение функции изменяется на постоянный коэффициент при каждом изменении единицы независимой переменной., exp(Number)
Используемые переменные
Количество дефектов Шоттки - Количество дефектов Шоттки представляет собой равновесное количество дефектов Шоттки на кубический метр.
Количество атомных сайтов - Количество атомных узлов на кубический метр.
Энергия активации формации Шоттки - (Измеряется в Джоуль) - Энергия активации для образования Шоттки представляет собой энергию, необходимую для образования дефекта Шоттки.
Универсальная газовая постоянная - Универсальная газовая постоянная - это физическая постоянная, которая появляется в уравнении, определяющем поведение газа в теоретически идеальных условиях. Его единица измерения - джоуль * кельвин-1 * моль-1.
Температура - (Измеряется в Кельвин) - Температура – это степень или интенсивность тепла, присутствующего в веществе или объекте.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Количество атомных сайтов: 8E+28 --> Конверсия не требуется
Энергия активации формации Шоттки: 2.6 Электрон-вольт --> 4.16566105800002E-19 Джоуль (Проверьте преобразование ​здесь)
Универсальная газовая постоянная: 8.314 --> Конверсия не требуется
Температура: 85 Кельвин --> 85 Кельвин Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
NS = N*exp(-Qs/(2*R*T)) --> 8E+28*exp(-4.16566105800002E-19/(2*8.314*85))
Оценка ... ...
NS = 8E+28
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
8E+28 --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
8E+28 <-- Количество дефектов Шоттки
(Расчет завершен через 00.007 секунд)

Кредиты

Creator Image
Офис Софтусвиста (Пуна), Индия
Команда Софтусвиста создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Химанши Шарма
Технологический институт Бхилаи (НЕМНОГО), Райпур
Химанши Шарма проверил этот калькулятор и еще 800+!

10+ Керамика и композиты Калькуляторы

Модуль Юнга композита в поперечном направлении
​ Идти Модуль Юнга в поперечном направлении = (Модуль Юнга матрицы в композите*Модуль Юнга волокна в композите)/(Объемная доля клетчатки*Модуль Юнга матрицы в композите+(1-Объемная доля клетчатки)*Модуль Юнга волокна в композите)
Продольная прочность прерывистого армированного волокнами композита
​ Идти Продольная прочность композита (прерывистого волокна) = Прочность на растяжение волокна*Объемная доля клетчатки*(1-(Критическая длина волокна/(2*Длина волокна)))+Напряжение в матрице*(1-Объемная доля клетчатки)
Продольная прочность прерывистого армированного волокнами композита (длина менее критической)
​ Идти Продольная прочность композита (прерывистое волокно менее lc) = (Объемная доля клетчатки*Длина волокна*Критическое напряжение сдвига/Диаметр волокна)+Напряжение в матрице*(1-Объемная доля клетчатки)
Модуль Юнга пористого материала
​ Идти Модуль Юнга пористого материала = Модуль Юнга непористого материала*(1-(0.019*Объемный процент пористости)+(0.00009*Объемный процент пористости*Объемный процент пористости))
Концентрация дефекта Шоттки
​ Идти Количество дефектов Шоттки = Количество атомных сайтов*exp(-Энергия активации формации Шоттки/(2*Универсальная газовая постоянная*Температура))
Модуль Юнга композита в продольном направлении
​ Идти Модуль Юнга композита в продольном направлении = Модуль Юнга матрицы в композите*(1-Объемная доля клетчатки)+Модуль Юнга волокна в композите*Объемная доля клетчатки
Продольная прочность композита
​ Идти Продольная прочность композита = Стресс в матрице*(1-Объемная доля клетчатки)+Предел прочности волокна*Объемная доля клетчатки
Процент ионного характера
​ Идти Процент ионного характера = 100*(1-exp(-0.25*(Электроотрицательность элемента А-Электроотрицательность элемента B)^2))
Критическая длина волокна
​ Идти Критическая длина волокна = Предел прочности волокна*Диаметр волокна/(2*Критическое напряжение сдвига)
Модуль Юнга от модуля сдвига
​ Идти Модуль для младших = 2*Модуль сдвига*(1+Коэффициент Пуассона)

Концентрация дефекта Шоттки формула

Количество дефектов Шоттки = Количество атомных сайтов*exp(-Энергия активации формации Шоттки/(2*Универсальная газовая постоянная*Температура))
NS = N*exp(-Qs/(2*R*T))

Дефекты Шоттки

Можно думать, что дефекты Шоттки создаются путем удаления одного катиона и одного аниона из внутренней части кристалла, а затем размещения их обоих на внешней поверхности. Поскольку и катионы, и анионы имеют одинаковый заряд и поскольку для каждой анионной вакансии существует катионная вакансия, зарядовая нейтральность кристалла сохраняется.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!