Общее время зарядки Калькулятор

✖Время зарядки эмиттера определяется как дрейф в движении заряженных частиц, вызванный полем: когда вы смещаете эмиттерный переход вперед, вы получаете большую диффузию.ⓘ Время зарядки эмиттера [τ_e]			+10% -10%
✖Время зарядки коллектора — это время, необходимое для вытеснения неосновных носителей в базовой области биполярного транзистора из области коллектора после выключения транзистора.ⓘ Время зарядки коллектора [τ_c]			+10% -10%

✖Общее время зарядки в BJT — это время, в течение которого токи эмиттера и коллектора достигают значительной части своих конечных значений при активации транзистора.ⓘ Общее время зарядки [τ_ct]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Общее время зарядки

Формула

`"τ"_{"ct"} = "τ"_{"e"}+"τ"_{"c"}`

Пример

`"5279.4μs"="5273μs"+"6.4μs"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ-микроволновые устройства Формулы PDF PDF Image

Общее время зарядки Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Общее время зарядки = Время зарядки эмиттера+Время зарядки коллектора
τ_ct = τ_e+τ_c
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Общее время зарядки - (Измеряется в Второй) - Общее время зарядки в BJT — это время, в течение которого токи эмиттера и коллектора достигают значительной части своих конечных значений при активации транзистора.
Время зарядки эмиттера - (Измеряется в Второй) - Время зарядки эмиттера определяется как дрейф в движении заряженных частиц, вызванный полем: когда вы смещаете эмиттерный переход вперед, вы получаете большую диффузию.
Время зарядки коллектора - (Измеряется в Второй) - Время зарядки коллектора — это время, необходимое для вытеснения неосновных носителей в базовой области биполярного транзистора из области коллектора после выключения транзистора.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Время зарядки эмиттера: 5273 микросекунда --> 0.005273 Второй (Проверьте преобразование здесь)
Время зарядки коллектора: 6.4 микросекунда --> 6.4E-06 Второй (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

τ_ct = τ_e+τ_c --> 0.005273+6.4E-06

Оценка ... ...

τ_ct = 0.0052794

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0052794 Второй -->5279.4 микросекунда (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5279.4 микросекунда <-- Общее время зарядки

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Теория СВЧ » Микроволновые полупроводниковые приборы » БЮТ-микроволновые устройства » Общее время зарядки

Кредиты

Сделано Гаутаман Н

Технологический институт Веллора (Университет ВИТ), Ченнаи

Гаутаман Н создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Ритвик Трипати

Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор

Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

< 15 БЮТ-микроволновые устройства Калькуляторы

Максимальная частота колебаний

Идти Максимальная частота колебаний = sqrt(Частота усиления короткого замыкания с общим эмиттером/(8*pi*Базовое сопротивление*Базовая емкость коллектора))

Время задержки базового коллектора

Идти Время задержки коллектора базы = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)

Время зарядки базы излучателя

Идти Время зарядки эмиттера = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки)

Время зарядки коллектора

Идти Время зарядки коллектора = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)

Базовое время в пути

Идти Базовое время доставки = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Время зарядки эмиттера)

Время задержки между эмиттером и коллектором

Идти Время задержки эмиттера-коллектора = Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера

Базовая емкость коллектора

Идти Базовая емкость коллектора = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовое сопротивление)

Базовое сопротивление

Идти Базовое сопротивление = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовая емкость коллектора)

Фактор лавинного умножения

Идти Фактор лавинного умножения = 1/(1-(Приложенное напряжение/Лавинное напряжение пробоя)^Допинговый числовой коэффициент)

Скорость дрейфа насыщения

Идти Скорость насыщенного дрейфа в BJT = Расстояние от эмиттера до коллектора/Среднее время прохождения эмиттера к коллектору

Расстояние от эмиттера до коллектора

Идти Расстояние от эмиттера до коллектора = Максимальное приложенное напряжение в BJT/Максимальное электрическое поле в BJT

Общее время в пути

Идти Общее время в пути = Базовое время доставки+Область истощения коллектора

Общее время зарядки

Идти Общее время зарядки = Время зарядки эмиттера+Время зарядки коллектора

Частота среза микроволновой печи

Идти Частота среза в BJT = 1/(2*pi*Время задержки эмиттера-коллектора)

Дырочный ток эмиттера

Идти Дырочный ток эмиттера = Базовый ток+Коллекторный ток

Общее время зарядки формула

Общее время зарядки = Время зарядки эмиттера+Время зарядки коллектора
τ_ct = τ_e+τ_c

Как вы можете объяснить концепцию общего времени зарядки в BJT?

Общее время зарядки в BJT представляет собой сумму времени зарядки эмиттера и времени зарядки коллектора. Он представляет собой продолжительность, в течение которой токи эмиттера и коллектора достигают значительных долей своих конечных значений во время активации транзистора, что имеет решающее значение для понимания динамического поведения транзистора.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!