Gesamtladezeit Taschenrechner

✖Die Ladezeit des Emitters ist definiert als die durch ein Feld induzierte Drift in der Bewegung der geladenen Teilchen. Wenn man den Emitterübergang in Vorwärtsrichtung vorspannt, erhält man eine große Diffusion.ⓘ Ladezeit des Emitters [τ_e]			+10% -10%
✖Unter Kollektorladezeit versteht man die Zeit, die die Minoritätsträger im Basisbereich eines BJT benötigen, um nach dem Ausschalten des Transistors aus dem Kollektorbereich herausgespült zu werden.ⓘ Ladezeit des Kollektors [τ_c]			+10% -10%

✖Die Gesamtladezeit in einem BJT ist die Zeit, die Emitter- und Kollektorströme benötigen, um bei Aktivierung des Transistors einen wesentlichen Teil ihrer Endwerte zu erreichen.ⓘ Gesamtladezeit [τ_ct]

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Formel

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Gesamtladezeit

Formel

`"τ"_{"ct"} = "τ"_{"e"}+"τ"_{"c"}`

Beispiel

`"5279.4μs"="5273μs"+"6.4μs"`

Taschenrechner

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Gesamtladezeit Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gesamtladezeit = Ladezeit des Emitters+Ladezeit des Kollektors
τ_ct = τ_e+τ_c
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Gesamtladezeit - (Gemessen in Zweite) - Die Gesamtladezeit in einem BJT ist die Zeit, die Emitter- und Kollektorströme benötigen, um bei Aktivierung des Transistors einen wesentlichen Teil ihrer Endwerte zu erreichen.
Ladezeit des Emitters - (Gemessen in Zweite) - Die Ladezeit des Emitters ist definiert als die durch ein Feld induzierte Drift in der Bewegung der geladenen Teilchen. Wenn man den Emitterübergang in Vorwärtsrichtung vorspannt, erhält man eine große Diffusion.
Ladezeit des Kollektors - (Gemessen in Zweite) - Unter Kollektorladezeit versteht man die Zeit, die die Minoritätsträger im Basisbereich eines BJT benötigen, um nach dem Ausschalten des Transistors aus dem Kollektorbereich herausgespült zu werden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Ladezeit des Emitters: 5273 Mikrosekunde --> 0.005273 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Ladezeit des Kollektors: 6.4 Mikrosekunde --> 6.4E-06 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

τ_ct = τ_e+τ_c --> 0.005273+6.4E-06

Auswerten ... ...

τ_ct = 0.0052794

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0052794 Zweite -->5279.4 Mikrosekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5279.4 Mikrosekunde <-- Gesamtladezeit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Gowthaman N

Vellore Institut für Technologie (VIT-Universität), Chennai

Gowthaman N hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 BJT-Mikrowellengeräte Taschenrechner

Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = sqrt(Gemeinsame Emitter-Kurzschlussverstärkungsfrequenz/(8*pi*Basiswiderstand*Kollektorbasiskapazität))

Base-Collector-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Basiskollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Ladezeit der Emitterbasis

Gehen Ladezeit des Emitters = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit)

Ladezeit des Kollektors

Gehen Ladezeit des Kollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Basis-Transitzeit

Gehen Basislaufzeit = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Ladezeit des Emitters)

Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors = Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters

Kollektor-Basiskapazität

Gehen Kollektorbasiskapazität = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Basiswiderstand)

Basiswiderstand

Gehen Basiswiderstand = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Kollektorbasiskapazität)

Sättigungsdriftgeschwindigkeit

Gehen Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT = Abstand zwischen Emitter und Kollektor/Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor

Lawinenmultiplikationsfaktor

Gehen Lawinenmultiplikationsfaktor = 1/(1-(Angelegte Spannung/Lawinendurchbruchspannung)^Numerischer Dopingfaktor)

Emitter-Kollektor-Abstand

Gehen Abstand zwischen Emitter und Kollektor = Maximale angelegte Spannung in BJT/Maximales elektrisches Feld in BJT

Grenzfrequenz der Mikrowelle

Gehen Grenzfrequenz in BJT = 1/(2*pi*Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors)

Gesamtladezeit

Gehen Gesamtladezeit = Ladezeit des Emitters+Ladezeit des Kollektors

Gesamtlaufzeit

Gehen Gesamtlaufzeit = Basislaufzeit+Collector-Depletion-Region

Lochstrom des Emitters

Gehen Lochstrom des Emitters = Basisstrom+Kollektorstrom

Gesamtladezeit Formel

Gesamtladezeit = Ladezeit des Emitters+Ladezeit des Kollektors
τ_ct = τ_e+τ_c

Wie lässt sich das Konzept der Gesamtladezeit in einem BJT erklären?

Die Gesamtladezeit in einem BJT ist die Summe der Emitter-Ladezeit und der Kollektor-Ladezeit. Sie stellt die Dauer dar, die Emitter- und Kollektorströme benötigen, um sich während der Transistoraktivierung signifikanten Bruchteilen ihrer Endwerte anzunähern, was für das Verständnis des dynamischen Verhaltens des Transistors von entscheidender Bedeutung ist.

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