XOR Напряжение И-НЕ-ворот Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
XOR Напряжение Nand Gate = (Емкость 2*Базовое напряжение коллектора)/(Емкость 1+Емкость 2)
Vx = (Cy*Vbc)/(Cx+Cy)
В этой формуле используются 4 Переменные
Используемые переменные
XOR Напряжение Nand Gate - (Измеряется в вольт) - Напряжение XOR Nand Gate — это напряжение в направлении x в вентиле NAND.
Емкость 2 - (Измеряется в фарада) - Емкость 2 выражается как отношение электрического заряда на каждом проводнике к разности потенциалов (т. е. напряжению) между ними.
Базовое напряжение коллектора - (Измеряется в вольт) - Напряжение базового коллектора является важнейшим параметром смещения транзистора. Это относится к разнице напряжений между базовыми и коллекторными выводами транзистора, когда он находится в активном состоянии.
Емкость 1 - (Измеряется в фарада) - Емкость 1 выражается как отношение электрического заряда на каждом проводнике к разности потенциалов (т. е. напряжения) между ними.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Емкость 2: 3.1 Миллифарад --> 0.0031 фарада (Проверьте преобразование ​здесь)
Базовое напряжение коллектора: 2.02 вольт --> 2.02 вольт Конверсия не требуется
Емкость 1: 4 Миллифарад --> 0.004 фарада (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vx = (Cy*Vbc)/(Cx+Cy) --> (0.0031*2.02)/(0.004+0.0031)
Оценка ... ...
Vx = 0.881971830985915
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.881971830985915 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.881971830985915 0.881972 вольт <-- XOR Напряжение Nand Gate
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Аншика Арья
Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур
Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

17 Временные характеристики КМОП Калькуляторы

XOR Напряжение И-НЕ-ворот
​ Идти XOR Напряжение Nand Gate = (Емкость 2*Базовое напряжение коллектора)/(Емкость 1+Емкость 2)
Время апертуры для возрастающего входного сигнала
​ Идти Время апертуры для возрастающего входного сигнала = Время настройки при высокой логике+Время удержания при низкой логике
Логика удержания времени при низком уровне
​ Идти Время удержания при низкой логике = Время апертуры для возрастающего входного сигнала-Время настройки при высокой логике
Время настройки в High Logic
​ Идти Время настройки при высокой логике = Время апертуры для возрастающего входного сигнала-Время удержания при низкой логике
Время диафрагмы для падающего входного сигнала
​ Идти Время диафрагмы для падающего входного сигнала = Время настройки при низкой логике+Удержание времени при высокой логике
Логика удержания времени на высоком уровне
​ Идти Удержание времени при высокой логике = Время диафрагмы для падающего входного сигнала-Время настройки при низкой логике
Время настройки при низкой логике
​ Идти Время настройки при низкой логике = Время диафрагмы для падающего входного сигнала-Удержание времени при высокой логике
Напряжение фазового детектора XOR
​ Идти Напряжение фазового детектора XOR = Фазовый детектор XOR*Среднее напряжение фазового детектора XOR
Фазовый детектор XOR
​ Идти Фазовый детектор XOR = Напряжение фазового детектора XOR/Среднее напряжение фазового детектора XOR
Фаза XOR Фаза детектора относительно тока детектора
​ Идти Фазовый детектор XOR = Ток фазового детектора XOR/Среднее напряжение фазового детектора XOR
Среднее напряжение фазового детектора
​ Идти Среднее напряжение фазового детектора XOR = Ток фазового детектора XOR/Фазовый детектор XOR
Ток фазового детектора XOR
​ Идти Ток фазового детектора XOR = Фазовый детектор XOR*Среднее напряжение фазового детектора XOR
Напряжение смещения слабого сигнала
​ Идти Напряжение смещения малого сигнала = Начальное напряжение узла-Метастабильное напряжение
Начальное напряжение узла А
​ Идти Начальное напряжение узла = Метастабильное напряжение+Напряжение смещения малого сигнала
Метастабильное напряжение
​ Идти Метастабильное напряжение = Начальное напряжение узла-Напряжение смещения малого сигнала
Вероятность отказа синхронизатора
​ Идти Вероятность отказа синхронизатора = 1/Приемлемое среднее время безотказной работы
Допустимая наработка на отказ
​ Идти Приемлемое среднее время безотказной работы = 1/Вероятность отказа синхронизатора

XOR Напряжение И-НЕ-ворот формула

XOR Напряжение Nand Gate = (Емкость 2*Базовое напряжение коллектора)/(Емкость 1+Емкость 2)
Vx = (Cy*Vbc)/(Cx+Cy)

Объясните последствия разделения заряда.

Динамические ворота подвержены проблемам с разделением заряда. Распределение заряда наиболее серьезно, когда выход слабо загружен, а внутренняя емкость велика. Например, динамические вентили NAND с 4 входами и сложные вентили AOI могут распределять заряд между несколькими узлами. Если шум распределения заряда мал, хранитель в конечном итоге восстановит динамический выходной сигнал на VDD. Однако, если шум разделения заряда велик, выход может перевернуться и отключить кипер, что приведет к неверным результатам.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!