Porte NAND de tension XOR Calculatrice

✖La capacité 2 est exprimée comme le rapport entre la charge électrique de chaque conducteur et la différence de potentiel (c'est-à-dire la tension) entre eux.ⓘ Capacité 2 [C_y]			+10% -10%
✖La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu'il est dans son état actif.ⓘ Tension du collecteur de base [V_bc]			+10% -10%
✖La capacité 1 est exprimée comme le rapport entre la charge électrique de chaque conducteur et la différence de potentiel (c'est-à-dire la tension) entre eux.ⓘ Capacité 1 [C_x]			+10% -10%

✖XOR Tension Nand Gate est la tension dans la direction X dans la porte NAND.ⓘ Porte NAND de tension XOR [V_x]

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Formule

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Porte NAND de tension XOR

Formule

V x = \frac{C y \cdot V bc}{C x + C y}

Exemple

0.881972 V = \frac{3.1 mF \cdot 2.02 V}{4 mF + 3.1 mF}

Calculatrice

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Porte NAND de tension XOR Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Porte NAND de tension XOR = (Capacité 2*Tension du collecteur de base)/(Capacité 1+Capacité 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Porte NAND de tension XOR - (Mesuré en Volt) - XOR Tension Nand Gate est la tension dans la direction X dans la porte NAND.
Capacité 2 - (Mesuré en Farad) - La capacité 2 est exprimée comme le rapport entre la charge électrique de chaque conducteur et la différence de potentiel (c'est-à-dire la tension) entre eux.
Tension du collecteur de base - (Mesuré en Volt) - La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu'il est dans son état actif.
Capacité 1 - (Mesuré en Farad) - La capacité 1 est exprimée comme le rapport entre la charge électrique de chaque conducteur et la différence de potentiel (c'est-à-dire la tension) entre eux.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité 2: 3.1 Millifarad --> 0.0031 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Tension du collecteur de base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Aucune conversion requise
Capacité 1: 4 Millifarad --> 0.004 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y) --> (0.0031*2.02)/(0.004+0.0031)

Évaluer ... ...

V_x = 0.881971830985915

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.881971830985915 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.881971830985915 ≈ 0.881972 Volt <-- Porte NAND de tension XOR

(Calcul effectué en 00.015 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

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Temps d'ouverture pour une entrée descendante

Aller Temps d'ouverture pour une entrée descendante = Temps de configuration à logique basse+Temps de maintien à logique élevée

Temps de configuration à basse logique

Aller Temps de configuration à logique basse = Temps d'ouverture pour une entrée descendante-Temps de maintien à logique élevée

Temps d'ouverture pour une entrée croissante

Aller Temps d'ouverture pour une entrée croissante = Temps de configuration à logique élevée+Temps de maintien à logique basse

Temps de configuration à logique haute

Aller Temps de configuration à logique élevée = Temps d'ouverture pour une entrée croissante-Temps de maintien à logique basse

Porte NAND de tension XOR Formule

Porte NAND de tension XOR = (Capacité 2*Tension du collecteur de base)/(Capacité 1+Capacité 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)

Expliquez les conséquences du partage des charges.

Les portes dynamiques sont sujettes à des problèmes de partage des charges. Le partage de charge est le plus sérieux lorsque la sortie est légèrement chargée et que la capacité interne est grande. Par exemple, les portes NAND dynamiques à 4 entrées et les portes AOI complexes peuvent partager la charge entre plusieurs nœuds. Si le bruit de partage de charge est faible, le gardien restaurera éventuellement la sortie dynamique sur VDD. Cependant, si le bruit de partage de charge est important, la sortie peut basculer et éteindre le gardien, entraînant des résultats incorrects.

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