Basisstrom 1 von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
IB = Ic/β
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Basisstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung - Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kollektorstrom: 5 Milliampere --> 0.005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Gemeinsame Emitterstromverstärkung: 65 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
IB = Ic/β --> 0.005/65
Auswerten ... ...
IB = 7.69230769230769E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
7.69230769230769E-05 Ampere -->0.0769230769230769 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0769230769230769 0.076923 Milliampere <-- Basisstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

14 Basisstrom Taschenrechner

Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC
​ Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)
Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration
​ Gehen Sättigungsstrom = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base)
Kurzschlussstromverstärkung von BJT
​ Gehen Kurzschlussstromverstärkung = (Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz)/(1+Komplexe Frequenzvariable*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)*Eingangswiderstand)
Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter
​ Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)
Basisstrom 2 von BJT
​ Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))
Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms
​ Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Referenzstrom des BJT-Spiegels
​ Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Referenzstrom des BJT-Stromspiegels
​ Gehen Referenzstrom = (Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Widerstand
Referenzstrom des BJT-Spiegels bei gegebenem Kollektorstrom
​ Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom*(1+2/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)
Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom
​ Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom
​ Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Basisstrom 1 von BJT
​ Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain
​ Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom
Gesamtbasisstrom
​ Gehen Basisstrom = Basisstrom 1+Basisstrom 2

Basisstrom 1 von BJT Formel

Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
IB = Ic/β

Was sind die Komponenten des Basisstroms?

Der Basisstrom 1 ist auf die Löcher zurückzuführen, die vom Basisbereich in den Emitterbereich injiziert werden. Diese Stromkomponente ist proportional zu e ^ V.

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