Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.ⓘ Steilheit [G_m]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist das Verhältnis der Breite des Kanals zur Länge des Kanals.ⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%
✖Als Effektivspannung oder Übersteuerungsspannung wird ein Überschuss der Spannung am Oxid über der thermischen Spannung bezeichnet.ⓘ Effektive Spannung [V_ov]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die benötigt wird, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu schaffen.ⓘ Grenzspannung [V_th]			+10% -10%
✖Der Geräteparameter ist der Parameter, der bei der Berechnung von BJT verwendet wird.ⓘ Geräteparameter [V_A]			+10% -10%
✖Die Spannung zwischen Drain und Source wird als positive Spannung zwischen Drain und Source angelegt, wodurch ein Kanal induziert wird.ⓘ Spannung zwischen Drain und Source [V_DS]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-zu-Source-Spannung.ⓘ Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter [I_d]

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Formel

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Formel

`"I"_{"d"} = 1/2*"G"_{"m"}*"WL"*("V"_{"ov"}-"V"_{"th"})^2*(1+"V"_{"A"}*"V"_{"DS"})`

Beispiel

`"3366.129mA"=1/2*"1.72mS"*"8.75"*("25V"-"5.50V")^2*(1+"0.024"*"7.35V")`

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SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)
Diese formel verwendet 7 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-zu-Source-Spannung.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist das Verhältnis der Breite des Kanals zur Länge des Kanals.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Als Effektivspannung oder Übersteuerungsspannung wird ein Überschuss der Spannung am Oxid über der thermischen Spannung bezeichnet.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die benötigt wird, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu schaffen.
Geräteparameter - Der Geräteparameter ist der Parameter, der bei der Berechnung von BJT verwendet wird.
Spannung zwischen Drain und Source - (Gemessen in Volt) - Die Spannung zwischen Drain und Source wird als positive Spannung zwischen Drain und Source angelegt, wodurch ein Kanal induziert wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Seitenverhältnis: 8.75 --> Keine Konvertierung erforderlich
Effektive Spannung: 25 Volt --> 25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Geräteparameter: 0.024 --> Keine Konvertierung erforderlich
Spannung zwischen Drain und Source: 7.35 Volt --> 7.35 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS) --> 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35)

Auswerten ... ...

I_d = 3.3661289025

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.3661289025 Ampere -->3366.1289025 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3366.1289025 ≈ 3366.129 Milliampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 Basisstrom Taschenrechner

Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration

Gehen Sättigungsstrom = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base)

Kurzschlussstromverstärkung von BJT

Gehen Kurzschlussstromverstärkung = (Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz)/(1+Komplexe Frequenzvariable*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)*Eingangswiderstand)

Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)

Basisstrom 2 von BJT

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Referenzstrom des BJT-Stromspiegels

Gehen Referenzstrom = (Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Widerstand

Referenzstrom des BJT-Spiegels bei gegebenem Kollektorstrom

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom*(1+2/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom 1 von BJT

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Gesamtbasisstrom

Gehen Basisstrom = Basisstrom 1+Basisstrom 2

Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter Formel

Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit Vgs. Der Kehrwert der Steigung der logarithmischen (Ids) gegenüber der Vgs-Charakteristik wird als die Unterschwellensteigung S definiert und ist eine der kritischsten Leistungsmetriken für MOSFETs in logischen Anwendungen.

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