Basisstrom 2 von BJT Taschenrechner

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [I_sat]			+10% -10%
✖Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.ⓘ Gemeinsame Emitterstromverstärkung [β]			+10% -10%
✖Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.ⓘ Basis-Emitter-Spannung [V_BE]			+10% -10%
✖Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.ⓘ Thermische Spannung [V_t]			+10% -10%

✖Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.ⓘ Basisstrom 2 von BJT [I_B]

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Formel

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Basisstrom 2 von BJT

Formel

`"I"_{"B"} = ("I"_{"sat"}/"β")*(e^("V"_{"BE"}/"V"_{"t"}))`

Beispiel

`"0.077086mA"=("1.675mA"/"65")*(e^("5.15V"/"4.7V"))`

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Basisstrom 2 von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))
I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t))
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249

Verwendete Variablen

Basisstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung - Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird durch zwei Faktoren beeinflusst: Breite des Basisbereichs W und relative Dotierungen des Basisbereichs und des Emitterbereichs. Seine Reichweite variiert von 50-200.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Sättigungsstrom: 1.675 Milliampere --> 0.001675 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gemeinsame Emitterstromverstärkung: 65 --> Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t)) --> (0.001675/65)*(e^(5.15/4.7))

Auswerten ... ...

I_B = 7.70863217186262E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7.70863217186262E-05 Ampere -->0.0770863217186262 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0770863217186262 ≈ 0.077086 Milliampere <-- Basisstrom

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 Basisstrom Taschenrechner

Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration

Gehen Sättigungsstrom = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base)

Kurzschlussstromverstärkung von BJT

Gehen Kurzschlussstromverstärkung = (Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz)/(1+Komplexe Frequenzvariable*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)*Eingangswiderstand)

Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)

Basisstrom 2 von BJT

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Referenzstrom des BJT-Stromspiegels

Gehen Referenzstrom = (Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Widerstand

Referenzstrom des BJT-Spiegels bei gegebenem Kollektorstrom

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom*(1+2/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom 1 von BJT

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Gesamtbasisstrom

Gehen Basisstrom = Basisstrom 1+Basisstrom 2

Basisstrom 2 von BJT Formel

Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))
I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t))

Was sind die Komponenten des Basisstroms?

Der Basisstrom 2 ist auf die Löcher zurückzuführen, die vom Basisbereich in den Emitterbereich injiziert werden. Diese Stromkomponente ist proportional zu e ^ V.

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