Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang Taschenrechner

✖Hochfrequenzkonstante bezieht sich auf einen festen Widerstandswert, der zur Definition der Eingangsimpedanz des Verstärkers verwendet wird.ⓘ Hochfrequenzkonstante [h_fc]			+10% -10%
✖Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Übergangsdiode eines Transistors.ⓘ Emitterwiderstand [R_e]			+10% -10%

✖Der Basiswiderstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis.ⓘ Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang [R_b]

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Formel

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Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang

Formel

`"R"_{"b"} = "h"_{"fc"}*"R"_{"e"}`

Beispiel

`"1.13163kΩ"="16.89"*"0.067kΩ"`

Taschenrechner

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Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
R_b = h_fc*R_e
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Basiswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Basiswiderstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis.
Hochfrequenzkonstante - Hochfrequenzkonstante bezieht sich auf einen festen Widerstandswert, der zur Definition der Eingangsimpedanz des Verstärkers verwendet wird.
Emitterwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Emitterwiderstand ist ein dynamischer Widerstand der Emitter-Basis-Übergangsdiode eines Transistors.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Hochfrequenzkonstante: 16.89 --> Keine Konvertierung erforderlich
Emitterwiderstand: 0.067 Kiloohm --> 67 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_b = h_fc*R_e --> 16.89*67

Auswerten ... ...

R_b = 1131.63

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1131.63 Ohm -->1.13163 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.13163 Kiloohm <-- Basiswiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Ausgangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)

Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Sättigungsstrom des Emitterfolgers

Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Eingangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)

Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors

Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand

Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang

Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand

Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers

Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante

Eingangswiderstand des Transistorverstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom

Eingangsspannung des Emitterfolgers

Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

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Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf

Gehen Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1

Ausgangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)

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Gehen Abflusswiderstand = (Ausgangsspannungsverstärkung/(MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand))

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Gehen Ausgangsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand

Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Sättigungsstrom des Emitterfolgers

Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

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Gehen Negative Spannungsverstärkung = -(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde)

Eingangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)

Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors

Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand

Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang

Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand

Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers

Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante

Eingangswiderstand des Transistorverstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom

Eingangsspannung des Emitterfolgers

Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang Formel

Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
R_b = h_fc*R_e

Was ist mit Emitterfolger gemeint?

Ein Emitterfolger, eine Art Transistorschaltung, dient als Puffer zwischen Eingang und Ausgang, hält die gleiche Spannung aufrecht, bietet aber eine höhere Strombelastbarkeit und sorgt so für Impedanzanpassung und Signalisolierung in elektronischen Schaltkreisen.

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