Änderung des Widerstands Taschenrechner

✖Die Änderung der Strahlung ist definiert als der Strahlungsfluss (Leistung), der von einer Oberfläche pro Flächeneinheit empfangen wird.ⓘ Änderung der Bestrahlung [ΔH]			+10% -10%
✖Die Empfindlichkeit eines fotoresistiven Wandlers wird als die Mindestenergie definiert, die erforderlich ist, um im Fotoresist auf dem Substrat ein klar definiertes Merkmal zu erzeugen.ⓘ Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers [ΔS]			+10% -10%

✖Die Widerstandsänderung wird als die Differenz zwischen dem Anfangswiderstand und dem Endwiderstand definiert.ⓘ Änderung des Widerstands [ΔR]

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Formel

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Änderung des Widerstands

Formel

`"ΔR" = "ΔH"/"ΔS"`

Beispiel

`"12.67368Ω"="301W/m²"/"23.75"`

Taschenrechner

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Änderung des Widerstands Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Änderung des Widerstands = Änderung der Bestrahlung/Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers
ΔR = ΔH/ΔS
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Änderung des Widerstands - (Gemessen in Ohm) - Die Widerstandsänderung wird als die Differenz zwischen dem Anfangswiderstand und dem Endwiderstand definiert.
Änderung der Bestrahlung - (Gemessen in Watt pro Quadratmeter) - Die Änderung der Strahlung ist definiert als der Strahlungsfluss (Leistung), der von einer Oberfläche pro Flächeneinheit empfangen wird.
Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers - Die Empfindlichkeit eines fotoresistiven Wandlers wird als die Mindestenergie definiert, die erforderlich ist, um im Fotoresist auf dem Substrat ein klar definiertes Merkmal zu erzeugen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Änderung der Bestrahlung: 301 Watt pro Quadratmeter --> 301 Watt pro Quadratmeter Keine Konvertierung erforderlich
Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers: 23.75 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

ΔR = ΔH/ΔS --> 301/23.75

Auswerten ... ...

ΔR = 12.6736842105263

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

12.6736842105263 Ohm --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

12.6736842105263 ≈ 12.67368 Ohm <-- Änderung des Widerstands

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Kapazität des Verstärkers

Gehen Kapazität des Verstärkers = Aktuelle Generatorkapazität-(Kapazität des Wandlers+Kapazität des Kabels)

Kapazität des Wandlers

Gehen Kapazität des Wandlers = Aktuelle Generatorkapazität-(Kapazität des Verstärkers+Kapazität des Kabels)

Kapazität des Kabels

Gehen Kapazität des Kabels = Aktuelle Generatorkapazität-(Kapazität des Wandlers+Kapazität des Verstärkers)

Aktuelle Generatorkapazität

Gehen Aktuelle Generatorkapazität = Kapazität des Wandlers+Kapazität des Verstärkers+Kapazität des Kabels

Detektivität des Wandlers

Gehen Detektivität des Wandlers = Signal-Rausch-Verhältnis des Ausgangssignals/Eingangsverschiebungssignal

Größe des Ausgangssignals

Gehen Ausgangssignal des Wandlers = Signal-Rausch-Verhältnis des Ausgangssignals/Detektivität des Wandlers

RMS-Einfallsleistung des Detektors

Gehen RMS-Einfallsleistung des Detektors = Effektivwert der Spannung CD/Ansprechverhalten der Detektor-CD

RMS-Ausgangsspannungsdetektor

Gehen Effektiver Spannungsausgang = Reaktionsfähigkeit des Detektors*RMS-Einfallsleistung des Detektors

Bereich des Detektors

Gehen Querschnittsbereichstemperatur = Normalisierte Detektivarbeit^2/(Rauschäquivalent der Bandbreite)

Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers

Gehen Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers = Änderung des Widerstands/Änderung der Bestrahlung

Änderung der Einstrahlung

Gehen Änderung der Bestrahlung = Änderung des Widerstands*Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers

Änderung des Widerstands

Gehen Änderung des Widerstands = Änderung der Bestrahlung/Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers

Ansprechverhalten des Wandlers

Gehen Empfindlichkeit des Wandlers = Ausgangssignal des Wandlers/Eingangsverschiebungssignal

Ausgangssignal des Wandlers

Gehen Ausgangssignal des Wandlers = Eingangsverschiebungssignal*Empfindlichkeit des Wandlers

Eingangssignal des Wandlers

Gehen Eingangsverschiebungssignal = Ausgangssignal des Wandlers/Empfindlichkeit des Wandlers

Empfindlichkeit des Detektors

Gehen Reaktionsfähigkeit des Detektors = RMS-Spannung/RMS-Einfallsleistung des Detektors

Empfindlichkeit von LVDT

Gehen Empfindlichkeit des LVDT = Ausgangssignal des Wandlers/Eingangsverschiebungssignal

RMS-Rauschspannung der Zelle

Gehen RMS-Rauschspannung des Zellenausgangs = Reaktionsfähigkeit des Detektors*Detektiv

Detektivität

Gehen Detektiv Op = RMS-Rauschspannung der Zelle/Ansprechempfindlichkeit des Detektors

Normalisierte Detektivität

Gehen Normalisierte Detektivarbeit = (Bereich*Rauschäquivalente Bandbreite)^0.5

Rauschäquivalent der Bandbreite

Gehen Rauschäquivalente Bandbreite = Normalisierte Detektivarbeit^2/(Bereich)

Wirkungsgrad des Wandlers

Gehen Effizienz des Wandlers = Temperaturunterschied/Temperaturanstieg

Änderung des Widerstands Formel

Änderung des Widerstands = Änderung der Bestrahlung/Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers
ΔR = ΔH/ΔS

Was beeinflusst die Photoresisthaftung?

Diese Schälbildung wird hauptsächlich durch drei Faktoren verursacht: niedrige Adhäsionsenergie des Photoresists an Metall, Verformungsenergie des aus dem Stickstoffgas erzeugten Photoresists und Übertragung der Bestrahlungsenergie durch UV-Licht auf den Photoresistfilm.

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