Taschenrechner A bis Z

Taschenrechner Erstellt von Shobhit Dimri

Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
www.linkedin.com/in/shobhit-dimri
876
Formeln Erstellt
127
Formeln Verifiziert
133
Über Kategorien hinweg

Liste der Taschenrechner von Shobhit Dimri

Im Folgenden finden Sie eine kombinierte Liste aller Taschenrechner, die von Shobhit Dimri erstellt und überprüft wurden. Shobhit Dimri hat 876 erstellt und 127 -Rechner in 133 verschiedenen Kategorien bis heute überprüft.
2-Draht-System (3)
Verifiziert Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC 2-Draht OS)
Gehen
Verifiziert Leitungsverluste durch Volumen des Leitermaterials (DC 2-Draht OS)
Gehen
Verifiziert Maximale Spannung unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (DC-Zweidraht-Betriebssystem)
Gehen
2 Weitere 2-Draht-System Taschenrechner
Gehen
Aktuell (1)
Verifiziert Laststrom des Serien-DC-Generators bei gegebener Lastleistung
Gehen
4 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (3)
Verifiziert Laststrom unter Verwendung von Leitungsverlusten (Zweileiter, Mittelpunkt geerdet)
Gehen
Verifiziert Maximale Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert Maximale Spannung unter Verwendung von Leitungsverlusten (Zweileiter, Mittelpunkt geerdet)
Gehen
3 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (5)
Verifiziert Maximale Leistung mit Konstante (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert Maximale Leistung mit Laststrom (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert Maximale Spannung unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert Maximale Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert Maximale Spannung unter Verwendung von Leitungsverlusten (DC 3-Draht)
Gehen
3 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (1)
Verifiziert Laststrom (einphasiges Zweidraht-Betriebssystem)
Gehen
6 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (1)
Verifiziert Maximale Spannung (einphasig, zweiadrig, Mittelpunkt geerdet)
Gehen
7 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (1)
Verifiziert Laststrom (einphasiges Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
10 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (2)
Verifiziert Effektivspannung (1-phasig 2-Draht US)
Gehen
Verifiziert RMS-Spannung unter Verwendung des Laststroms (1-Phase 2-Draht US)
Gehen
15 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (1)
Verifiziert Maximale Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
Gehen
13 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (3)
Verifiziert Effektivspannung unter Verwendung des Laststroms (1 Phase 3 Leiter US)
Gehen
Verifiziert Maximale Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
Verifiziert RMS-Spannung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
7 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (1)
Verifiziert RMS-Spannung unter Verwendung des Laststroms (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
Gehen
7 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (2)
Verifiziert Laststrom des Neutralleiters (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert Maximale Spannung unter Verwendung des Laststroms (zweiphasiges dreiadriges Betriebssystem)
Gehen
10 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (2)
Verifiziert RMS-Spannung unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (3-Phasen-4-Draht-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert RMS-Spannung unter Verwendung des Laststroms (3-Phasen-4-Draht-Betriebssystem)
Gehen
5 Weitere Aktuell Taschenrechner
Gehen
Aktuell (4)
Erstellt Photoelektrische Empfindlichkeit
Gehen
Erstellt Photoelektrischer Strom
Gehen
Erstellt Strom bei vollständiger Ablesung
Gehen
Erstellt Verstärkung des Stromverstärkers
Gehen
Analoges VLSI-Design (16)
Erstellt Drain Voltage
Gehen
Erstellt Gate-Source-Kapazität
Gehen
Erstellt Gate-to-Collector-Potenzial
Gehen
Erstellt Gate-to-Drain-Kapazität
Gehen
Erstellt Gate-zu-Basis-Kapazität
Gehen
Erstellt Gate-zu-Kanal-Spannung
Gehen
Erstellt Geringer Rauschabstand
Gehen
Erstellt Hoher Rauschabstand
Gehen
Erstellt Maximal niedrige Eingangsspannung
Gehen
Erstellt Maximale niedrige Ausgangsspannung
Gehen
Erstellt Minimale hohe Ausgangsspannung
Gehen
Erstellt Minimale hohe Eingangsspannung
Gehen
Erstellt Potenzial von Drain zu Source
Gehen
Erstellt Potenzial zwischen Quelle und Körper
Gehen
Erstellt Tor zur Ableitung von Potenzial
Gehen
Erstellt Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gehen
Array-Datenpfad-Subsystem (19)
Erstellt Array-Effizienz
Gehen
Erstellt Bereich der Speicherzelle
Gehen
Erstellt Bitkapazität
Gehen
Erstellt Carry-Increamentor Adder Delay
Gehen
Erstellt Carry-Skip Adder Delay
Gehen
Erstellt Erdkapazität
Gehen
Erstellt K-Eingang 'Und' Gatter
Gehen
Erstellt Kritische Pfadverzögerung des Carry-Ripple-Addierers
Gehen
Erstellt Kritische Verzögerung bei Gates
Gehen
Erstellt Multiplexer-Verzögerung
Gehen
Erstellt N-Bit Carry-Skip-Addierer
Gehen
Erstellt N-Eingang 'Und' Gatter
Gehen
Erstellt Spannungsschwankung an der Bitleitung
Gehen
Erstellt Speicherbereich mit N Bits
Gehen
Erstellt Verzögerung der Baumaddierer
Gehen
Erstellt Verzögerung der Gruppenausbreitung
Gehen
Erstellt Verzögerung des Carry-Looker-Addierers
Gehen
Erstellt 'XOR'-Verzögerung
Gehen
Erstellt Zellkapazität
Gehen
Auflösungsparameter (10)
Erstellt Anzahl der Frames pro Sek
Gehen
Erstellt Anzahl der horizontalen Linien, die während des vertikalen Rücklaufs verloren gegangen sind
Gehen
Erstellt Anzahl der Zeilen im Rahmen
Gehen
Erstellt Breite des Rechteckbildes
Gehen
Erstellt Höhe des Rechteck-Bilderrahmens
Gehen
Erstellt Horizontale Auflösung
Gehen
Erstellt Kell-Faktor oder Auflösungsfaktor
Gehen
Erstellt Seitenverhältnis
Gehen
Erstellt Vertikale Auflösung (VR)
Gehen
Erstellt Vertikale Rücklaufzeit
Gehen
Ausbreitung von Funkwellen (9)
Erstellt Effektive Pfadlänge
Gehen
Erstellt Effektive Pfadlänge mit Reduktionsfaktor
Gehen
Erstellt Gesamtdämpfung
Gehen
Erstellt Höhe der Erdstation
Gehen
Erstellt Reduktionsfaktor unter Verwendung der Schräglänge
Gehen
Erstellt Regenhöhe
Gehen
Erstellt Regression von Knoten
Gehen
Erstellt Schräge Länge
Gehen
Erstellt Spezifische Dämpfung
Gehen
5 Weitere Ausbreitung von Funkwellen Taschenrechner
Gehen
Ausstehend (14)
Erstellt Anzahl der gemachten Revolutionen
Gehen
Erstellt Auf das Objekt einfallender Lichtstrom
Gehen
Erstellt Detektivität
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Beladung des Messgeräts
Gehen
Erstellt Durchschnittlicher monatlicher Lastfaktor
Gehen
Erstellt Feuchtigkeitsverhältnis
Gehen
Erstellt Gesättigte Luftfeuchtigkeit
Gehen
Erstellt Hohe Temperatur
Gehen
Erstellt Maximale Nachfrage
Gehen
Erstellt Reflexionsfaktor
Gehen
Erstellt RMS-Einfallsleistung des Detektors
Gehen
Erstellt Tatsächliche Luftfeuchtigkeit
Gehen
Erstellt Temperaturunterschied
Gehen
Erstellt Vom Objekt übertragener Lichtstrom
Gehen
Beziehung zwischen Koeffizienten (1)
Verifiziert Lastimpedanz mit übertragenen Koeffizienten
Gehen
9 Weitere Beziehung zwischen Koeffizienten Taschenrechner
Gehen
BJT-Mikrowellengeräte (11)
Erstellt Base-Collector-Verzögerungszeit
Gehen
Erstellt Basis-Transitzeit
Gehen
Erstellt Basiswiderstand
Gehen
Erstellt Emitter-Kollektor-Abstand
Gehen
Erstellt Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit
Gehen
Erstellt Grenzfrequenz der Mikrowelle
Gehen
Erstellt Kollektor-Basiskapazität
Gehen
Erstellt Ladezeit der Emitterbasis
Gehen
Erstellt Ladezeit des Kollektors
Gehen
Erstellt Maximale Schwingungsfrequenz
Gehen
Erstellt Sättigungsdriftgeschwindigkeit
Gehen
4 Weitere BJT-Mikrowellengeräte Taschenrechner
Gehen
CMOS-Designmerkmale (24)
Erstellt Aggressionstreiber
Gehen
Erstellt Aggressionszeitkonstante
Gehen
Erstellt Aggressorspannung
Gehen
Erstellt Änderung der Frequenzuhr
Gehen
Erstellt Angrenzende Kapazität
Gehen
Erstellt Ausgangstaktphase
Gehen
Erstellt Eingebautes Potenzial
Gehen
Erstellt Gesamtkapazität nach Stufe gesehen
Gehen
Erstellt Ground-to-Agression-Kapazität
Gehen
Erstellt Kapazität Offpath
Gehen
Erstellt Kapazität Onpath
Gehen
Erstellt Off-Path-Kapazität von CMOS
Gehen
Erstellt Opferfahrer
Gehen
Erstellt Opferspannung
Gehen
Erstellt Opferzeitkonstante
Gehen
Erstellt Sperrspannung
Gehen
Erstellt Statische Verlustleistung
Gehen
Erstellt Statischer Strom
Gehen
Erstellt Thermische Spannung von CMOS
Gehen
Erstellt VCO Single Gain Factor
Gehen
Erstellt VCO-Offsetspannung
Gehen
Erstellt VCO-Steuerspannung
Gehen
Erstellt Verzweigungsaufwand
Gehen
Erstellt Zeitkonstantes Verhältnis von Aggression zu Opfer
Gehen
CMOS-Leistungsmetriken (15)
Erstellt Aktivitätsfaktor
Gehen
Erstellt Ausgangsumschaltung bei Laststromverbrauch
Gehen
Erstellt Dynamische Leistung im CMOS
Gehen
Erstellt Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum
Gehen
Erstellt Gesamtenergie in CMOS
Gehen
Erstellt Gesamtleistung im CMOS
Gehen
Erstellt Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen
Gehen
Erstellt Kurzschlussstrom im CMOS
Gehen
Erstellt Leckagenergie im CMOS
Gehen
Erstellt Schalten von Energie im CMOS
Gehen
Erstellt Schaltleistung
Gehen
Erstellt Schaltleistung in CMOS
Gehen
Erstellt Statische Leistung im CMOS
Gehen
Erstellt Tore auf kritischem Pfad
Gehen
Erstellt Unterschwelliger Leckstrom durch AUS-Transistoren
Gehen
2 Weitere CMOS-Leistungsmetriken Taschenrechner
Gehen
CMOS-Spezialsubsystem (20)
Erstellt Änderung der Taktfrequenz
Gehen
Erstellt Änderung der Uhrphase
Gehen
Erstellt Ausgangstaktphase PLL
Gehen
Erstellt Bühnenaufwand
Gehen
Erstellt Eingangstakt Phase PLL
Gehen
Erstellt Elektrischer Aufwand des Wechselrichters 1
Gehen
Erstellt Elektrischer Aufwand des Wechselrichters 2
Gehen
Erstellt Fanout von Tor
Gehen
Erstellt Kapazität der externen Last
Gehen
Erstellt PLL-Phasendetektorfehler
Gehen
Erstellt Reihenwiderstand von Chip zu Gehäuse
Gehen
Erstellt Rückkopplungsuhr PLL
Gehen
Erstellt Serienwiderstand von Verpackung zu Luft
Gehen
Erstellt Stromverbrauch des Chips
Gehen
Erstellt Temperaturunterschied zwischen Transistoren
Gehen
Erstellt Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung
Gehen
Erstellt Torverzögerung
Gehen
Erstellt Übertragungsfunktion von PLL
Gehen
Erstellt Verzögerung für zwei Wechselrichter in Reihe
Gehen
Erstellt Wechselrichterleistung
Gehen
CMOS-Verzögerungseigenschaften (12)
Erstellt Abfallzeit
Gehen
Erstellt Anstieg verzögern
Gehen
Erstellt Aufstiegszeit
Gehen
Erstellt Ausbreitungsverzögerung
Gehen
Erstellt Edge-Rate
Gehen
Erstellt Kleine Abweichungsverzögerung
Gehen
Erstellt Laufzeitverzögerung ohne parasitäre Kapazität
Gehen
Erstellt Normalisierte Verzögerung
Gehen
Erstellt Spannungsgesteuerte Verzögerungsleitung
Gehen
Erstellt VCDL-Verstärkung
Gehen
Erstellt Verzögerung des UND-ODER-Gatters in der grauen Zelle
Gehen
Erstellt Verzögerung von 1-Bit-Propagate-Gates
Gehen
1 Weitere CMOS-Verzögerungseigenschaften Taschenrechner
Gehen
CMOS-Zeiteigenschaften (17)
Erstellt Akzeptables MTBF
Gehen
Erstellt Anfangsspannung von Knoten A
Gehen
Erstellt Blendenzeit für fallenden Eingang
Gehen
Erstellt Blendenzeit für steigenden Eingang
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Spannung des Phasendetektors
Gehen
Erstellt Haltezeit bei hoher Logik
Gehen
Erstellt Haltezeit bei niedriger Logik
Gehen
Erstellt Kleinsignal-Offsetspannung
Gehen
Erstellt Metastabile Spannung
Gehen
Erstellt Rüstzeit bei niedriger Logik
Gehen
Erstellt Setup-Zeit bei hoher Logik
Gehen
Erstellt Wahrscheinlichkeit eines Synchronisiererausfalls
Gehen
Erstellt XOR-Phase Detektorphase in Bezug auf den Detektorstrom
Gehen
Erstellt XOR-Phasendetektorphase
Gehen
Erstellt XOR-Phasendetektorspannung
Gehen
Erstellt XOR-Phasendetektorstrom
Gehen
Erstellt XOR-Spannungs-NAND-Gatter
Gehen
Cuk Regler (3)
Erstellt Arbeitszyklus für Cuk-Regler
Gehen
Erstellt Ausgangsspannung für Cuk-Regler
Gehen
Erstellt Eingangsspannung für Cuk-Regler
Gehen
Datenanalyse (15)
Erstellt Anzahl der Bits pro Wort
Gehen
Erstellt Codierungsrauschen
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Fade-Dauer
Gehen
Erstellt Eingangswellenform
Gehen
Erstellt Erfolglose Wahrscheinlichkeit
Gehen
Erstellt Erfolgswahrscheinlichkeit
Gehen
Erstellt Erwartete Anzahl der Übertragungen
Gehen
Erstellt Erwartete eine Übertragung (E1)
Gehen
Erstellt Fähigkeit von Fehlerkorrekturbits
Gehen
Erstellt Header-Bits
Gehen
Erstellt Informationsbits
Gehen
Erstellt Tatsächliches S-zu-N-Verhältnis am Ausgang
Gehen
Erstellt Unentdeckte Fehlerwahrscheinlichkeit pro Einzelwortnachricht
Gehen
Erstellt Unentdeckte Wahrscheinlichkeit pro Wort
Gehen
Erstellt Wortfehlerrate
Gehen
Digitales Schaltsystem (15)
Erstellt Anzahl der Schaltelemente
Gehen
Erstellt Anzahl der Schaltstufen
Gehen
Erstellt Anzahl der SE im Einzelschalter
Gehen
Erstellt Anzahl der SE in äquivalenter Mehrstufe
Gehen
Erstellt Anzahl der SE, wenn SC vollständig ausgelastet ist
Gehen
Erstellt Auslastungsfaktor der Ausrüstung
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Schaltzeit pro Stufe
Gehen
Erstellt Gesamtzahl der SE im System
Gehen
Erstellt Leistungsverhältnis
Gehen
Erstellt Maximaler Variationswiderstand durch Kohlenstoffgranulat
Gehen
Erstellt Momentaner Widerstand des Mikrofons
Gehen
Erstellt Ruhewiderstand des Mikrofons
Gehen
Erstellt Sinusförmiger Eingang
Gehen
Erstellt Theoretische maximale Belastung
Gehen
Erstellt Vorteilsfaktor des Schaltelements
Gehen
Diskontinuierlicher Leitungsmodus (3)
Erstellt Ausgangsspannung für Buck-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt Ausgangsstrom für Buck-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt Induktivitätswert für Buck-Regler (DCM)
Gehen
Diskontinuierlicher Leitungsmodus (5)
Erstellt Arbeitszyklus für Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt Ausgangsspannung für Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt Ausgangsstrom für Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt Induktivitätswert für Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt Kommutierungsperiode für Boost-Regler (DCM)
Gehen
Diskontinuierlicher Leitungsmodus (3)
Erstellt Ausgangsspannung für Buck-Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt Ausgangsstrom für Buck-Boost-Regler (DCM)
Gehen
Erstellt Induktivitätswert für Buck-Boost-Regler (DCM)
Gehen
Drahtparameter (2)
Verifiziert Leitungslänge unter Verwendung der Fläche des X-Abschnitts (Zweileiter, ein Leiter geerdet)
Gehen
Verifiziert Leitungsverluste unter Verwendung des Bereichs des X-Querschnitts (Zweileiter, ein Leiter geerdet)
Gehen
12 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (5)
Verifiziert Länge mit Konstante (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert Länge unter Verwendung der Fläche des X-Abschnitts (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert Länge unter Verwendung von Leitungsverlusten (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert Leitungsverluste (DC 3-Draht)
Gehen
11 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (1)
Verifiziert Bereich des X-Abschnitts (einphasiges Zweidraht-Betriebssystem)
Gehen
14 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (1)
Verifiziert Konstant (einphasiges Dreidraht-Betriebssystem)
Gehen
18 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (1)
Verifiziert Konstante Verwendung von Leitungsverlusten (1-Phase 2-Draht US)
Gehen
22 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (2)
Verifiziert Drahtlänge mit Widerstand (3-Phasen-4-Draht-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert Volumen des Leitermaterials mit konstantem (3-Phasen-4-Draht-Betriebssystem)
Gehen
11 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (1)
Verifiziert Leitungsverluste unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
14 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (3)
Verifiziert Bereich des X-Abschnitts unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2 Phase 3 Draht US)
Gehen
Verifiziert Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2 Phase 3 Leiter US)
Gehen
Verifiziert Winkel von Pf unter Verwendung von Leitungsverlusten (2-phasig 3-adrig US)
Gehen
14 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (4)
Verifiziert Bereich des X-Schnitts unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes OS)
Gehen
Verifiziert Konstante Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes OS)
Gehen
Verifiziert Leitungsverluste unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes OS)
Gehen
7 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (4)
Verifiziert Konstantes Volumen des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
Verifiziert Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
Verifiziert Leitungsverluste unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
Verifiziert Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
10 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Drahtparameter (3)
Verifiziert Konstantes Volumen des Leitermaterials (DC Three-Wire US)
Gehen
Verifiziert Länge unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
Gehen
Verifiziert Leitungsverluste unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
Gehen
12 Weitere Drahtparameter Taschenrechner
Gehen
Druckmessung (5)
Erstellt Bloßer Stress
Gehen
Erstellt Druck links vom Manometer
Gehen
Erstellt Druck rechts vom Manometer
Gehen
Erstellt Druckänderung
Gehen
Erstellt Druckdifferenz im Manometer
Gehen
1 Weitere Druckmessung Taschenrechner
Gehen
Eigenschaften der CMOS-Schaltung (15)
Erstellt Bereich der Quellendiffusion
Gehen
Erstellt Breite der Quellendiffusion
Gehen
Erstellt Breite des Tors
Gehen
Erstellt Breite des Verarmungsbereichs
Gehen
Erstellt CMOS mittlerer freier Pfad
Gehen
Erstellt Dicke der Oxidschicht
Gehen
Erstellt Effektive Kanallänge
Gehen
Erstellt Effektive Kapazität im CMOS
Gehen
Erstellt Kritische CMOS-Spannung
Gehen
Erstellt Kritisches elektrisches Feld
Gehen
Erstellt Permittivität der Oxidschicht
Gehen
Erstellt PN-Verbindungslänge
Gehen
Erstellt Seitenwandumfang der Quelldiffusion
Gehen
Erstellt Spannung bei minimaler EDV
Gehen
Erstellt Übergangsbreite des CMOS
Gehen
Eigenschaften der Satellitenorbitale (16)
Erstellt Anomalistische Periode
Gehen
Erstellt Bereichsvektor
Gehen
Erstellt Julianischer Tag
Gehen
Erstellt Julianisches Jahrhundert
Gehen
Erstellt Keplers drittes Gesetz
Gehen
Erstellt Keplers erstes Gesetz
Gehen
Erstellt Lokale Sternzeit
Gehen
Erstellt Mittlere Anomalie
Gehen
Erstellt Mittlere Bewegung des Satelliten
Gehen
Erstellt Nominale mittlere Bewegung
Gehen
Erstellt Positionsvektor
Gehen
Erstellt Referenzzeit in julianischen Jahrhunderten
Gehen
Erstellt Umlaufdauer des Satelliten in Minuten
Gehen
Erstellt Universeller Zeitgrad
Gehen
Erstellt Wahre Anomalie
Gehen
Erstellt Weltzeit
Gehen
Eigenschaften des Faserdesigns (9)
Erstellt Abgestufte Indexlänge der Faser
Gehen
Erstellt Brechungsindex der Umhüllung
Gehen
Erstellt Brechungsindex des Faserkerns
Gehen
Erstellt Dauer des optischen Impulses
Gehen
Erstellt Flugzeugwellengeschwindigkeit
Gehen
Erstellt Gruppenverzögerung
Gehen
Erstellt Kritischer Winkel der Strahloptik
Gehen
Erstellt Normalisierte Frequenz
Gehen
Erstellt Numerische Blende
Gehen
3 Weitere Eigenschaften des Faserdesigns Taschenrechner
Gehen
Elektronen (17)
Erstellt AC-Leitfähigkeit
Gehen
Erstellt Amplitude der Wellenfunktion
Gehen
Erstellt Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch
Gehen
Erstellt Elektron außerhalb der Region
Gehen
Erstellt Elektron in der Region
Gehen
Erstellt Elektronenflussdichte
Gehen
Erstellt Elektronenkomponente
Gehen
Erstellt Elektronenstromdichte
Gehen
Erstellt Elektronenvervielfachung
Gehen
Erstellt Gesamtträgerstromdichte
Gehen
Erstellt Lochkomponente
Gehen
Erstellt Lochstromdichte
Gehen
Erstellt Mittlerer freier Pfad
Gehen
Erstellt Phi-abhängige Wellenfunktion
Gehen
Erstellt Quantenzustand
Gehen
Erstellt Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons
Gehen
Erstellt Unterschied in der Elektronenkonzentration
Gehen
1 Weitere Elektronen Taschenrechner
Gehen
Endkondensatormethode in der Mittellinie (6)
Verifiziert Impedanz (ECM)
Gehen
Verifiziert Leitungsverluste bei der Endkondensatormethode
Gehen
Verifiziert Senden der Endleistung im Endkondensatorverfahren
Gehen
Verifiziert Senden der Endspannung bei der Endkondensatormethode
Gehen
Verifiziert Spannungsregelung im Endkondensatorverfahren
Gehen
Verifiziert Widerstand unter Verwendung der Methode der Verluste im Endkondensator
Gehen
11 Weitere Endkondensatormethode in der Mittellinie Taschenrechner
Gehen
Energieband (18)
Erstellt Effektive Staatsdichte
Gehen
Erstellt Energielücke
Gehen
Erstellt Fermi-Funktion
Gehen
Erstellt Flüssigkeitskonzentration
Gehen
Erstellt Intrinsische Trägerkonzentration
Gehen
Erstellt Konzentration im Leitungsband
Gehen
Erstellt Konzentration von Löchern im Valenzband
Gehen
Erstellt Leitungsbandenergie
Gehen
Erstellt Nettoänderungsrate im Leitungsband
Gehen
Erstellt Optische Erzeugungsrate
Gehen
Erstellt Photoelektronenenergie
Gehen
Erstellt Rekombinationslebensdauer
Gehen
Erstellt Steady-State-Elektronenkonzentration
Gehen
Erstellt Trägerlebensdauer
Gehen
Erstellt Übermäßige Trägerkonzentration
Gehen
Erstellt Valenzbandenergie
Gehen
Erstellt Verteilungskoeffizient
Gehen
Erstellt Zustand der effektiven Dichte im Valenzband
Gehen
2 Weitere Energieband Taschenrechner
Gehen
Fehlermessung (17)
Erstellt Absoluter statischer Fehler der Menge A
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Abweichung
Gehen
Erstellt Empfindlichkeit
Gehen
Erstellt Fehlerhafte Menge
Gehen
Erstellt Gemessener Wert der Menge
Gehen
Erstellt Größe der Ausgangsantwort
Gehen
Erstellt Größe der Eingabe
Gehen
Erstellt Inverse Empfindlichkeit oder Skalierungsfaktor
Gehen
Erstellt Lage des Punktes
Gehen
Erstellt Nennwert
Gehen
Erstellt Prozentualer Fehler
Gehen
Erstellt Relativer Begrenzungsfehler
Gehen
Erstellt Relativer statischer Fehler
Gehen
Erstellt Stromverbrauch beim vollständigen Lesen
Gehen
Erstellt Wahre Menge
Gehen
Erstellt Wahrer Wert der Menge
Gehen
Erstellt Winkelablenkung der Feder
Gehen
Flüssigkeitsmessung (32)
Erstellt Absolute Viskosität
Gehen
Erstellt Auftrieb
Gehen
Erstellt Auftriebskraft am zylindrischen Verdränger
Gehen
Erstellt Dichte der Flüssigkeit
Gehen
Erstellt Dynamische Viskosität
Gehen
Erstellt Eingetauchte Tiefe
Gehen
Erstellt Fließrate
Gehen
Erstellt Flüssigkeitsstand
Gehen
Erstellt Geschwindigkeit des Förderbandes
Gehen
Erstellt Geschwindigkeit sich bewegender Grenzen
Gehen
Erstellt Gewicht des Körpers in Flüssigkeit
Gehen
Erstellt Gewicht des Materials auf der Länge der Wiegeplattform
Gehen
Erstellt Gewicht des Materials im Behälter
Gehen
Erstellt Höhe der Flüssigkeit in der Säule
Gehen
Erstellt Kapazität ohne Flüssigkeit
Gehen
Erstellt Länge des in Flüssigkeit eingetauchten Verdrängers
Gehen
Erstellt Magnetische Durchlässigkeit von Flüssigkeiten
Gehen
Erstellt Masse der trockenen Luft oder des Gases im Gemisch
Gehen
Erstellt Masse des Wasserdampfs im Gemisch
Gehen
Erstellt Massendurchsatz
Gehen
Erstellt Materialvolumen im Behälter
Gehen
Erstellt Nichtleitende Flüssigkeitskapazität
Gehen
Erstellt Querschnittsfläche des Objekts
Gehen
Erstellt Reynoldszahl des im Rohr fließenden Fluids
Gehen
Erstellt Rohrdurchmesser
Gehen
Erstellt Rohrkoeffizient ziehen
Gehen
Erstellt Schwimmerdurchmesser
Gehen
Erstellt Spezifisches Flüssigkeitsgewicht im Manometer
Gehen
Erstellt Tiefe der Flüssigkeit
Gehen
Erstellt Verlustkoeffizient für verschiedene Anpassungen
Gehen
Erstellt Volumenstrom
Gehen
Erstellt Widerstand gegen Bewegung in Flüssigkeit
Gehen
Frequenzwiederverwendungskonzept (9)
Erstellt Kohärenzbandbreite für zufällige Phasen zweier empfangener Signale
Gehen
Erstellt Kohärenzbandbreite für zwei Fading-Amplituden zweier empfangener Signale
Gehen
Erstellt M-Ary PAM
Gehen
Erstellt M-Ary QAM
Gehen
Erstellt Reverse Frame
Gehen
Erstellt Symbolzeitraum
Gehen
Erstellt Verzögerungsausbreitung
Gehen
Erstellt Vorwärtsrahmen
Gehen
Erstellt Zeitfenster
Gehen
7 Weitere Frequenzwiederverwendungskonzept Taschenrechner
Gehen
Galvanometer (8)
Erstellt Ablenkung des Zeigers
Gehen
Erstellt Ablenkwinkel des Zeigers
Gehen
Erstellt Ballistische Empfindlichkeit
Gehen
Erstellt Durchbiegung im Galvanometer
Gehen
Erstellt Konstante des Galvanometers
Gehen
Erstellt Natürlich Verbindungsempfindlichkeit
Gehen
Erstellt Spannungsempfindlichkeit des Galvanometers
Gehen
Erstellt Wurf des Galvanometers
Gehen
3 Weitere Galvanometer Taschenrechner
Gehen
Geostationäre Umlaufbahn (13)
Erstellt Akuter Wert
Gehen
Erstellt Apogee Heights
Gehen
Erstellt Azimutwinkel
Gehen
Erstellt Breitengrad der Erdstation
Gehen
Erstellt Geostationäre Höhe
Gehen
Erstellt Geostationärer Radius
Gehen
Erstellt Geostationärer Satellitenradius
Gehen
Erstellt Höhenwinkel
Gehen
Erstellt Länge der Radiusvektoren am Apogäum
Gehen
Erstellt Länge der Radiusvektoren am Perigäum
Gehen
Erstellt Neigungswinkel
Gehen
Erstellt Perigee Heights
Gehen
Erstellt Zeit der Perigäumspassage
Gehen
1 Weitere Geostationäre Umlaufbahn Taschenrechner
Gehen
Geräte mit optischen Komponenten (3)
Erstellt Diffusionslänge des Übergangsbereichs
Gehen
Erstellt Scheitelwinkel
Gehen
Erstellt Strom durch optisch erzeugten Träger
Gehen
11 Weitere Geräte mit optischen Komponenten Taschenrechner
Gehen
Grundlagen der elektromagnetischen Induktion (2)
Verifiziert Gesamtfluss in der gegenseitigen Induktivität
Gehen
Verifiziert In rotierender Spule induzierte EMF
Gehen
13 Weitere Grundlagen der elektromagnetischen Induktion Taschenrechner
Gehen
Grundlagen digitaler Bilder (4)
Erstellt Anzahl der Bits
Gehen
Erstellt Anzahl der Graustufen
Gehen
Erstellt Digitale Bildspalte
Gehen
Erstellt Digitale Bildzeile
Gehen
15 Weitere Grundlagen digitaler Bilder Taschenrechner
Gehen
Grundlegende Merkmale (11)
Erstellt Dicke der Metallscheibe
Gehen
Erstellt Maximale Verschiebungsabweichung
Gehen
Erstellt Maximale Widerstandsabweichung im Ohmmeter
Gehen
Erstellt Multiplikatorwiderstand im Ohmmeter
Gehen
Erstellt Prozentuale Linearität im Ohmmeter
Gehen
Erstellt Tiefe des Permanentmagneten
Gehen
Erstellt Vollständige Widerstandsabweichung
Gehen
Erstellt Volumenwiderstand der Isolierung
Gehen
Erstellt Widerstand der Materialscheibe
Gehen
Erstellt Widerstand des Messgeräts
Gehen
Erstellt Widerstand des Pfadwirbelstroms
Gehen
Grundlegende Parameter (7)
Erstellt Ein horizontaler Zeilenscan
Gehen
Erstellt Eine horizontale Linie
Gehen
Erstellt Eine horizontale Linienverfolgung
Gehen
Erstellt Eine horizontale Zeit
Gehen
Erstellt Horizontale Frequenz
Gehen
Erstellt Videobandbreite
Gehen
Erstellt Videobandbreitensignal
Gehen
Grundlegende Parameter (32)
Erstellt Abstand zwischen Grenzen
Gehen
Erstellt Bereich des Detektors
Gehen
Erstellt Bereich des Kapillarröhrchens
Gehen
Erstellt Bereich des thermischen Kontakts
Gehen
Erstellt Breite des Ehemaligen
Gehen
Erstellt Breite des Frühlings
Gehen
Erstellt Dicke des Frühlings
Gehen
Erstellt Drehmoment steuern
Gehen
Erstellt Druckverlust durch Einbau
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Geschwindigkeit des Systems
Gehen
Erstellt Elastizitätsmodul der Flachfeder
Gehen
Erstellt Flaches Drehmoment zur Steuerung der Spiralfeder
Gehen
Erstellt Gewicht auf Kraftsensor
Gehen
Erstellt Gewicht der Luft
Gehen
Erstellt Gewicht des Verdrängers
Gehen
Erstellt Grenzbereich wird verschoben
Gehen
Erstellt Größte Lesung (Xmax)
Gehen
Erstellt Hitzeübertragungskoeffizient
Gehen
Erstellt Höhe der Teller
Gehen
Erstellt Kleinste Lesung (Xmin)
Gehen
Erstellt Kopfverlust
Gehen
Erstellt Länge der Wiegeplattform
Gehen
Erstellt Länge des Frühlings
Gehen
Erstellt Länge des Kapillarröhrchens
Gehen
Erstellt Länge des Oszilloskops
Gehen
Erstellt Länge des Rohrs
Gehen
Erstellt Maximale Faserspannung in der flachen Feder
Gehen
Erstellt Paar
Gehen
Erstellt Tatsächliche Länge der Probe
Gehen
Erstellt Thermische Zeitkonstante
Gehen
Erstellt Winkelgeschwindigkeit der Scheibe
Gehen
Erstellt Winkelgeschwindigkeit des Formers
Gehen
1 Weitere Grundlegende Parameter Taschenrechner
Gehen
Helixrohr (12)
Erstellt Einfügungsverlust
Gehen
Erstellt Gleichspannung
Gehen
Erstellt Hin- und Rückfahrt DC-Durchlaufzeit
Gehen
Erstellt Nicht übereinstimmender Verlust
Gehen
Erstellt Phasengeschwindigkeit
Gehen
Erstellt Power Standing Wave Ratio
Gehen
Erstellt Reflexionsfaktor
Gehen
Erstellt Sättigungsdriftspannung
Gehen
Erstellt Spannungs-Stehwellenverhältnis
Gehen
Erstellt Steigungswinkel
Gehen
Erstellt Torlänge
Gehen
Erstellt Verhältnis der Spannungswelle
Gehen
1 Weitere Helixrohr Taschenrechner
Gehen
Impedanz-1,2 (3)
Verifiziert Impedanz-2 mit übertragener Spannung (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Impedanz-2 unter Verwendung des übertragenen Spannungskoeffizienten (Leitungs-PL)
Gehen
Verifiziert Impedanz-3 unter Verwendung des übertragenen Spannungskoeffizienten (Leitungs-PL)
Gehen
17 Weitere Impedanz-1,2 Taschenrechner
Gehen
Instrumentenabmessungen (34)
Erstellt Abstand zwischen Elektrode
Gehen
Erstellt Anzahl der Windungen pro Längeneinheit der Magnetspule
Gehen
Erstellt Bereich der Hystereseschleife
Gehen
Erstellt Bereich der Sekundärspule
Gehen
Erstellt Dämpfungskonstante
Gehen
Erstellt Dämpfungsmoment
Gehen
Erstellt Dicke des Streifens
Gehen
Erstellt Empfindlichkeit des Detektors
Gehen
Erstellt Energie aufgezeichnet
Gehen
Erstellt Gesamteisenverlust in der Probe
Gehen
Erstellt Hall-Koeffizient
Gehen
Erstellt Horizontale Aufteilung pro Zyklus
Gehen
Erstellt Hysteresekoeffizient
Gehen
Erstellt Hystereseverlust pro Volumeneinheit
Gehen
Erstellt Instrumentierungsspanne
Gehen
Erstellt Koeffizient der volumetrischen Ausdehnung
Gehen
Erstellt Länge des ehemaligen
Gehen
Erstellt Länge des Solenoids
Gehen
Erstellt Leckagefaktor
Gehen
Erstellt Lineare Geschwindigkeit von Former
Gehen
Erstellt Normalisierte Detektivität
Gehen
Erstellt Primärer Zeiger
Gehen
Erstellt Querschnittsfläche der Probe
Gehen
Erstellt Rauschäquivalent der Bandbreite
Gehen
Erstellt Reluktanz des Magnetkreises
Gehen
Erstellt Revolution in KWh
Gehen
Erstellt Schärfe der Kurve
Gehen
Erstellt Scheinbare Magnetkraft bei Länge l
Gehen
Erstellt Standardabweichung für Normalkurve
Gehen
Erstellt Verhältnis der Modulationsfrequenz der Ablenkplatte
Gehen
Erstellt Verlängerung der Probe
Gehen
Erstellt Wahre Magnetisierungskraft
Gehen
Erstellt Widerwillen von Joch
Gehen
Erstellt Zurückhaltung von Gelenken
Gehen
Instrumententransformator (3)
Erstellt Empfindlichkeit der Flusskopplung
Gehen
Erstellt Sekundärer Zeiger
Gehen
Erstellt Transformatorverhältnis
Gehen
Kapazität (5)
Erstellt Effektive Kapazität von Cs und Co.
Gehen
Erstellt Kapazität aufgrund des Abstands zwischen Probe und Dielektrikum
Gehen
Erstellt Kapazität der Probe
Gehen
Erstellt Kapazität mit Probe als Dielektrikum
Gehen
Erstellt Relative Permeabilität paralleler Platten
Gehen
Klystron (11)
Erstellt Anodenspannung
Gehen
Erstellt Bündelungsparameter von Klystron
Gehen
Erstellt DC-Transitzeit
Gehen
Erstellt Gleichstromquelle
Gehen
Erstellt Hohlraumleitwert
Gehen
Erstellt Hohlraumverlust durch Kupfer
Gehen
Erstellt Klystron-Effizienz
Gehen
Erstellt Leistungsverlust im Anodenkreis
Gehen
Erstellt Resonanzfrequenz des Hohlraums
Gehen
Erstellt Steilheit des Klystron-Verstärkers
Gehen
Erstellt Strahlbelastungsleitfähigkeit
Gehen
2 Weitere Klystron Taschenrechner
Gehen
Klystron-Höhle (10)
Erstellt Anzahl der Resonanzräume
Gehen
Erstellt Buncher Cavity Gap
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Mikrowellenspannung im Buncher Gap
Gehen
Erstellt Durchschnittlicher Abstand zwischen Hohlräumen
Gehen
Erstellt Durchschnittlicher Transitwinkel
Gehen
Erstellt Größe des Mikrowellensignals am Eingangshohlraum
Gehen
Erstellt Induktionsstrom im Catcher-Hohlraum
Gehen
Erstellt Induktionsstrom in den Wänden des Catcher-Hohlraums
Gehen
Erstellt Leitfähigkeit des Resonators
Gehen
Erstellt Phasenkonstante des Grundmodenfeldes
Gehen
4 Weitere Klystron-Höhle Taschenrechner
Gehen
Kontinuierlicher Leitungsmodus (3)
Erstellt Arbeitszyklus für Abwärtsregler (CCM)
Gehen
Erstellt Ausgangsspannung für Buck-Regler (CCM)
Gehen
Erstellt Eingangsspannung für Buck-Regler (CCM)
Gehen
Kontinuierlicher Leitungsmodus (3)
Erstellt Arbeitszyklus für Ladedruckregler (CCM)
Gehen
Erstellt Ausgangsspannung für Boost-Regler (CCM)
Gehen
Erstellt Eingangsspannung für Boost-Regler (CCM)
Gehen
Kontinuierlicher Leitungsmodus (3)
Erstellt Arbeitszyklus für Buck-Boost-Regler (CCM)
Gehen
Erstellt Ausgangsspannung für Buck-Boost-Regler (CCM)
Gehen
Erstellt Eingangsspannung für Buck-Boost-Regler (CCM)
Gehen
Laser (3)
Erstellt Ebene des Polarisators
Gehen
Erstellt Einzelne Lochblende
Gehen
Erstellt Übertragungsebene des Analysators
Gehen
9 Weitere Laser Taschenrechner
Gehen
Last ist offen geschaltet (1)
Verifiziert Sendespannung (Last OC)
Gehen
3 Weitere Last ist offen geschaltet Taschenrechner
Gehen
Leistung (1)
Verifiziert Umgewandelte Leistung des Serien-DC-Generators bei gegebener Ausgangsleistung
Gehen
1 Weitere Leistung Taschenrechner
Gehen
Leistung (2)
Verifiziert Übertragene Leistung mit Lautstärke (Zweiader, ein Leiter geerdet)
Gehen
Verifiziert Übertragene Leistung unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (zweiadrig, ein Leiter geerdet)
Gehen
3 Weitere Leistung Taschenrechner
Gehen
Leistung (2)
Verifiziert Mit Laststrom übertragene Leistung (Zweileiter, Mittelpunkt geerdet)
Gehen
Verifiziert Übertragene Leistung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes Betriebssystem)
Gehen
1 Weitere Leistung Taschenrechner
Gehen
Leistung (1)
Verifiziert Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (3 Phase 4 Leiter US)
Gehen
12 Weitere Leistung Taschenrechner
Gehen
Leistung (3)
Verifiziert Mit Laststrom übertragene Leistung (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (Zweiphasen-Dreileiter-OS)
Gehen
Verifiziert Winkel des PF unter Verwendung von Leitungsverlusten (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
7 Weitere Leistung Taschenrechner
Gehen
Leistung (3)
Verifiziert Leistungsfaktor unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
Verifiziert Übertragene Leistung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
Verifiziert Übertragene Leistung unter Verwendung von Laststrom (1 Phase 3-Draht US)
Gehen
6 Weitere Leistung Taschenrechner
Gehen
Leistung (4)
Verifiziert Leistungsfaktor unter Verwendung der Fläche des X-Abschnitts (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert Leistungsfaktor unter Verwendung des Laststroms (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert Übertragene Leistung mit Laststrom (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert Winkel von PF mit Laststrom (3-Phasen-3-Draht-Betriebssystem)
Gehen
3 Weitere Leistung Taschenrechner
Gehen
Leistungskennzahlen (13)
Erstellt Anzahl der Komponenten im Diagramm
Gehen
Erstellt Ausführungszeit
Gehen
Erstellt Ausführungszeit der Beschleunigung
Gehen
Erstellt Baudrate
Gehen
Erstellt CPU-Auslastung
Gehen
Erstellt CPU-Zeit für nützliche Arbeit
Gehen
Erstellt Insgesamt verfügbare CPU-Zeit
Gehen
Erstellt Lesezeit
Gehen
Erstellt Optimierung
Gehen
Erstellt Schreibzeit
Gehen
Erstellt Übersetzung
Gehen
Erstellt Zusammenstellung
Gehen
Erstellt Zyklomatische Komplexität
Gehen
2 Weitere Leistungskennzahlen Taschenrechner
Gehen
Lichtmessung (14)
Erstellt Beleuchtungsstärke
Gehen
Erstellt Bereich der Glühbirne
Gehen
Erstellt Bestrahlung
Gehen
Erstellt Fläche im Raumwinkel projiziert
Gehen
Erstellt Fluss im festen Winkel
Gehen
Erstellt Incident Luminous Flux
Gehen
Erstellt Intensität auf Raumwinkel
Gehen
Erstellt Lichtfluss
Gehen
Erstellt Lichtleistung
Gehen
Erstellt Lichtstärke in Richtung senkrecht zur Oberfläche
Gehen
Erstellt Lichtstärke in Winkelrichtung
Gehen
Erstellt Reflektierter Lichtstrom
Gehen
Erstellt Übertragungsfaktor
Gehen
Erstellt Von Lichteinfall betroffenes Gebiet
Gehen
Linearer Spannungsregler (5)
Erstellt Ausgangsspannung des Shunt-Reglers
Gehen
Erstellt Eingangsspannung des Shunt-Reglers
Gehen
Erstellt Laststrom im Shunt-Regler
Gehen
Erstellt Shunt-Strom im Shunt-Regler
Gehen
Erstellt Shunt-Widerstand im Shunt-Regler
Gehen
Linie mit parallelen Lasten (5)
Verifiziert Einfallende Spannung unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Einfallender Strom unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Übertragene Spannung unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Übertragener Spannungskoeffizient unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-2 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Übertragener Spannungskoeffizient unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
16 Weitere Linie mit parallelen Lasten Taschenrechner
Gehen
Magnetfeld (4)
Erstellt Anzahl der Umdrehungen im Magnetventil
Gehen
Erstellt EMF erzeugt in Former
Gehen
Erstellt EMF induziert im Abschnitt unterhalb des Magnetfelds
Gehen
Erstellt Magnetfeld der Magnetspule
Gehen
Magnetischer Fluss (13)
Erstellt Ankerfluss pro Pol
Gehen
Erstellt Feldstärke in der Mitte
Gehen
Erstellt Fluss im Magnetkreis
Gehen
Erstellt Flussdichte in der Mitte des Solenoids
Gehen
Erstellt Flussdichte von Felddurchquerung zu Streifen
Gehen
Erstellt Flussmittelladung
Gehen
Erstellt Flussverbindungen der Sekundärspule
Gehen
Erstellt Flussverknüpfung der Suchspule
Gehen
Erstellt Gesamtfluss pro Pol
Gehen
Erstellt Magnetisches Moment im Stromkreis
Gehen
Erstellt Magneto Motive Force (MMF)
Gehen
Erstellt Maximale Flussdichte
Gehen
Erstellt Stärke des Magnetfeldes
Gehen
Magnetron-Oszillator (17)
Erstellt Abstand zwischen Anode und Kathode
Gehen
Erstellt Anodenstrom
Gehen
Erstellt Einheitliche Elektronengeschwindigkeit
Gehen
Erstellt Elektronische Effizienz
Gehen
Erstellt Empfangsempfindlichkeit
Gehen
Erstellt HF-Impulsbreite
Gehen
Erstellt Hull Cutoff Magnetische Flussdichte
Gehen
Erstellt Magnetron-Phasenverschiebung
Gehen
Erstellt Merkmal Aufnahme
Gehen
Erstellt Modulationslinearität
Gehen
Erstellt Raumladungsreduktionsfaktor
Gehen
Erstellt Rausch-Verhältnis
Gehen
Erstellt Rumpf-Abschaltspannung
Gehen
Erstellt Schaltungseffizienz im Magnetron
Gehen
Erstellt Spektrallinienfrequenz
Gehen
Erstellt Wiederholungsfrequenz des Pulses
Gehen
Erstellt Zyklotron-Winkelfrequenz
Gehen
Mechanische Spezifikationen (1)
Verifiziert Maschinenkonstante des DC-Nebenschlussmotors bei gegebenem Drehmoment
Gehen
6 Weitere Mechanische Spezifikationen Taschenrechner
Gehen
MESFET-Eigenschaften (9)
Erstellt Drain-Widerstand des MESFET
Gehen
Erstellt Eingangswiderstand
Gehen
Erstellt Gate-Länge des MESFET
Gehen
Erstellt Gate-Metallisierungswiderstand
Gehen
Erstellt Gate-Source-Kapazität
Gehen
Erstellt Grenzfrequenz
Gehen
Erstellt Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET
Gehen
Erstellt Quellenwiderstand
Gehen
Erstellt Transkonduktanz im MESFET
Gehen
4 Weitere MESFET-Eigenschaften Taschenrechner
Gehen
Mobilfunkausbreitung (15)
Erstellt Block von N Serieller Quelle
Gehen
Erstellt Kurzfristiges Verblassen
Gehen
Erstellt Langzeitverblassen
Gehen
Erstellt Maximal mögliches S-zu-N-Verhältnis
Gehen
Erstellt Mobilfunkempfänger-Trägerleistung
Gehen
Erstellt Mobilfunkentfernung
Gehen
Erstellt Mobilfunksignal
Gehen
Erstellt Multipath Fading
Gehen
Erstellt Pfadverlustkoeffizient
Gehen
Erstellt Rauschzahl
Gehen
Erstellt Selektive Neuübertragung
Gehen
Erstellt Stop-and-Wait-ARQ-Technik
Gehen
Erstellt Symboldauer
Gehen
Erstellt Verteilungsfunktion
Gehen
Erstellt Zeitspanne der Seriell-zu-Parallel-Modulation
Gehen
1 Weitere Mobilfunkausbreitung Taschenrechner
Gehen
Mobilfunkkonzepte (13)
Erstellt Alter Zellenbereich
Gehen
Erstellt Alter Zellradius
Gehen
Erstellt Angebotene Ladung
Gehen
Erstellt Co-Kanal-Interferenz
Gehen
Erstellt Distanz zur Frequenzwiederverwendung
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Anrufzeit
Gehen
Erstellt Hamming Entfernung
Gehen
Erstellt Maximale Anrufe pro Stunde und Zelle
Gehen
Erstellt Neue Verkehrslast
Gehen
Erstellt Neuer Zellenbereich
Gehen
Erstellt Neuer Zellradius
Gehen
Erstellt Verkehrslast
Gehen
Erstellt Zellradius
Gehen
3 Weitere Mobilfunkkonzepte Taschenrechner
Gehen
Nichtlineare Schaltungen (16)
Erstellt Bandbreite mit dynamischem Qualitätsfaktor
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen
Gehen
Erstellt Dynamischer Q-Faktor
Gehen
Erstellt Größe des negativen Widerstands
Gehen
Erstellt Leistungsgewinn der Tunneldiode
Gehen
Erstellt Maximal angelegte Spannung über Diode
Gehen
Erstellt Maximal angelegter Strom über die Diode
Gehen
Erstellt Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode
Gehen
Erstellt Rauschzahl des Doppelseitenbandes
Gehen
Erstellt Rauschzahl des Einseitenbands
Gehen
Erstellt Reaktive Impedanz
Gehen
Erstellt Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode
Gehen
Erstellt Tunneldioden-Ausgangsleistung
Gehen
Erstellt Verhältnis negativer Widerstand zu Reihenwiderstand
Gehen
Erstellt Verstärkerverstärkung der Tunneldiode
Gehen
Erstellt Zimmertemperatur
Gehen
Nominale Pi-Methode in mittlerer Linie (4)
Verifiziert A-Parameter in der Nominal-Pi-Methode
Gehen
Verifiziert D-Parameter in der Nominal-Pi-Methode
Gehen
Verifiziert Laststrom unter Verwendung des Übertragungswirkungsgrads nach der Nominal-Pi-Methode
Gehen
Verifiziert Widerstand unter Verwendung der Methode „Verluste im nominalen Pi“.
Gehen
16 Weitere Nominale Pi-Methode in mittlerer Linie Taschenrechner
Gehen
Nominale T-Methode in der mittleren Linie (3)
Verifiziert A-Parameter in der Nominal-T-Methode
Gehen
Verifiziert Empfangen der Endspannung mit kapazitiver Spannung im Nominal-T-Verfahren
Gehen
Verifiziert Senden der Endspannung mithilfe der Spannungsregelung im Nominal-T-Verfahren
Gehen
16 Weitere Nominale T-Methode in der mittleren Linie Taschenrechner
Gehen
Nullsequenz (1)
Verifiziert Nullsequenz-Potentialdifferenz unter Verwendung der Potentialdifferenz zwischen B-Phase (Zweileiter offen)
Gehen
5 Weitere Nullsequenz Taschenrechner
Gehen
Oszilloskop (21)
Erstellt Ablenkung auf dem Bildschirm
Gehen
Erstellt Ablenkungsfaktor
Gehen
Erstellt Abschluss pro Abteilung
Gehen
Erstellt Anstiegszeit des Oszilloskops
Gehen
Erstellt Anzahl der Lücken im Kreis
Gehen
Erstellt Anzahl der Peaks auf der rechten Seite
Gehen
Erstellt Anzahl positiver Peaks
Gehen
Erstellt Anzeige der Anstiegszeit des Oszilloskops
Gehen
Erstellt Ausgabezeitraum
Gehen
Erstellt Durchbiegungsempfindlichkeit
Gehen
Erstellt Impulsbreite des Oszilloskops
Gehen
Erstellt Modulnummer des Zählers
Gehen
Erstellt Oszillationszeitraum
Gehen
Erstellt Phasendifferenz in der Division
Gehen
Erstellt Phasendifferenz zwischen zwei Sinuswellen
Gehen
Erstellt Vertikale Frequenz
Gehen
Erstellt Vertikale Spitze-Spitze-Teilung
Gehen
Erstellt Vom Oszilloskop vorgegebene Anstiegszeit
Gehen
Erstellt Zeit pro Teilung des Oszilloskops
Gehen
Erstellt Zeitkonstante des Oszilloskops
Gehen
Erstellt Zeitspanne der Wellenform
Gehen
1 Weitere Oszilloskop Taschenrechner
Gehen
Parameter der Antennentheorie (23)
Erstellt Antenneneffizienz
Gehen
Erstellt Antennengewinn
Gehen
Erstellt Antennenstrom
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Strahlungsintensität
Gehen
Erstellt Effektive Fläche der Antenne
Gehen
Erstellt Entfernung zwischen Sende- und Empfangspunkt
Gehen
Erstellt Gesamtantennenwiderstand
Gehen
Erstellt Gesamteingangsleistung
Gehen
Erstellt Gesamtleistung der Antenne
Gehen
Erstellt Höhe der Empfangsantenne
Gehen
Erstellt Höhe der Sendeantenne
Gehen
Erstellt Isotrope Strahlungsintensität
Gehen
Erstellt Kanalhöhe
Gehen
Erstellt Länge des binomialen Arrays
Gehen
Erstellt Leistung pro Einheit Bandbreite
Gehen
Erstellt Leistungsdichte der Antenne
Gehen
Erstellt Maximale Kanalwellenlänge
Gehen
Erstellt Ohmscher Widerstand
Gehen
Erstellt Rauschtemperatur der Antenne
Gehen
Erstellt Richtwirkung der Antenne
Gehen
Erstellt Stärke der Bodenwelle
Gehen
Erstellt Strahlungsbeständigkeit
Gehen
Erstellt Strahlungsintensität
Gehen
1 Weitere Parameter der Antennentheorie Taschenrechner
Gehen
Parameter für die Fasermodellierung (7)
Erstellt Anzahl der Modi mit normalisierter Frequenz
Gehen
Erstellt Durchmesser der Faser
Gehen
Erstellt Faserdämpfungskoeffizient
Gehen
Erstellt Faserlänge
Gehen
Erstellt Gaußscher Puls
Gehen
Erstellt Leistungsverlust in Glasfaser
Gehen
Erstellt Optische Dispersion
Gehen
12 Weitere Parameter für die Fasermodellierung Taschenrechner
Gehen
Parametrische Geräte (13)
Erstellt Ausgangsfrequenz im Aufwärtswandler
Gehen
Erstellt Ausgangswiderstand des Signalgenerators
Gehen
Erstellt Bandbreite des parametrischen Aufwärtswandlers
Gehen
Erstellt Bandbreite des parametrischen Verstärkers mit negativem Widerstand (NRPA)
Gehen
Erstellt Gewinn-Verschlechterungsfaktor
Gehen
Erstellt Leerlauffrequenz unter Verwendung der Pumpfrequenz
Gehen
Erstellt Leistungsgewinn des Abwärtswandlers
Gehen
Erstellt Leistungsverstärkung des Demodulators
Gehen
Erstellt Leistungsverstärkung des Modulators
Gehen
Erstellt Leistungsverstärkung für parametrischen Aufwärtswandler
Gehen
Erstellt Pumpfrequenz mit Demodulator Gain
Gehen
Erstellt Rauschzahl des parametrischen Aufwärtswandlers
Gehen
Erstellt Signalfrequenz
Gehen
Photonische Geräte (1)
Erstellt Wellenlänge der Strahlung in Vakuum
Gehen
12 Weitere Photonische Geräte Taschenrechner
Gehen
Q-Faktor (8)
Erstellt Entladener Q-Faktor
Gehen
Erstellt Externer Q-Faktor
Gehen
Erstellt Q-Faktor der externen Last
Gehen
Erstellt Q-Faktor der Fangwand
Gehen
Erstellt Q-Faktor der geladenen Resonatorschaltung
Gehen
Erstellt Q-Faktor der Strahlbelastung
Gehen
Erstellt Q-Faktor des geladenen Catcher-Hohlraums
Gehen
Erstellt Qualitätsfaktor des Hohlraumresonators
Gehen
6 Weitere Q-Faktor Taschenrechner
Gehen
Radar (24)
Erstellt Antennenbereich
Gehen
Erstellt Dopplerfrequenz
Gehen
Erstellt Doppler-Winkelfrequenz
Gehen
Erstellt Effektiver Bereich der Empfangsantenne
Gehen
Erstellt Effizienz der Antennenapertur
Gehen
Erstellt Entdeckungswahrscheinlichkeit
Gehen
Erstellt Gemessene Laufzeit
Gehen
Erstellt Kumulative Entdeckungswahrscheinlichkeit
Gehen
Erstellt Maximale eindeutige Reichweite
Gehen
Erstellt Maximale Reichweite des Radars
Gehen
Erstellt Maximale von der Antenne abgestrahlte Leistungsdichte
Gehen
Erstellt Maximaler Antennengewinn
Gehen
Erstellt Minimales nachweisbares Signal
Gehen
Erstellt N Scans
Gehen
Erstellt Pulswiederholungsfrequenz
Gehen
Erstellt Pulswiederholungszeit
Gehen
Erstellt Radarantennenhöhe
Gehen
Erstellt Radialgeschwindigkeit
Gehen
Erstellt Reichweite des Ziels
Gehen
Erstellt Übertragener Gewinn
Gehen
Erstellt Übertragungsfrequenz
Gehen
Erstellt Von einer verlustfreien Antenne abgestrahlte Leistungsdichte
Gehen
Erstellt Zielgeschwindigkeit
Gehen
Erstellt Zielhöhe
Gehen
Rahmenantennen (1)
Erstellt Isotrope Strahlungsintensität für Rahmenantenne
Gehen
7 Weitere Rahmenantennen Taschenrechner
Gehen
Reflektierte Wellen (1)
Verifiziert Charakteristische Impedanz unter Verwendung der reflektierten Spannung
Gehen
6 Weitere Reflektierte Wellen Taschenrechner
Gehen
Scheringbrücke (1)
Erstellt Effektive Fläche der Elektrode
Gehen
3 Weitere Scheringbrücke Taschenrechner
Gehen
Spezialradare (21)
Erstellt Amplitude des Referenzsignals
Gehen
Erstellt Amplitude des vom Ziel in Reichweite empfangenen Signals
Gehen
Erstellt Bereichsauflösung
Gehen
Erstellt CFA-Gleichstromeingang
Gehen
Erstellt CFA-HF-Antriebsleistung
Gehen
Erstellt CFA-HF-Ausgangsleistung
Gehen
Erstellt Doppler-Frequenzverschiebung
Gehen
Erstellt Echosignalspannung
Gehen
Erstellt Effizienz des Kreuzfeldverstärkers (CFA)
Gehen
Erstellt Entfernung von Antenne 1 zum Ziel im Monopulsradar
Gehen
Erstellt Entfernung von Antenne 2 zum Ziel im Monopulsradar
Gehen
Erstellt Geglättete Position
Gehen
Erstellt Gemessene Position beim N-ten Scan
Gehen
Erstellt Geschmeidige Geschwindigkeit
Gehen
Erstellt Parameter für die Geschwindigkeitsglättung
Gehen
Erstellt Phasendifferenz zwischen Echosignalen im Monopulsradar
Gehen
Erstellt Positionsglättungsparameter
Gehen
Erstellt Referenzspannung des CW-Oszillators
Gehen
Erstellt Spitzenquantisierungskeule
Gehen
Erstellt Vorhergesagte Position des Ziels
Gehen
Erstellt Zeit zwischen Beobachtungen
Gehen
Spezifikationen des Voltmeters (8)
Erstellt Bereich des Voltmeters
Gehen
Erstellt Kapazität des Voltmeters
Gehen
Erstellt Selbstkapazität der Spule
Gehen
Erstellt Spannungsverteilungsverhältnis
Gehen
Erstellt Volt pro Division
Gehen
Erstellt Voltmeterstrom
Gehen
Erstellt Voltmeter-Widerstand
Gehen
Erstellt Zusätzliche Kapazität
Gehen
4 Weitere Spezifikationen des Voltmeters Taschenrechner
Gehen
SSD-Verbindung (14)
Erstellt Akzeptorkonzentration
Gehen
Erstellt Gesamtakzeptanzgebühr
Gehen
Erstellt Kreuzungsübergangsbreite
Gehen
Erstellt Länge der p-seitigen Verbindung
Gehen
Erstellt Nettoverteilung der Ladung
Gehen
Erstellt N-Typ-Breite
Gehen
Erstellt PN Verbindungslänge
Gehen
Erstellt Quantenzahl
Gehen
Erstellt Querschnittsbereich der Kreuzung
Gehen
Erstellt Serienwiderstand im N-Typ
Gehen
Erstellt Serienwiderstand im P-Typ
Gehen
Erstellt Spenderkonzentration
Gehen
Erstellt Sperrschichtkapazität
Gehen
Erstellt Sperrschichtspannung
Gehen
2 Weitere SSD-Verbindung Taschenrechner
Gehen
Strahlrohr (9)
Erstellt Hauttiefe
Gehen
Erstellt Im Anodenstromkreis erzeugter Strom
Gehen
Erstellt Plasmafrequenz
Gehen
Erstellt Rechteckige Mikrowellenimpuls-Spitzenleistung
Gehen
Erstellt Reduzierte Plasmafrequenz
Gehen
Erstellt Repeller-Spannung
Gehen
Erstellt Rückflussdämpfung
Gehen
Erstellt Strom aus DC-Netzteil bezogen
Gehen
Erstellt Trägerfrequenz in der Spektrallinie
Gehen
16 Weitere Strahlrohr Taschenrechner
Gehen
Stromspannung (8)
Erstellt Leitungsspannung
Gehen
Erstellt Potenzial zwischen Umlenkblech
Gehen
Erstellt Quellenspannung
Gehen
Erstellt RMS-Ausgangsspannungsdetektor
Gehen
Erstellt RMS-Rauschspannung der Zelle
Gehen
Erstellt Spannung über Kapazität
Gehen
Erstellt Spannungsdifferenz zwischen c und d
Gehen
Erstellt Spitze-zu-Spitze-Spannung der Wellenform
Gehen
System-Design (1)
Erstellt Anzahl der Kanten in der Kontrollkomplexität
Gehen
3 Weitere System-Design Taschenrechner
Gehen
Telekommunikations-Verkehrssystem (22)
Erstellt Anrufaufbauzeit
Gehen
Erstellt Ausfallzeit
Gehen
Erstellt Betriebszeit
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Ankunftsrate für Poisson-Anrufe
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Anzahl der Anrufe
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Belegung
Gehen
Erstellt Durchschnittliche Haltezeit
Gehen
Erstellt Erforderliche Zeit für andere Funktionen als Schalten
Gehen
Erstellt Gesamtzahl der angebotenen Anrufe
Gehen
Erstellt Grad des Dienstes
Gehen
Erstellt Kofferraumbelegung
Gehen
Erstellt Kosten des Wechselsystems
Gehen
Erstellt Kosten für gemeinsame Hardware
Gehen
Erstellt Kosten pro Abonnent
Gehen
Erstellt Kostenkapazitätsindex
Gehen
Erstellt Nichtverfügbarkeit des Systems
Gehen
Erstellt Nummer des verlorenen Anrufs
Gehen
Erstellt Poisson Ankunft
Gehen
Erstellt Quantisierungsfehler
Gehen
Erstellt Schaltleistung
Gehen
Erstellt Verfügbarkeit
Gehen
Erstellt Verkehrsabwicklungsfähigkeit
Gehen
Transistorbasierte Schaltungen (6)
Erstellt Basisverstärkerstrom
Gehen
Erstellt Durchschnittlicher Zählerstrom
Gehen
Erstellt Kapazität des Verstärkers
Gehen
Erstellt Kollektorstrom
Gehen
Erstellt Mikroammeterstrom
Gehen
Erstellt Spitzenstrom des Messgeräts
Gehen
Übertragene oder gebrochene Wellen (1)
Verifiziert Einfallender Strom mit übertragenem Strom
Gehen
6 Weitere Übertragene oder gebrochene Wellen Taschenrechner
Gehen
Übertragener Strom-1,2 (3)
Verifiziert Übertragener Strom-2 unter Verwendung der übertragenen Spannung (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Übertragener Strom-3 mit übertragener Spannung (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Übertragener Strom-3 unter Verwendung des übertragenen Stromkoeffizienten-3 (Leitung PL)
Gehen
6 Weitere Übertragener Strom-1,2 Taschenrechner
Gehen
Übertragener Stromkoeffizient (5)
Verifiziert Übertragener Stromkoeffizient-2 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Übertragener Stromkoeffizient-2 unter Verwendung des übertragenen Spannungskoeffizienten (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Übertragener Stromkoeffizient-2 unter Verwendung von Impedanz-1 und 2 (Line PL)
Gehen
Verifiziert Übertragener Stromkoeffizient-3 (Leitung PL)
Gehen
Verifiziert Übertragener Stromkoeffizient-3 unter Verwendung des übertragenen Spannungskoeffizienten (Leitung PL)
Gehen
3 Weitere Übertragener Stromkoeffizient Taschenrechner
Gehen
VLSI-Materialoptimierung (16)
Erstellt Body-Effect-Koeffizient
Gehen
Erstellt DIBL-Koeffizient
Gehen
Erstellt Eigene Gate-Kapazität
Gehen
Erstellt Gate-Kapazität
Gehen
Erstellt Gate-Länge unter Verwendung der Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Erstellt Gate-Oxid-Kapazität
Gehen
Erstellt Grenzspannung
Gehen
Erstellt Kanalladung
Gehen
Erstellt K-Prime
Gehen
Erstellt Kritische Spannung
Gehen
Erstellt Mobilität in Mosfet
Gehen
Erstellt Oberflächenpotential
Gehen
Erstellt Parasitäre Gesamtkapazitätsquelle
Gehen
Erstellt Schwellenspannung, wenn die Quelle auf Körperpotential liegt
Gehen
Erstellt Steilheit unter der Schwelle
Gehen
Erstellt Verbindungsstrom
Gehen
23 Weitere VLSI-Materialoptimierung Taschenrechner
Gehen
Vorübergehend (4)
Verifiziert Charakteristische Impedanz unter Verwendung von übertragenem Strom
Gehen
Verifiziert Lastimpedanz mit reflektiertem Strom
Gehen
Verifiziert Lastimpedanz mit übertragener Spannung
Gehen
Verifiziert Reflektierte Spannung unter Verwendung der Lastimpedanz
Gehen
35 Weitere Vorübergehend Taschenrechner
Gehen
Wandler (13)
Erstellt Aktuelle Generatorkapazität
Gehen
Erstellt Änderung der Einstrahlung
Gehen
Erstellt Änderung des Widerstands
Gehen
Erstellt Ansprechverhalten des Wandlers
Gehen
Erstellt Ausgangssignal des Wandlers
Gehen
Erstellt Detektivität des Wandlers
Gehen
Erstellt Eingangssignal des Wandlers
Gehen
Erstellt Empfindlichkeit des photoresistiven Wandlers
Gehen
Erstellt Empfindlichkeit von LVDT
Gehen
Erstellt Größe des Ausgangssignals
Gehen
Erstellt Kapazität des Kabels
Gehen
Erstellt Kapazität des Wandlers
Gehen
Erstellt Wirkungsgrad des Wandlers
Gehen
Wattmeter-Schaltung (7)
Erstellt An die Wattmeter-Druckspule angelegte Spannung
Gehen
Erstellt Gesamtkupferverlust im Sekundärwicklungskreis
Gehen
Erstellt In S2 induzierte Spannung
Gehen
Erstellt Strom im Druckspulenkreis
Gehen
Erstellt Wattmeterablesung
Gehen
Erstellt Widerstand der Spule S1
Gehen
Erstellt Widerstand der Wattmeter-Druckspule
Gehen
6 Weitere Wattmeter-Schaltung Taschenrechner
Gehen
Wechselstromkreise (4)
Erstellt Anzeige des Quadraturpotentiometers
Gehen
Erstellt Messwert des In-Phase-Potentiometers
Gehen
Erstellt Potentiometerspannung
Gehen
Erstellt Vollständige Spannungsablesung
Gehen
5 Weitere Wechselstromkreise Taschenrechner
Gehen
Wellenausbreitung (10)
Erstellt Antennenstrahlbreite
Gehen
Erstellt Ausbreitungsentfernung
Gehen
Erstellt Brechungsindex der Ionosphäre
Gehen
Erstellt Elektronendichte
Gehen
Erstellt Höhe der Schicht
Gehen
Erstellt Kritische Frequenz der Ionosphäre
Gehen
Erstellt Maximal nutzbare Frequenz
Gehen
Erstellt Normale der reflektierenden Ebene
Gehen
Erstellt Parallele der reflektierenden Ebene
Gehen
Erstellt Wellenlänge der Ebene
Gehen
6 Weitere Wellenausbreitung Taschenrechner
Gehen
Wheatstone-Brücke (1)
Erstellt Brückenempfindlichkeit
Gehen
3 Weitere Wheatstone-Brücke Taschenrechner
Gehen
Widerstand (2)
Verifiziert Widerstand mit Konstante (DC 3-Draht)
Gehen
Verifiziert Widerstand unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (DC 3-Draht)
Gehen
4 Weitere Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand (1)
Verifiziert Widerstand (einphasiges Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
6 Weitere Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand (1)
Verifiziert Winkel des PF unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (3 Phase 3 Leiter US)
Gehen
4 Weitere Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand (1)
Verifiziert Widerstand unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (1 Phase 3 Draht US)
Gehen
3 Weitere Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand (1)
Verifiziert Widerstand unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (2-Draht-Mittelpunkt-geerdetes OS)
Gehen
3 Weitere Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand (2)
Verifiziert Widerstand des Neutralleiters (Zweiphasen-Dreileiter-Betriebssystem)
Gehen
Verifiziert Widerstand unter Verwendung von Widerstand (zweiphasiges dreiadriges Betriebssystem)
Gehen
5 Weitere Widerstand Taschenrechner
Gehen
Widerstand, Widerstand (2)
Verifiziert Übertragene Leistung unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
Gehen
Verifiziert Widerstand unter Verwendung des Volumens des Leitermaterials (DC Dreileiter US)
Gehen
5 Weitere Widerstand, Widerstand Taschenrechner
Gehen
Zeilenparameter (1)
Verifiziert Leitungsverluste unter Verwendung des Bereichs des X-Abschnitts (1-Phase 2-Draht US)
Gehen
6 Weitere Zeilenparameter Taschenrechner
Gehen
Zeilenparameter (4)
Verifiziert Ausbreitungskonstante mit A-Parameter (LTL)
Gehen
Verifiziert Ausbreitungskonstante mit B-Parameter (LTL)
Gehen
Verifiziert Länge mit B-Parameter (LTL)
Gehen
Verifiziert Länge mit C-Parameter (LTL)
Gehen
5 Weitere Zeilenparameter Taschenrechner
Gehen
Zweileiter offen (2)
Verifiziert Potenzialunterschied zwischen B-Phase (zwei Leiter offen)
Gehen
Verifiziert Potenzialunterschied zwischen C-Phase (zwei Leiter offen)
Gehen
4 Weitere Zweileiter offen Taschenrechner
Gehen
About | Contact | Disclaimer | Terms | Privacy Policy
© 2016-2024 A softusvista inc. venture!


Home Icon
Zuhause PDF Icon
FREI PDFs
🔍 Suche
Category Icon
Kategorien
Share Icon
Teilen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!