Kollektorstrom gegeben Frühspannung für PNP-Transistor Taschenrechner

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [I_sat]			+10% -10%
✖Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.ⓘ Basis-Emitter-Spannung [V_BE]			+10% -10%
✖Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.ⓘ Thermische Spannung [V_t]			+10% -10%
✖Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.ⓘ Kollektor-Emitter-Spannung [V_CE]			+10% -10%
✖Die Versorgungsspannung ist die Eingangsspannungsquelle, die durch den BJT fließt.ⓘ Versorgungsspannung [V_DD]			+10% -10%

✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom gegeben Frühspannung für PNP-Transistor [I_c]

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Kollektorstrom gegeben Frühspannung für PNP-Transistor Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)*(1+Kollektor-Emitter-Spannung/Versorgungsspannung)
I_c = I_sat*e^(-V_BE/V_t)*(1+V_CE/V_DD)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 6 Variablen

Verwendete Konstanten

e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249

Verwendete Variablen

Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.
Kollektor-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung ist die Eingangsspannungsquelle, die durch den BJT fließt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Sättigungsstrom: 1.675 Milliampere --> 0.001675 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Basis-Emitter-Spannung: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kollektor-Emitter-Spannung: 3.15 Volt --> 3.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Versorgungsspannung: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_c = I_sat*e^(-V_BE/V_t)*(1+V_CE/V_DD) --> 0.001675*e^(-5.15/4.7)*(1+3.15/2.5)

Auswerten ... ...

I_c = 0.00126545696956445

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00126545696956445 Ampere -->1.26545696956445 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.26545696956445 ≈ 1.265457 Milliampere <-- Kollektorstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Kollektorstrom gegeben Frühspannung für PNP-Transistor Formel

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Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)*(1+Kollektor-Emitter-Spannung/Versorgungsspannung)
I_c = I_sat*e^(-V_BE/V_t)*(1+V_CE/V_DD)

Was ist ein PNP-Transistor?

Der Transistor, bei dem ein Material vom n-Typ mit zwei Materialien vom p-Typ dotiert ist, ist als PNP-Transistor bekannt. Es ist ein stromgesteuertes Gerät. Die geringe Menge an Basisstrom steuert sowohl den Emitter- als auch den Kollektorstrom. Der PNP-Transistor hat zwei Kristalldioden, die hintereinander geschaltet sind. Die linke Seite der Diode ist als Emitter-Basis-Diode und die rechte Seite der Diode als Kollektor-Basis-Diode bekannt.

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