Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz [g_m]			+10% -10%
✖Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird stark von zwei Faktoren beeinflusst: der Breite des Basisbereichs W und der relativen Dotierung des Basisbereichs und des Emitterbereichs.ⓘ Gemeinsame Emitterstromverstärkung [β]			+10% -10%
✖Der Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.ⓘ Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung [R'₁]			+10% -10%
✖Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.ⓘ Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung [R'₂]			+10% -10%

✖Differenzverstärkung ist die Verstärkung des Verstärkers, wenn ein Differenzeingang gespeist wird, d. h. Eingang 1 ist nicht gleich Eingang 2.ⓘ Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker [A_d]

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Formel

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Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker

Formel

`"A"_{"d"} = "g"_{"m"}*(1/("β"*"R'"_{"1"})+(1/(1/("β"*"R'"_{"2"}))))`

Beispiel

`"7.009"="0.25mS"*(1/("6.52"*"5.80kΩ")+(1/(1/("6.52"*"4.3kΩ"))))`

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Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Differenzgewinn = Transkonduktanz*(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)+(1/(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung))))
A_d = g_m*(1/(β*R'₁)+(1/(1/(β*R'₂))))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Differenzgewinn - Differenzverstärkung ist die Verstärkung des Verstärkers, wenn ein Differenzeingang gespeist wird, d. h. Eingang 1 ist nicht gleich Eingang 2.
Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Gemeinsame Emitterstromverstärkung - Die gemeinsame Emitterstromverstärkung wird stark von zwei Faktoren beeinflusst: der Breite des Basisbereichs W und der relativen Dotierung des Basisbereichs und des Emitterbereichs.
Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.
Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanz: 0.25 Millisiemens --> 0.00025 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gemeinsame Emitterstromverstärkung: 6.52 --> Keine Konvertierung erforderlich
Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung: 5.8 Kiloohm --> 5800 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung: 4.3 Kiloohm --> 4300 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A_d = g_m*(1/(β*R'₁)+(1/(1/(β*R'₂)))) --> 0.00025*(1/(6.52*5800)+(1/(1/(6.52*4300))))

Auswerten ... ...

A_d = 7.00900000661096

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

7.00900000661096 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

7.00900000661096 ≈ 7.009 <-- Differenzgewinn

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 Differentialkonfiguration Taschenrechner

Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker

Gehen Differenzgewinn = Transkonduktanz*(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)+(1/(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung))))

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Gehen Eingangs-Offsetspannung = sqrt((Änderung des Kollektorwiderstands/Sammlerwiderstand)^2+(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)^2)

Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Gleichtaktbereich = Grenzspannung+Effektive Spannung+Spannung zwischen Gate und Source-Lastspannung

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Gehen Eingangs-Offsetspannung = Grenzspannung*(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt

Gehen Eingangs-Offsetspannung = (Effektive Spannung/2)*(Seitenverhältnis/Seitenverhältnis 1)

Maximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Gleichtaktbereich = Grenzspannung+Lastspannung-(1/2*Lastwiderstand)

Eingangsspannung des MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

Gehen Eingangsspannung = Gleichtakt-Gleichspannung+(1/2*Differenzielles Eingangssignal)

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Eingangs-Offsetspannung = Ausgangs-DC-Offsetspannung/Differenzgewinn

Transkonduktanz eines MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

Gehen Transkonduktanz = Gesamtstrom/Effektive Spannung

Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker Formel

Was ist Differenzverstärkung und Gleichtaktverstärkung?

Die Differenzlastspannungsverstärkung ist die Verstärkung einer Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen auftritt. Es repräsentiert zwei verschiedene Spannungen an den Eingängen. Im Gegensatz dazu ist die Spannungsverstärkung bei gemeinsamer Last die Verstärkung einer Spannung, die an beiden Eingangsanschlüssen in Bezug auf Masse auftritt.

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