Edge-Rate Taschenrechner

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CMOS-Verzögerungseigenschaften

Array-Datenpfad-Subsystem

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CMOS-Spezialsubsystem

CMOS-Wechselrichter

CMOS-Zeiteigenschaften

Eigenschaften der CMOS-Schaltung

✖Die Anstiegszeit ist definiert als die Zeit, die ein Impuls in CMOS-Geräten benötigt, um von 10 Prozent auf 90 Prozent seines stabilen Wertes anzusteigen.ⓘ Aufstiegszeit [t_r]			+10% -10%
✖Die Abfallzeit ist die Zeit, in der eine Wellenform von 80 % auf 20 % ihres stationären Werts abfällt.ⓘ Abfallzeit [t_f]			+10% -10%

✖Die Flankengeschwindigkeit ist definiert als das Verhältnis der Anstiegszeit zur Abfallzeit.ⓘ Edge-Rate [t_e]

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Formel

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Edge-Rate

Formel

`"t"_{"e"} = ("t"_{"r"}+"t"_{"f"})/2`

Beispiel

`"6ns"=("2.8ns"+"9.2ns")/2`

Taschenrechner

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Edge-Rate Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kantenrate = (Aufstiegszeit+Abfallzeit)/2
t_e = (t_r+t_f)/2
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Kantenrate - (Gemessen in Zweite) - Die Flankengeschwindigkeit ist definiert als das Verhältnis der Anstiegszeit zur Abfallzeit.
Aufstiegszeit - (Gemessen in Zweite) - Die Anstiegszeit ist definiert als die Zeit, die ein Impuls in CMOS-Geräten benötigt, um von 10 Prozent auf 90 Prozent seines stabilen Wertes anzusteigen.
Abfallzeit - (Gemessen in Zweite) - Die Abfallzeit ist die Zeit, in der eine Wellenform von 80 % auf 20 % ihres stationären Werts abfällt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Aufstiegszeit: 2.8 Nanosekunde --> 2.8E-09 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Abfallzeit: 9.2 Nanosekunde --> 9.2E-09 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

t_e = (t_r+t_f)/2 --> (2.8E-09+9.2E-09)/2

Auswerten ... ...

t_e = 6E-09

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

6E-09 Zweite -->6 Nanosekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

6 Nanosekunde <-- Kantenrate

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 CMOS-Verzögerungseigenschaften Taschenrechner

Anstieg verzögern

Gehen Verzögerungsanstieg = Eigene Anstiegsverzögerung+(Erhebe den Widerstand*Verzögerungskapazität)+(Hanganstieg*Zurück verzögern)

Verzögerung des UND-ODER-Gatters in der grauen Zelle

Gehen Verzögerung des UND-ODER-Gatters = (Kritische Pfadverzögerung-Gesamtausbreitungsverzögerung-XOR-Gate-Verzögerung)/(Gates auf kritischem Weg-1)

Verzögerung von 1-Bit-Propagate-Gates

Gehen Gesamtausbreitungsverzögerung = Kritische Pfadverzögerung-((Gates auf kritischem Weg-1)*Verzögerung des UND-ODER-Gatters+XOR-Gate-Verzögerung)

Ausbreitungsverzögerung im Schaltkreis

Gehen Verzögerung der Schaltungsausbreitung = (Ausbreitungsverzögerung von hoch nach niedrig+Ausbreitungsverzögerung niedrig bis hoch)/2

Laufzeitverzögerung ohne parasitäre Kapazität

Gehen Ausbreitungsverzögerungskapazität = Verzögerung der Schaltungsausbreitung/Normalisierte Verzögerung

Normalisierte Verzögerung

Gehen Normalisierte Verzögerung = Gesamtausbreitungsverzögerung/Ausbreitungsverzögerungskapazität

Ausbreitungsverzögerung

Gehen Gesamtausbreitungsverzögerung = Normalisierte Verzögerung*Ausbreitungsverzögerungskapazität

Spannungsgesteuerte Verzögerungsleitung

Gehen Spannungsgesteuerte Verzögerungsleitung = Kleine Abweichungsverzögerung/VCDL-Verstärkung

Kleine Abweichungsverzögerung

Gehen Kleine Abweichungsverzögerung = VCDL-Verstärkung*Spannungsgesteuerte Verzögerungsleitung

VCDL-Verstärkung

Gehen VCDL-Verstärkung = Kleine Abweichungsverzögerung/Spannungsgesteuerte Verzögerungsleitung

Aufstiegszeit

Gehen Aufstiegszeit = 2*Kantenrate-Abfallzeit

Abfallzeit

Gehen Abfallzeit = 2*Kantenrate-Aufstiegszeit

Edge-Rate

Gehen Kantenrate = (Aufstiegszeit+Abfallzeit)/2

Edge-Rate Formel

Kantenrate = (Aufstiegszeit+Abfallzeit)/2
t_e = (t_r+t_f)/2

Erläutern Sie die Dimensionierung des Wechselrichters?

Bei der Dimensionierung eines Wechselrichters im digitalen Schaltungsdesign geht es um die Bestimmung der geeigneten Abmessungen (Breite und Länge) der Transistoren innerhalb der Wechselrichterschaltung. Ein Wechselrichter ist ein grundlegender Baustein in digitalen Schaltkreisen, und seine Größe spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung verschiedener Aspekte der Leistung des Schaltkreises, einschließlich Geschwindigkeit, Stromverbrauch und Rauschmargen.

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