Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand Taschenrechner

✖Die Eingangsspannung ist die am Eingang des Transistors erfasste Spannung.ⓘ Eingangsspannung [V_in]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Der Source-Widerstand ist der Widerstandswert, der am Source-Anschluss des Transistors angelegt wird.ⓘ Quellenwiderstand [R_s]			+10% -10%
✖Der Kleinsignalwiderstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Fluss kleiner Signale in einer elektronischen Schaltung.ⓘ Kleinsignalwiderstand [r_o]			+10% -10%

✖Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.ⓘ Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand [V_c]

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Formel

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Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand

Formel

`"V"_{"c"} = "V"_{"in"}*((1/"g"_{"m"})/((1/"g"_{"m"})*(("R"_{"s"}*"r"_{"o"})/("R"_{"s"}+"r"_{"o"}))))`

Beispiel

`"0.746962V"="9.4V"*((1/"0.5mS")/((1/"0.5mS")*(("12.6"*"10.1kΩ")/("12.6"+"10.1kΩ"))))`

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Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kritische Spannung = Eingangsspannung*((1/Steilheit)/((1/Steilheit)*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))))
V_c = V_in*((1/g_m)/((1/g_m)*((R_s*r_o)/(R_s+r_o))))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Kritische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.
Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsspannung ist die am Eingang des Transistors erfasste Spannung.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Quellenwiderstand - Der Source-Widerstand ist der Widerstandswert, der am Source-Anschluss des Transistors angelegt wird.
Kleinsignalwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Kleinsignalwiderstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Fluss kleiner Signale in einer elektronischen Schaltung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Eingangsspannung: 9.4 Volt --> 9.4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Quellenwiderstand: 12.6 --> Keine Konvertierung erforderlich
Kleinsignalwiderstand: 10.1 Kiloohm --> 10100 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_c = V_in*((1/g_m)/((1/g_m)*((R_s*r_o)/(R_s+r_o)))) --> 9.4*((1/0.0005)/((1/0.0005)*((12.6*10100)/(12.6+10100))))

Auswerten ... ...

V_c = 0.746962439101053

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.746962439101053 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.746962439101053 ≈ 0.746962 Volt <-- Kritische Spannung

(Berechnung in 00.008 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Kleinsignalanalyse Taschenrechner

Kleine Signalspannungsverstärkung in Bezug auf den Eingangswiderstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Selbstinduzierter Widerstand))*((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand))/(1/Steilheit+((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand)))

Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung*((1/Steilheit)/((1/Steilheit)*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))))

Gemeinsame Drain-Ausgangsspannung im Kleinsignal

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Kritische Spannung*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))

Ausgangsspannung des Kleinsignal-P-Kanals

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Abflusswiderstand+Ausgangswiderstand))

Spannungsverstärkung für Kleinsignale

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*(1/((1/Lastwiderstand)+(1/Abflusswiderstand))))/(1+(Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand))

Kleinsignal-Spannungsverstärkung in Bezug auf den Drain-Widerstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Ausgangswiderstand+Abflusswiderstand)))

Ausgangsstrom des Kleinsignals

Gehen Ausgangsstrom = (Steilheit*Kritische Spannung)*(Abflusswiderstand/(Lastwiderstand+Abflusswiderstand))

Eingangsstrom des Kleinsignals

Gehen Eingangsstrom des Kleinsignals = (Kritische Spannung*((1+Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand)/Selbstinduzierter Widerstand))

Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = 1/Mittlerer freier Elektronenweg*sqrt((2*Transkonduktanzparameter verarbeiten)/Stromverbrauch)

Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern

Gehen Steilheit = 2*Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung)

Gate-Source-Spannung im Kleinsignal

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Kleinsignal-Ausgangsspannung

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*Lastwiderstand

Drainstrom des MOSFET-Kleinsignals

Gehen Stromverbrauch = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Ausgangswiderstand)

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

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