Lochstrom des Emitters Taschenrechner

✖Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom eines Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.ⓘ Basisstrom [i_b]			+10% -10%
✖Der Kollektorstrom bezieht sich auf den Strom, der zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen fließt, wenn sich der Transistor im EIN-Zustand befindet.ⓘ Kollektorstrom [i_c]			+10% -10%

✖Der Lochstrom des Emitters bezieht sich insbesondere auf den Strom, der von Löchern getragen wird, die sich vom N-Typ-Emitter zum P-Typ-Basisbereich des BJT bewegen.ⓘ Lochstrom des Emitters [i_e]

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Formel

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Lochstrom des Emitters

Formel

`"i"_{"e"} = "i"_{"b"}+"i"_{"c"}`

Beispiel

`"8.5A"="4A"+"4.5A"`

Taschenrechner

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Lochstrom des Emitters Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Lochstrom des Emitters = Basisstrom+Kollektorstrom
i_e = i_b+i_c
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Lochstrom des Emitters - (Gemessen in Ampere) - Der Lochstrom des Emitters bezieht sich insbesondere auf den Strom, der von Löchern getragen wird, die sich vom N-Typ-Emitter zum P-Typ-Basisbereich des BJT bewegen.
Basisstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom eines Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom bezieht sich auf den Strom, der zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen fließt, wenn sich der Transistor im EIN-Zustand befindet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Basisstrom: 4 Ampere --> 4 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Kollektorstrom: 4.5 Ampere --> 4.5 Ampere Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_e = i_b+i_c --> 4+4.5

Auswerten ... ...

i_e = 8.5

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

8.5 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

8.5 Ampere <-- Lochstrom des Emitters

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Gowthaman N

Vellore Institut für Technologie (VIT-Universität), Chennai

Gowthaman N hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

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Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = sqrt(Gemeinsame Emitter-Kurzschlussverstärkungsfrequenz/(8*pi*Basiswiderstand*Kollektorbasiskapazität))

Base-Collector-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Basiskollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Ladezeit der Emitterbasis

Gehen Ladezeit des Emitters = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit)

Ladezeit des Kollektors

Gehen Ladezeit des Kollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)

Basis-Transitzeit

Gehen Basislaufzeit = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Ladezeit des Emitters)

Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit

Gehen Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors = Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters

Kollektor-Basiskapazität

Gehen Kollektorbasiskapazität = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Basiswiderstand)

Basiswiderstand

Gehen Basiswiderstand = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Kollektorbasiskapazität)

Sättigungsdriftgeschwindigkeit

Gehen Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT = Abstand zwischen Emitter und Kollektor/Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor

Lawinenmultiplikationsfaktor

Gehen Lawinenmultiplikationsfaktor = 1/(1-(Angelegte Spannung/Lawinendurchbruchspannung)^Numerischer Dopingfaktor)

Emitter-Kollektor-Abstand

Gehen Abstand zwischen Emitter und Kollektor = Maximale angelegte Spannung in BJT/Maximales elektrisches Feld in BJT

Grenzfrequenz der Mikrowelle

Gehen Grenzfrequenz in BJT = 1/(2*pi*Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors)

Gesamtladezeit

Gehen Gesamtladezeit = Ladezeit des Emitters+Ladezeit des Kollektors

Gesamtlaufzeit

Gehen Gesamtlaufzeit = Basislaufzeit+Collector-Depletion-Region

Lochstrom des Emitters

Gehen Lochstrom des Emitters = Basisstrom+Kollektorstrom