Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt Taschenrechner

✖Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.ⓘ Effektive Spannung [V_ov]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist das Verhältnis der Breite des Kanals zur Länge des Kanals.ⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%
✖Seitenverhältnis 1 ist das Verhältnis der Breite des Kanals zur Länge des Kanals.ⓘ Seitenverhältnis 1 [WL₁]			+10% -10%

✖Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.ⓘ Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt [V_os]

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Formel

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Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt

Formel

`"V"_{"os"} = ("V"_{"ov"}/2)*("WL"/"WL"_{"1"})`

Beispiel

`"3.531073V"=("2.50V"/2)*("5"/"1.77")`

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Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eingangs-Offsetspannung = (Effektive Spannung/2)*(Seitenverhältnis/Seitenverhältnis 1)
V_os = (V_ov/2)*(WL/WL₁)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Eingangs-Offsetspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsoffsetspannung ist die Spannung, die zwischen den beiden Eingangsanschlüssen des Operationsverstärkers angelegt werden muss, um am Ausgang Null Volt zu erhalten.
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist das Verhältnis der Breite des Kanals zur Länge des Kanals.
Seitenverhältnis 1 - Seitenverhältnis 1 ist das Verhältnis der Breite des Kanals zur Länge des Kanals.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Effektive Spannung: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Seitenverhältnis: 5 --> Keine Konvertierung erforderlich
Seitenverhältnis 1: 1.77 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_os = (V_ov/2)*(WL/WL₁) --> (2.5/2)*(5/1.77)

Auswerten ... ...

V_os = 3.53107344632768

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.53107344632768 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.53107344632768 ≈ 3.531073 Volt <-- Eingangs-Offsetspannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 Differentialkonfiguration Taschenrechner

Differenzspannungsverstärkung im MOS-Differenzverstärker

Gehen Differenzgewinn = Transkonduktanz*(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)+(1/(1/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung))))

Gesamteingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Gehen Eingangs-Offsetspannung = sqrt((Änderung des Kollektorwiderstands/Sammlerwiderstand)^2+(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)^2)

Minimaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Gleichtaktbereich = Grenzspannung+Effektive Spannung+Spannung zwischen Gate und Source-Lastspannung

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers bei Sättigungsstrom

Gehen Eingangs-Offsetspannung = Grenzspannung*(Sättigungsstrom für Gleichstrom/Sättigungsstrom)

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt

Gehen Eingangs-Offsetspannung = (Effektive Spannung/2)*(Seitenverhältnis/Seitenverhältnis 1)

Maximaler Eingangs-Gleichtaktbereich des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Gleichtaktbereich = Grenzspannung+Lastspannung-(1/2*Lastwiderstand)

Eingangsspannung des MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

Gehen Eingangsspannung = Gleichtakt-Gleichspannung+(1/2*Differenzielles Eingangssignal)

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers

Gehen Eingangs-Offsetspannung = Ausgangs-DC-Offsetspannung/Differenzgewinn

Transkonduktanz eines MOS-Differenzverstärkers im Kleinsignalbetrieb

Gehen Transkonduktanz = Gesamtstrom/Effektive Spannung

Eingangsoffsetspannung des MOS-Differenzverstärkers, wenn das Seitenverhältnis nicht übereinstimmt Formel

Eingangs-Offsetspannung = (Effektive Spannung/2)*(Seitenverhältnis/Seitenverhältnis 1)
V_os = (V_ov/2)*(WL/WL₁)

Warum ist die Eingangsoffsetspannung wichtig?

Bei Verwendung in Verstärkern von Sensoren usw. führt die Eingangsoffsetspannung des Operationsverstärkers zu einem Fehler der Sensorerkennungsempfindlichkeit. Um Erfassungsfehler unter einem bestimmten Toleranzniveau zu halten, muss ein Operationsverstärker mit niedriger Eingangsoffsetspannung ausgewählt werden.

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