Sättigungsstrom des Emitterfolgers Taschenrechner

✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom [i_c]			+10% -10%
✖Die Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung ist die Durchlassspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors.ⓘ Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung [V_be]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom des Emitterfolgers [i_s]

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Formel

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Sättigungsstrom des Emitterfolgers

Formel

`"i"_{"s"} = "i"_{"c"}/e^("V"_{"be"}/"V"_{"t"})`

Beispiel

`"0.01002mA"="39.52mA"/e^("16.56V"/"2V")`

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Sättigungsstrom des Emitterfolgers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
i_s = i_c/e^(V_be/V_t)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

e - Napier-Konstante Wert genommen als 2.71828182845904523536028747135266249

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode bei Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung - (Gemessen in Volt) - Die Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung ist die Durchlassspannung zwischen Basis und Emitter des Transistors.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kollektorstrom: 39.52 Milliampere --> 0.03952 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung: 16.56 Volt --> 16.56 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_s = i_c/e^(V_be/V_t) --> 0.03952/e^(16.56/2)

Auswerten ... ...

i_s = 1.00197901453726E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.00197901453726E-05 Ampere -->0.0100197901453726 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0100197901453726 ≈ 0.01002 Milliampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Ausgangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)

Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Sättigungsstrom des Emitterfolgers

Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Eingangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)

Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors

Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand

Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang

Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand

Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers

Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante

Eingangswiderstand des Transistorverstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom

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Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf

Gehen Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1

Ausgangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)

Drain-Widerstand des Kaskodenverstärkers

Gehen Abflusswiderstand = (Ausgangsspannungsverstärkung/(MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand))

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Gehen Ausgangsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand

Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert

Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Sättigungsstrom des Emitterfolgers

Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)

Äquivalenter Widerstand des Kaskodenverstärkers

Gehen Widerstand zwischen Abfluss und Erde = (1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Eingangswiderstand)^-1

Negative Spannungsverstärkung des Kaskodenverstärkers

Gehen Negative Spannungsverstärkung = -(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde)

Eingangswiderstand des Emitterfolgers

Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)

Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors

Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand

Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang

Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand

Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers

Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante

Eingangswiderstand des Transistorverstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom

Eingangsspannung des Emitterfolgers

Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

Sättigungsstrom des Emitterfolgers Formel

Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
i_s = i_c/e^(V_be/V_t)

Was ist mit Emitterfolger gemeint?

Der Emitterfolger ist ein Fall der Gegenstrom-Rückkopplungsschaltung. Dies wird hauptsächlich als Verstärker der letzten Stufe in Signalgeneratorschaltungen verwendet. Die wichtigen Merkmale von Emitter Follower sind: - Es hat eine hohe Eingangsimpedanz. Es hat eine niedrige Ausgangsimpedanz.

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