Eingangswiderstand des Emitterfolgers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Rin = 1/(1/Rsb+1/Rb)
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand 2 ist der Widerstand, den eine elektrische Komponente oder Schaltung dem Stromfluss entgegensetzt, wenn eine Spannung an sie angelegt wird.
Signalwiderstand in der Basis - (Gemessen in Ohm) - Der Signalwiderstand in der Basis ist der Strom, der zu jedem Zeitpunkt durch die Basis fließt.
Basiswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Basiswiderstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Signalwiderstand in der Basis: 0.41 Kiloohm --> 410 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Basiswiderstand: 1.213 Kiloohm --> 1213 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rin = 1/(1/Rsb+1/Rb) --> 1/(1/410+1/1213)
Auswerten ... ...
Rin = 306.426370918053
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
306.426370918053 Ohm -->0.306426370918053 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.306426370918053 0.306426 Kiloohm <-- Eingangswiderstand
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

10+ Emitter-Folger Taschenrechner

Ausgangswiderstand des Emitterfolgers
​ Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)
Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert
​ Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Sättigungsstrom des Emitterfolgers
​ Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Eingangswiderstand des Emitterfolgers
​ Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung
​ Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors
​ Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang
​ Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers
​ Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante
Eingangswiderstand des Transistorverstärkers
​ Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom
Eingangsspannung des Emitterfolgers
​ Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

15 Mehrstufige Transistorverstärker Taschenrechner

Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf
​ Gehen Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1
Ausgangswiderstand des Emitterfolgers
​ Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)
Drain-Widerstand des Kaskodenverstärkers
​ Gehen Abflusswiderstand = (Ausgangsspannungsverstärkung/(MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand))
Verstärkung der Ausgangsspannung des MOS-Kaskodenverstärkers
​ Gehen Ausgangsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand
Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert
​ Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Sättigungsstrom des Emitterfolgers
​ Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Äquivalenter Widerstand des Kaskodenverstärkers
​ Gehen Widerstand zwischen Abfluss und Erde = (1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Eingangswiderstand)^-1
Negative Spannungsverstärkung des Kaskodenverstärkers
​ Gehen Negative Spannungsverstärkung = -(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde)
Eingangswiderstand des Emitterfolgers
​ Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung
​ Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors
​ Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang
​ Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers
​ Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante
Eingangswiderstand des Transistorverstärkers
​ Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom
Eingangsspannung des Emitterfolgers
​ Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

Eingangswiderstand des Emitterfolgers Formel

Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Rin = 1/(1/Rsb+1/Rb)

Was ist mit Emitterfolger gemeint?

Der Emitterfolger ist ein Fall der Gegenstrom-Rückkopplungsschaltung. Dies wird hauptsächlich als Verstärker der letzten Stufe in Signalgeneratorschaltungen verwendet. Die wichtigen Merkmale von Emitter Follower sind: - Es hat eine hohe Eingangsimpedanz. Es hat eine niedrige Ausgangsimpedanz.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!