Eingangsspannung des Emitterfolgers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Emitterspannung = Basisspannung-0.7
Ve = Vb-0.7
Diese formel verwendet 2 Variablen
Verwendete Variablen
Emitterspannung - (Gemessen in Volt) - Unter Emitterspannung versteht man die Spannung, die an den Emitter eines Bipolartransistors oder eines Feldeffekttransistors angelegt wird, um den Stromfluss zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen zu steuern.
Basisspannung - (Gemessen in Volt) - Unter Basisspannung versteht man die Spannung, die an die Basis eines Bipolartransistors angelegt wird, um den Stromfluss zu steuern.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Basisspannung: 25.277 Volt --> 25.277 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Ve = Vb-0.7 --> 25.277-0.7
Auswerten ... ...
Ve = 24.577
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
24.577 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
24.577 Volt <-- Emitterspannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

10+ Emitter-Folger Taschenrechner

Ausgangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)
Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert
Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Sättigungsstrom des Emitterfolgers
Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Eingangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung
Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors
Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang
Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers
Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante
Eingangswiderstand des Transistorverstärkers
Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom
Eingangsspannung des Emitterfolgers
Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

15 Mehrstufige Transistorverstärker Taschenrechner

Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf
Gehen Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1
Ausgangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)
Drain-Widerstand des Kaskodenverstärkers
Gehen Abflusswiderstand = (Ausgangsspannungsverstärkung/(MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand))
Verstärkung der Ausgangsspannung des MOS-Kaskodenverstärkers
Gehen Ausgangsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand
Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert
Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Sättigungsstrom des Emitterfolgers
Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Äquivalenter Widerstand des Kaskodenverstärkers
Gehen Widerstand zwischen Abfluss und Erde = (1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Eingangswiderstand)^-1
Negative Spannungsverstärkung des Kaskodenverstärkers
Gehen Negative Spannungsverstärkung = -(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde)
Eingangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung
Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors
Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang
Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers
Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante
Eingangswiderstand des Transistorverstärkers
Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom
Eingangsspannung des Emitterfolgers
Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

Eingangsspannung des Emitterfolgers Formel

Emitterspannung = Basisspannung-0.7
Ve = Vb-0.7

Was ist mit Emitterfolger gemeint?

Der Emitterfolger ist ein Fall der Gegenstrom-Rückkopplungsschaltung. Dies wird hauptsächlich als Verstärker der letzten Stufe in Signalgeneratorschaltungen verwendet. Die wichtigen Merkmale von Emitter Follower sind: - Es hat eine hohe Eingangsimpedanz. Es hat eine niedrige Ausgangsimpedanz.

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