Leckstrom der Kollektor-Basis-Verbindung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Kollektorbasis-Leckstrom = Kollektorstrom-Common-Base-Stromverstärkung*Kollektorstrom
ICBO = IC-α*IC
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Kollektorbasis-Leckstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektor-Basis-Leckstrom ist ein Strom, der in einem Bipolartransistor (BJT) zwischen den Kollektor- und Basisanschlüssen fließt, wenn sich der Transistor in seinem umgekehrt vorgespannten Zustand befindet.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom bezieht sich auf den Strom, der zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen fließt, wenn sich der Thyristor im leitenden oder eingeschalteten Zustand befindet.
Common-Base-Stromverstärkung - Die Common-Base-Stromverstärkung ist definiert als die Änderung des Kollektorstroms dividiert durch die Änderung des Emitterstroms, wenn die Basis-Kollektor-Spannung konstant ist.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kollektorstrom: 100 Ampere --> 100 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Common-Base-Stromverstärkung: 0.7 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
ICBO = IC-α*IC --> 100-0.7*100
Auswerten ... ...
ICBO = 30
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
30 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
30 Ampere <-- Kollektorbasis-Leckstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Devyaani Garg
Shiv Nadar Universität (SNU), Großraum Noida
Devyaani Garg hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

5 SCR-Leistungsparameter Taschenrechner

Worst-Case-Dauerzustandsspannung über dem ersten Thyristor in in Reihe geschalteten Thyristoren
Gehen Im schlimmsten Fall stationäre Spannung = (Resultierende Reihenspannung des Thyristorstrangs+Stabilisierender Widerstand*(Anzahl der in Reihe geschalteten Thyristoren-1)*Stromverteilung im Aus-Zustand)/Anzahl der in Reihe geschalteten Thyristoren
Derating-Faktor des in Reihe geschalteten Thyristorstrangs
Gehen Derating-Faktor des Thyristorstrangs = 1-Resultierende Reihenspannung des Thyristorstrangs/(Im schlimmsten Fall stationäre Spannung*Anzahl der in Reihe geschalteten Thyristoren)
Verlustleistung durch Wärme im SCR
Gehen Durch Wärme abgegebene Leistung = (Stellentemperatur-Umgebungstemperatur)/Wärmewiderstand
Thermischer Widerstand von SCR
Gehen Wärmewiderstand = (Stellentemperatur-Umgebungstemperatur)/Durch Wärme abgegebene Leistung
Leckstrom der Kollektor-Basis-Verbindung
Gehen Kollektorbasis-Leckstrom = Kollektorstrom-Common-Base-Stromverstärkung*Kollektorstrom

16 SCR-Eigenschaften Taschenrechner

Worst-Case-Dauerzustandsspannung über dem ersten Thyristor in in Reihe geschalteten Thyristoren
Gehen Im schlimmsten Fall stationäre Spannung = (Resultierende Reihenspannung des Thyristorstrangs+Stabilisierender Widerstand*(Anzahl der in Reihe geschalteten Thyristoren-1)*Stromverteilung im Aus-Zustand)/Anzahl der in Reihe geschalteten Thyristoren
Thyristorkommutierungsspannung für Klasse-B-Kommutierung
Gehen Thyristor-Kommutierungsspannung = Eingangsspannung*cos(Winkelfrequenz*(Thyristor-Sperrvorspannungszeit-Hilfsthyristor-Sperrvorspannungszeit))
Derating-Faktor des in Reihe geschalteten Thyristorstrangs
Gehen Derating-Faktor des Thyristorstrangs = 1-Resultierende Reihenspannung des Thyristorstrangs/(Im schlimmsten Fall stationäre Spannung*Anzahl der in Reihe geschalteten Thyristoren)
Zeitraum für UJT als Oszillator-Thyristor-Zündkreis
Gehen Zeitraum von UJT als Oszillator = Stabilisierender Widerstand*Kapazität*ln(1/(1-Intrinsisches Abstandsverhältnis))
Stromkreis-Ausschaltzeit Kommutierung der Klasse B
Gehen Schaltkreis-Ausschaltzeit, Kommutierung der Klasse B = Thyristor-Kommutierungskapazität*Thyristor-Kommutierungsspannung/Laststrom
Frequenz des UJT als Oszillator-Thyristor-Zündkreis
Gehen Frequenz = 1/(Stabilisierender Widerstand*Kapazität*ln(1/(1-Intrinsisches Abstandsverhältnis)))
Emitterstrom für UJT-basierte Thyristor-Zündschaltung
Gehen Emitterstrom = (Emitterspannung-Diodenspannung)/(Emitter-Widerstandsbasis 1+Emitterwiderstand)
Stromkreis-Ausschaltzeit Kommutierung der Klasse C
Gehen Schaltkreis-Ausschaltzeit, Kommutierung der Klasse C = Stabilisierender Widerstand*Thyristor-Kommutierungskapazität*ln(2)
Intrinsisches Abstandsverhältnis für UJT-basierte Thyristor-Zündschaltung
Gehen Intrinsisches Abstandsverhältnis = Emitter-Widerstandsbasis 1/(Emitter-Widerstandsbasis 1+Emitter-Widerstandsbasis 2)
Spitzenstromklasse B Thyristorkommutierung
Gehen Spitzenstrom = Eingangsspannung*sqrt(Thyristor-Kommutierungskapazität/Induktivität)
Thyristor-Leitungszeit für Klasse-A-Kommutation
Gehen Thyristor-Leitungszeit = pi*sqrt(Induktivität*Thyristor-Kommutierungskapazität)
Verlustleistung durch Wärme im SCR
Gehen Durch Wärme abgegebene Leistung = (Stellentemperatur-Umgebungstemperatur)/Wärmewiderstand
Thermischer Widerstand von SCR
Gehen Wärmewiderstand = (Stellentemperatur-Umgebungstemperatur)/Durch Wärme abgegebene Leistung
Leckstrom der Kollektor-Basis-Verbindung
Gehen Kollektorbasis-Leckstrom = Kollektorstrom-Common-Base-Stromverstärkung*Kollektorstrom
Entladestrom von dv-dt-Schutz-Thyristorschaltungen
Gehen Entladestrom = Eingangsspannung/((Widerstand 1+Widerstand 2))
Emitterspannung zum Einschalten des UJT-basierten Thyristorzündkreises
Gehen Emitterspannung = Emitterwiderstand Basis 1 Spannung+Diodenspannung

Leckstrom der Kollektor-Basis-Verbindung Formel

Kollektorbasis-Leckstrom = Kollektorstrom-Common-Base-Stromverstärkung*Kollektorstrom
ICBO = IC-α*IC

Wie hängt die obige Formel mit Thyristoren zusammen?

Ein Thyristor kann als zwei komplementäre Transistoren betrachtet werden, ein PNP-Transistor Q.

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