Maximal angelegte Spannung über Diode Taschenrechner

✖Das maximale elektrische Feld ist die maximale Kraft pro ausgeübter Ladungseinheit.ⓘ Maximales elektrisches Feld [E_m]			+10% -10%
✖Die Verarmungslänge ist der Abstand vom Übergang zwischen den Materialien vom p-Typ und n-Typ bis zu dem Punkt, an dem die Konzentration beweglicher Ladungsträger auf nahezu Null abgefallen ist.ⓘ Erschöpfungslänge [L_depl]			+10% -10%

✖Die maximal angelegte Spannung an einer Diode ist die höchste Spannung, die an die Diode angelegt werden kann, ohne dauerhafte Schäden oder einen Ausfall zu verursachen.ⓘ Maximal angelegte Spannung über Diode [V_m]

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Formel

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Maximal angelegte Spannung über Diode

Formel

`"V"_{"m"} = "E"_{"m"}*"L"_{"depl"}`

Beispiel

`"77mV"="100V/m"*"0.77mm"`

Taschenrechner

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Maximal angelegte Spannung über Diode Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Maximal angelegte Spannung = Maximales elektrisches Feld*Erschöpfungslänge
V_m = E_m*L_depl
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Maximal angelegte Spannung - (Gemessen in Volt) - Die maximal angelegte Spannung an einer Diode ist die höchste Spannung, die an die Diode angelegt werden kann, ohne dauerhafte Schäden oder einen Ausfall zu verursachen.
Maximales elektrisches Feld - (Gemessen in Volt pro Meter) - Das maximale elektrische Feld ist die maximale Kraft pro ausgeübter Ladungseinheit.
Erschöpfungslänge - (Gemessen in Meter) - Die Verarmungslänge ist der Abstand vom Übergang zwischen den Materialien vom p-Typ und n-Typ bis zu dem Punkt, an dem die Konzentration beweglicher Ladungsträger auf nahezu Null abgefallen ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Maximales elektrisches Feld: 100 Volt pro Meter --> 100 Volt pro Meter Keine Konvertierung erforderlich
Erschöpfungslänge: 0.77 Millimeter --> 0.00077 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_m = E_m*L_depl --> 100*0.00077

Auswerten ... ...

V_m = 0.077

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.077 Volt -->77 Millivolt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

77 Millivolt <-- Maximal angelegte Spannung

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Zimmertemperatur

Gehen Umgebungstemperatur = (2*Diodentemperatur*((1/(Kopplungskoeffizient*Q-Faktor))+(1/((Kopplungskoeffizient*Q-Faktor)^2))))/(Rauschzahl des Aufwärtswandlers-1)

Durchschnittliche Diodentemperatur unter Verwendung von Einseitenbandrauschen

Gehen Diodentemperatur = (Rauschzahl des Einseitenbands-2)*((Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur)/(2*Diodenwiderstand))

Rauschzahl des Doppelseitenbandes

Gehen Rauschzahl des Doppelseitenbandes = 1+((Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))

Rauschzahl des Einseitenbands

Gehen Rauschzahl des Einseitenbands = 2+((2*Diodentemperatur*Diodenwiderstand)/(Ausgangswiderstand des Signalgenerators*Umgebungstemperatur))

Spannungsreflexionskoeffizient der Tunneldiode

Gehen Spannungsreflexionskoeffizient = (Impedanz-Tunneldiode-Charakteristische Impedanz)/(Impedanz-Tunneldiode+Charakteristische Impedanz)

Verstärkerverstärkung der Tunneldiode

Gehen Verstärkerverstärkung der Tunneldiode = Negativer Widerstand in der Tunneldiode/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode-Lastwiderstand)

Verhältnis negativer Widerstand zu Reihenwiderstand

Gehen Verhältnis des negativen Widerstands zum Serienwiderstand = Äquivalenter negativer Widerstand/Gesamtserienwiderstand bei Leerlauffrequenz

Tunneldioden-Ausgangsleistung

Gehen Ausgangsleistung der Tunneldiode = (Spannungstunneldiode*Aktuelle Tunneldiode)/(2*pi)

Bandbreite mit dynamischem Qualitätsfaktor

Gehen Bandbreite = Dynamischer Q-Faktor/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)

Dynamischer Q-Faktor

Gehen Dynamischer Q-Faktor = Bandbreite/(Winkelfrequenz*Reihenwiderstand der Diode)

Maximal angelegte Spannung über Diode

Gehen Maximal angelegte Spannung = Maximales elektrisches Feld*Erschöpfungslänge

Maximal angelegter Strom über die Diode

Gehen Maximal angelegter Strom = Maximal angelegte Spannung/Reaktive Impedanz

Reaktive Impedanz

Gehen Reaktive Impedanz = Maximal angelegte Spannung/Maximal angelegter Strom

Negative Leitfähigkeit der Tunneldiode

Gehen Tunneldiode mit negativem Leitwert = 1/(Negativer Widerstand in der Tunneldiode)

Größe des negativen Widerstands

Gehen Negativer Widerstand in der Tunneldiode = 1/(Tunneldiode mit negativem Leitwert)

Leistungsgewinn der Tunneldiode

Gehen Leistungsgewinn der Tunneldiode = Spannungsreflexionskoeffizient^2

Maximal angelegte Spannung über Diode Formel

Maximal angelegte Spannung = Maximales elektrisches Feld*Erschöpfungslänge
V_m = E_m*L_depl

Was ist Netzfrequenzspannung?

Das Verhältnis der Durchbruchspannung für eine Isolierung oder einen Spalt aufgrund einer Impulsspannung von spezifiziertem t1 / t2 oder einer bestimmten Form zur Durchbruchspannung der Netzfrequenz wird als Impulsverhältnis definiert.

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