MESFET-Grenzfrequenz Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.ⓘ Transkonduktanz des MESFET [G_m]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]			+10% -10%

✖Die MESFET-Grenzfrequenz stellt die Frequenz dar, bei der die Stromverstärkung (oder Transkonduktanz) des Transistors deutlich abzunehmen beginnt.ⓘ MESFET-Grenzfrequenz [f_co]

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Formel

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MESFET-Grenzfrequenz

Formel

`"f"_{"co"} = "G"_{"m"}/(2*pi*"C"_{"gs"})`

Beispiel

`"179.2539Hz"="0.063072S"/(2*pi*"56μF")`

Taschenrechner

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MESFET-Grenzfrequenz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

MESFET-Grenzfrequenz = Transkonduktanz des MESFET/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)
f_co = G_m/(2*pi*C_gs)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

MESFET-Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die MESFET-Grenzfrequenz stellt die Frequenz dar, bei der die Stromverstärkung (oder Transkonduktanz) des Transistors deutlich abzunehmen beginnt.
Transkonduktanz des MESFET - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanz des MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Kapazität: 56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

f_co = G_m/(2*pi*C_gs) --> 0.063072/(2*pi*5.6E-05)

Auswerten ... ...

f_co = 179.253938762358

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

179.253938762358 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

179.253938762358 ≈ 179.2539 Hertz <-- MESFET-Grenzfrequenz

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Leistungsgewinn des Abwärtswandlers bei gegebenem Degradationsfaktor

Gehen Leistungsverstärkung des Abwärtswandlers = Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Verstärkungsdegradationsfaktor für MESFET

Gehen Degradationsfaktor gewinnen = Ausgangsfrequenz/Signalfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Rauschfaktor GaAs MESFET

Gehen Lärmfaktor = 1+2*Winkelfrequenz*Gate-Source-Kapazität/Transkonduktanz des MESFET*sqrt((Quellenwiderstand-Gate-Widerstand)/Eingangswiderstand)

Maximale Betriebsfrequenz

Gehen Maximale Betriebsfrequenz = MESFET-Grenzfrequenz/2*sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand+Widerstand der Gate-Metallisierung))

Maximal zulässige Leistung

Gehen Maximal zulässige Leistung = 1/(Reaktanz*Transitzeit-Grenzfrequenz^2)*(Maximales elektrisches Feld*Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit/(2*pi))^2

Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors

Gehen Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz

Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET

Gehen Transkonduktanz des MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung))

MESFET-Grenzfrequenz

Gehen MESFET-Grenzfrequenz = Transkonduktanz des MESFET/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Transitwinkel

Gehen Transitwinkel = Winkelfrequenz*Länge des Driftraums/Trägerdriftgeschwindigkeit

Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Sättigungsgeschwindigkeit/(2*pi*Kanallänge)

MESFET-Grenzfrequenz Formel

MESFET-Grenzfrequenz = Transkonduktanz des MESFET/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)
f_co = G_m/(2*pi*C_gs)

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