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✖
Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.
ⓘ
Transkonduktanz des MESFET [G
m
]
Megasiemens
Mho
Mikromho
Millisiemens
Siemens
+10%
-10%
✖
Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).
ⓘ
Gate-Source-Kapazität [C
gs
]
Farad
Femtofarad
Kilofarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Pikofarad
+10%
-10%
✖
Die MESFET-Grenzfrequenz stellt die Frequenz dar, bei der die Stromverstärkung (oder Transkonduktanz) des Transistors deutlich abzunehmen beginnt.
ⓘ
MESFET-Grenzfrequenz [f
co
]
Schläge / Minute
Zyklus / Sekunde
Frames pro Sekunde
Gigahertz
Hektohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
Petahertz
Pikohertz
Umdrehung pro Stunde
Umdrehung pro Minute
Revolution pro Sekunde
Terahertz
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
MESFET-Grenzfrequenz
Formel
f
co
=
G
m
2
⋅
π
⋅
C
gs
Beispiel
179.2539 Hz
=
0.063072 S
2
⋅
π
⋅
56 μF
Taschenrechner
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Herunterladen Mikrowellenhalbleiterbauelemente Formel Pdf
MESFET-Grenzfrequenz Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
MESFET-Grenzfrequenz
=
Transkonduktanz des MESFET
/(2*
pi
*
Gate-Source-Kapazität
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
Diese formel verwendet
1
Konstanten
,
3
Variablen
Verwendete Konstanten
pi
- Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
MESFET-Grenzfrequenz
-
(Gemessen in Hertz)
- Die MESFET-Grenzfrequenz stellt die Frequenz dar, bei der die Stromverstärkung (oder Transkonduktanz) des Transistors deutlich abzunehmen beginnt.
Transkonduktanz des MESFET
-
(Gemessen in Siemens)
- Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.
Gate-Source-Kapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Transkonduktanz des MESFET:
0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Kapazität:
56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
f
co
= G
m
/(2*pi*C
gs
) -->
0.063072/(2*
pi
*5.6E-05)
Auswerten ... ...
f
co
= 179.253938762358
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
179.253938762358 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
179.253938762358
≈
179.2539 Hertz
<--
MESFET-Grenzfrequenz
(Berechnung in 00.028 sekunden abgeschlossen)
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MESFET-Grenzfrequenz
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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Transistorverstärker Taschenrechner
Maximale Betriebsfrequenz
Gehen
Maximale Betriebsfrequenz
=
MESFET-Grenzfrequenz
/2*
sqrt
(
Abflusswiderstand
/(
Quellenwiderstand
+
Eingangswiderstand
+
Widerstand der Gate-Metallisierung
))
Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET
Gehen
Transkonduktanz des MESFET
=
Ausgangsleitfähigkeit
*(1-
sqrt
((
Eingangsspannung
-
Grenzspannung
)/
Abschnürspannung
))
MESFET-Grenzfrequenz
Gehen
MESFET-Grenzfrequenz
=
Transkonduktanz des MESFET
/(2*
pi
*
Gate-Source-Kapazität
)
Maximale Schwingungsfrequenz
Gehen
Maximale Schwingungsfrequenz
=
Sättigungsgeschwindigkeit
/(2*
pi
*
Kanallänge
)
Mehr sehen >>
MESFET-Grenzfrequenz Formel
MESFET-Grenzfrequenz
=
Transkonduktanz des MESFET
/(2*
pi
*
Gate-Source-Kapazität
)
f
co
=
G
m
/(2*
pi
*
C
gs
)
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