Maximale Betriebsfrequenz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Maximale Betriebsfrequenz = MESFET-Grenzfrequenz/2*sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand+Widerstand der Gate-Metallisierung))
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 6 Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Maximale Betriebsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die maximale Betriebsfrequenz bezieht sich auf die höchste Frequenz, bei der das Gerät zuverlässig arbeiten und seine beabsichtigten Funktionen ausführen kann.
MESFET-Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die MESFET-Grenzfrequenz stellt die Frequenz dar, bei der die Stromverstärkung (oder Transkonduktanz) des Transistors deutlich abzunehmen beginnt.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist der äquivalente Widerstand, den der Drain-Anschluss eines FET sieht.
Quellenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Quellenwiderstand bezieht sich auf den Widerstand, der dem Quellenanschluss des Transistors zugeordnet ist.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand, der am Eingangsanschluss des Geräts anliegt.
Widerstand der Gate-Metallisierung - (Gemessen in Ohm) - Der Gate-Metallisierungswiderstand ist der Widerstand, der mit dem Metallkontakt oder der Metallisierungsschicht am Gate-Anschluss eines MESFET verbunden ist.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
MESFET-Grenzfrequenz: 6252.516 Hertz --> 6252.516 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Abflusswiderstand: 3.2 Ohm --> 3.2 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Quellenwiderstand: 5 Ohm --> 5 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Eingangswiderstand: 4 Ohm --> 4 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Widerstand der Gate-Metallisierung: 5.254 Ohm --> 5.254 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg)) --> 6252.516/2*sqrt(3.2/(5+4+5.254))
Auswerten ... ...
fmax = 1481.26045269158
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1481.26045269158 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1481.26045269158 1481.26 Hertz <-- Maximale Betriebsfrequenz
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

10+ Transistorverstärker Taschenrechner

Leistungsgewinn des Abwärtswandlers bei gegebenem Degradationsfaktor
​ Gehen Leistungsverstärkung des Abwärtswandlers = Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2
Verstärkungsdegradationsfaktor für MESFET
​ Gehen Degradationsfaktor gewinnen = Ausgangsfrequenz/Signalfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2
Rauschfaktor GaAs MESFET
​ Gehen Lärmfaktor = 1+2*Winkelfrequenz*Gate-Source-Kapazität/Transkonduktanz des MESFET*sqrt((Quellenwiderstand-Gate-Widerstand)/Eingangswiderstand)
Maximale Betriebsfrequenz
​ Gehen Maximale Betriebsfrequenz = MESFET-Grenzfrequenz/2*sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand+Widerstand der Gate-Metallisierung))
Maximal zulässige Leistung
​ Gehen Maximal zulässige Leistung = 1/(Reaktanz*Transitzeit-Grenzfrequenz^2)*(Maximales elektrisches Feld*Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit/(2*pi))^2
Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors
​ Gehen Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz
Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET
​ Gehen Transkonduktanz des MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung))
MESFET-Grenzfrequenz
​ Gehen MESFET-Grenzfrequenz = Transkonduktanz des MESFET/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)
Transitwinkel
​ Gehen Transitwinkel = Winkelfrequenz*Länge des Driftraums/Trägerdriftgeschwindigkeit
Maximale Schwingungsfrequenz
​ Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Sättigungsgeschwindigkeit/(2*pi*Kanallänge)

Maximale Betriebsfrequenz Formel

Maximale Betriebsfrequenz = MESFET-Grenzfrequenz/2*sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand+Widerstand der Gate-Metallisierung))
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg))
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