Ausgangswiderstand von BJT Taschenrechner

✖Die Versorgungsspannung ist die Eingangsspannungsquelle, die durch den BJT fließt.ⓘ Versorgungsspannung [V_DD]			+10% -10%
✖Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.ⓘ Kollektor-Emitter-Spannung [V_CE]			+10% -10%
✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom [I_c]			+10% -10%

✖Der Widerstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem elektrischen Stromkreis. Seine SI-Einheit ist Ohm.ⓘ Ausgangswiderstand von BJT [R]

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Formel

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Ausgangswiderstand von BJT

Formel

`"R" = ("V"_{"DD"}+"V"_{"CE"})/"I"_{"c"}`

Beispiel

`"1.13kΩ"=("2.5V"+"3.15V")/"5mA"`

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Ausgangswiderstand von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom
R = (V_DD+V_CE)/I_c
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem elektrischen Stromkreis. Seine SI-Einheit ist Ohm.
Versorgungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Versorgungsspannung ist die Eingangsspannungsquelle, die durch den BJT fließt.
Kollektor-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Versorgungsspannung: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kollektor-Emitter-Spannung: 3.15 Volt --> 3.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Kollektorstrom: 5 Milliampere --> 0.005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R = (V_DD+V_CE)/I_c --> (2.5+3.15)/0.005

Auswerten ... ...

R = 1130

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1130 Ohm -->1.13 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.13 Kiloohm <-- Widerstand

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Widerstand Taschenrechner

Eingangswiderstand der gemeinsamen Gate-Schaltung bei Transkonduktanz

Gehen Eingangswiderstand = (1/Steilheit)+(Lastwiderstand/(Steilheit*Endlicher Ausgangswiderstand))

Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers, wenn GMRO größer als 1 ist

Gehen Ausgangswiderstand = (1+(Steilheit*Widerstand))*Endlicher Ausgangswiderstand

Ausgangswiderstand von BJT

Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom

Kleinsignal-Eingangswiderstand zwischen Basis und Emitter unter Verwendung von Transkonduktanz

Gehen Signalwiderstand = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/Steilheit

Ausgangswiderstand des Transistors bei konstantem Basisstrom

Gehen Widerstand = -(Kollektor-Emitter-Spannung/Kollektorstrom)

Ausgangswiderstand des einfachen Strom-BJT bei früher Spannung

Gehen Ausgangswiderstand = Versorgungsspannung/Referenzstrom

Ausgangswiderstand des einfachen Strom BJT

Gehen Ausgangswiderstand = Versorgungsspannung/Ausgangsstrom

Ausgangswiderstand der Stromquelle bei gegebenem Geräteparameter

Gehen Ausgangswiderstand = Geräteparameter/Stromverbrauch

Eingangswiderstand von BJT

Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/Signalstrom

Kleinsignal-Eingangswiderstand zwischen Basis und Emitter

Gehen Signalwiderstand = Eingangsspannung/Basisstrom

Emitterwiderstand bei vorgegebener Schwellenspannung

Gehen Emitterwiderstand = Grenzspannung/Emitterstrom

Kleinsignal-Eingangswiderstand bei Emitterstrom

Gehen Kleines Signal = Signalstrom*Emitterwiderstand

Emitterwiderstand bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Emitterwiderstand = Grenzspannung/Emitterstrom

Emitterwiderstand von BJT

Gehen Emitterwiderstand = Kleines Signal/Signalstrom

Kleinsignal-Eingangswiderstand zwischen Basis und Emitter mit Basisstrom

Gehen Signalwiderstand = Grenzspannung/Basisstrom

< 20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Gesamtverlustleistung in BJT

Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom

Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis

Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Ausgangswiderstand von BJT

Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand

Basisstromverstärkung

Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Gelieferte Gesamtleistung in BJT

Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Kollektorstrom mit Emitterstrom

Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom

Eigener Gewinn von BJT

Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Kurzschluss-Transkonduktanz

Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung

Kollektorstrom von BJT

Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Ausgangswiderstand von BJT Formel

Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom
R = (V_DD+V_CE)/I_c

Definieren Sie den dynamischen Ausgangswiderstand eines Transistorverstärkers in der Common-Emitter-Konfiguration.

Für einen konstanten Basisstrom IB ist der dynamische Ausgangswiderstand (r

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