Résistance de sortie de BJT Calculatrice

✖La tension d'alimentation est la source de tension d'entrée qui traverse le BJT.ⓘ Tension d'alimentation [V_DD]			+10% -10%
✖La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.ⓘ Tension collecteur-émetteur [V_CE]			+10% -10%
✖Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.ⓘ Courant de collecteur [I_c]			+10% -10%

✖La résistance est une mesure de l'opposition au passage du courant dans un circuit électrique. Son unité SI est l'ohm.ⓘ Résistance de sortie de BJT [R]

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Formule

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Résistance de sortie de BJT

Formule

`"R" = ("V"_{"DD"}+"V"_{"CE"})/"I"_{"c"}`

Exemple

`"1.13kΩ"=("2.5V"+"3.15V")/"5mA"`

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Résistance de sortie de BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur
R = (V_DD+V_CE)/I_c
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Résistance - (Mesuré en Ohm) - La résistance est une mesure de l'opposition au passage du courant dans un circuit électrique. Son unité SI est l'ohm.
Tension d'alimentation - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation est la source de tension d'entrée qui traverse le BJT.
Tension collecteur-émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d'un transistor.
Courant de collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant de collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension d'alimentation: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Aucune conversion requise
Tension collecteur-émetteur: 3.15 Volt --> 3.15 Volt Aucune conversion requise
Courant de collecteur: 5 Milliampère --> 0.005 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R = (V_DD+V_CE)/I_c --> (2.5+3.15)/0.005

Évaluer ... ...

R = 1130

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1130 Ohm -->1.13 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1.13 Kilohm <-- Résistance

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Résistance Calculatrices

Résistance d'entrée du circuit de porte commun compte tenu de la transconductance

Aller Résistance d'entrée = (1/Transconductance)+(Résistance de charge/(Transconductance*Résistance de sortie finie))

Résistance de sortie de BJT

Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur

Résistance de sortie de l'amplificateur CS lorsque le GMRO est supérieur à 1

Aller Résistance de sortie = (1+(Transconductance*Résistance))*Résistance de sortie finie

Résistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur utilisant la transconductance

Aller Résistance du signal = Gain de courant de l'émetteur commun/Transconductance

Résistance de sortie du courant simple BJT compte tenu de la tension précoce

Aller Résistance de sortie = Tension d'alimentation/Courant de référence

Résistance de sortie de la source de courant donnée Paramètre de l'appareil

Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de vidange

Résistance de sortie du transistor lorsque le courant de base est constant

Aller Résistance = -(Tension collecteur-émetteur/Courant de collecteur)

Résistance de l'émetteur en fonction de la tension de seuil

Aller Résistance de l'émetteur = Tension de seuil/Courant de l'émetteur

Résistance de l'émetteur donnée Courant de l'émetteur

Aller Résistance de l'émetteur = Tension de seuil/Courant de l'émetteur

Résistance de sortie du courant simple BJT

Aller Résistance de sortie = Tension d'alimentation/Courant de sortie

Résistance d'entrée de petit signal en fonction du courant de l'émetteur

Aller Petit Signal = Courant de signal*Résistance de l'émetteur

Résistance de l'émetteur de BJT

Aller Résistance de l'émetteur = Petit Signal/Courant de signal

Résistance d'entrée de BJT

Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/Courant de signal

Résistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur utilisant le courant de base

Aller Résistance du signal = Tension de seuil/Courant de base

Résistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur

Aller Résistance du signal = Tension d'entrée/Courant de base

< 20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Mode commun Taux de réjection

Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)

Résistance de sortie de BJT

Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur

Tension de sortie de l'amplificateur BJT

Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Puissance totale fournie en BJT

Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur

Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur

Courant de collecteur de BJT

Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

Courant d'émetteur de BJT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base

Transconductance de court-circuit

Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Résistance de sortie de BJT Formule

Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur
R = (V_DD+V_CE)/I_c

Définissez la résistance de sortie dynamique d'un amplificateur à transistor en configuration émetteur commun.

Pour un courant de base constant IB, la résistance de sortie dynamique (r

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