Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)
Vgsq = (Av*it-g'm*Vod)*(1/Rfinal+1/R1)
Diese formel verwendet 7 Variablen
Verwendete Variablen
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung bezieht sich auf die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen angelegte Spannung, die den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen steuert.
Spannungsverstärkung - Die Spannungsverstärkung ist definiert als das Verhältnis der Ausgangsspannung zur Eingangsspannung.
Elektrischer Strom - (Gemessen in Ampere) - Elektrischer Strom ist die zeitliche Geschwindigkeit des Ladungsflusses durch eine Querschnittsfläche.
Kurzschlusstranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Kurzschlusstranskonduktanz ist die elektrische Eigenschaft, die den Strom durch den Ausgang eines Geräts mit der Spannung am Eingang eines Geräts in Beziehung setzt.
Differenzielles Ausgangssignal - (Gemessen in Volt) - Das Differenzausgangssignal ist ein Maß für die Spannung zwischen zwei unterschiedlichen Ausgangssignalen.
Endgültiger Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der Endwiderstand ist ein Maß für den Widerstand gegen den Stromfluss in einem Stromkreis. Der Widerstand wird in Ohm gemessen, symbolisiert durch den griechischen Buchstaben Omega (Ω).
Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung ist der Widerstand, der in der Primärwicklung der Sekundärwicklung verfügbar ist.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Spannungsverstärkung: 4.21 --> Keine Konvertierung erforderlich
Elektrischer Strom: 4402 Milliampere --> 4.402 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Kurzschlusstranskonduktanz: 2.5 Millisiemens --> 0.0025 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Differenzielles Ausgangssignal: 100.3 Volt --> 100.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Endgültiger Widerstand: 0.00243 Kiloohm --> 2.43 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung: 0.0071 Kiloohm --> 7.1 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vgsq = (Av*it-g'm*Vod)*(1/Rfinal+1/R1) --> (4.21*4.402-0.0025*100.3)*(1/2.43+1/7.1)
Auswerten ... ...
Vgsq = 10.0982040862459
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
10.0982040862459 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
10.0982040862459 10.0982 Volt <-- Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Anshika Arya
Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur
Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

11 Common-Source-Verstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors
​ Gehen Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)
Gesamtrückkopplungsspannungsverstärkung des Common-Source-Verstärkers
​ Gehen Rückkopplungsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(Eingangswiderstand/(Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*(1/Abflusswiderstand+1/Lastwiderstand+1/Endlicher Ausgangswiderstand)^-1
Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors
​ Gehen Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung
Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand
​ Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)
Leerlaufspannungsverstärkung des CS-Verstärkers
​ Gehen Spannungsverstärkung im Leerlauf = Endlicher Ausgangswiderstand/(Endlicher Ausgangswiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)
Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker
​ Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)
Gesamtspannungsverstärkung des Source-Folgers
​ Gehen Gesamtspannungsgewinn = Lastwiderstand/(Lastwiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)
Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors
​ Gehen Aktueller Gewinn = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde))
Emitterspannung im Verhältnis zur Spannungsverstärkung
​ Gehen Emitterspannung = Kollektorspannung/Spannungsverstärkung
Gesamtspannungsverstärkung des CS-Verstärkers
​ Gehen Spannungsverstärkung = Lastspannung/Eingangsspannung
Lastspannung des CS-Verstärkers
​ Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

18 CV-Aktionen gängiger Bühnenverstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors
​ Gehen Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)
Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors
​ Gehen Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung
Eingangswiderstand der Common-Base-Schaltung
​ Gehen Eingangswiderstand = (Emitterwiderstand*(Endlicher Ausgangswiderstand+Lastwiderstand))/(Endlicher Ausgangswiderstand+(Lastwiderstand/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))
Ausgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers
​ Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)
Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Kleinsignal-Eingangswiderstand
​ Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/(Kleinsignal-Eingangswiderstand+(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)*Emitterwiderstand))^-1
Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand
​ Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)
Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Emitterwiderstand
​ Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/((Totaler Widerstand+Emitterwiderstand)*(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))^-1
Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source
​ Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source
Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker
​ Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)
Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter
​ Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1
Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers
​ Gehen Eingangsimpedanz = (1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^(-1)
Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal
​ Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand
Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers
​ Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung
Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers
​ Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom
Grundspannung im Common-Emitter-Verstärker
​ Gehen Grundkomponentenspannung = Eingangswiderstand*Basisstrom
Lastspannung des CS-Verstärkers
​ Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung
Widerstand des Emitters im Common-Base-Verstärker
​ Gehen Emitterwiderstand = Eingangsspannung/Emitterstrom
Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung
​ Gehen Emitterstrom = Eingangsspannung/Emitterwiderstand

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors Formel

Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)
Vgsq = (Av*it-g'm*Vod)*(1/Rfinal+1/R1)

Wie regelt man die Spannung in einem Stromkreis?

Um die Spannung zu halbieren, bilden wir einfach eine Spannungsteilerschaltung zwischen 2 gleichwertigen Widerständen (z. B. 2 10KΩ). Um die Spannung in zwei Hälften zu teilen, müssen Sie lediglich zwei gleichwertige Widerstände in Reihe schalten und dann einen Überbrückungsdraht zwischen die Widerstände legen.

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