Transkonduktanzparameter des MOSFET verarbeiten Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Transkonduktanzparameter = Steilheit/Overdrive-Spannung
kn = gm/Vov
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Transkonduktanzparameter - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanzparameter ist ein entscheidender Parameter in elektronischen Geräten und Schaltkreisen, der hilft, die Eingangs-Ausgangs-Beziehung zwischen Spannung und Strom zu beschreiben und zu quantifizieren.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Overdrive-Spannung - (Gemessen in Volt) - Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Overdrive-Spannung: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
kn = gm/Vov --> 0.0005/0.32
Auswerten ... ...
kn = 0.0015625
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0015625 Ampere pro Quadratvolt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0015625 0.001562 Ampere pro Quadratvolt <-- Transkonduktanzparameter
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

16 Steilheit Taschenrechner

MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters
​ Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Steilheit bei gegebenem Drain-Strom
​ Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)
MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung
​ Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung)
Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom
​ Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)
Drainstrom bei gegebener Prozesstranskonduktanz und Transkonduktanz
​ Gehen Stromverbrauch = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Transkonduktanzparameter verarbeiten)
Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung
MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
MOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanz
​ Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis
Body-Effekt auf die Transkonduktanz
​ Gehen Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit
MOSFET-Transkonduktanz
​ Gehen Steilheit = Änderung des Drainstroms/Gate-Source-Spannung
Back-Gate-Transkonduktanz
​ Gehen Back-Gate-Transkonduktanz = Steilheit*Spannungseffizienz
MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter*Overdrive-Spannung
Transkonduktanzparameter des MOSFET verarbeiten
​ Gehen Transkonduktanzparameter = Steilheit/Overdrive-Spannung
Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten
​ Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2
Transkonduktanz im MOSFET
​ Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

Transkonduktanzparameter des MOSFET verarbeiten Formel

Transkonduktanzparameter = Steilheit/Overdrive-Spannung
kn = gm/Vov

Wofür wird ein MOSFET verwendet?

Der MOSFET-Transistor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das häufig zum Schalten und zur Verstärkung elektronischer Signale in elektronischen Bauelementen verwendet wird.

Was sind die Arten von MOSFETs?

Es gibt zwei Klassen von MOSFETs. Es gibt einen Verarmungsmodus und einen Verbesserungsmodus. Jede Klasse ist als n- oder p-Kanal verfügbar, was insgesamt vier Arten von MOSFETs ergibt. Der Verarmungsmodus kommt in einem N oder einem P und ein Verbesserungsmodus kommt in einem N oder einem P.

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