Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive
kn = gm/Vov
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza è un parametro cruciale nei dispositivi e nei circuiti elettronici, che aiuta a descrivere e quantificare la relazione ingresso-uscita tra tensione e corrente.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Tensione di overdrive - (Misurato in Volt) - La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la normale tensione operativa.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Transconduttanza: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Controlla la conversione ​qui)
Tensione di overdrive: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
kn = gm/Vov --> 0.0005/0.32
Valutare ... ...
kn = 0.0015625
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.0015625 Ampere per Volt Quadrato --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.0015625 0.001562 Ampere per Volt Quadrato <-- Parametro di transconduttanza
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

16 Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo
​ Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio))
Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo
​ Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
Transconduttanza data corrente di drenaggio
​ Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)
Transconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain
​ Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Assorbimento di corrente)
Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo
​ Partire Assorbimento di corrente = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Parametro di transconduttanza di processo)
Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive
​ Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive)
Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive
​ Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive
Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza
​ Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
Effetto del corpo sulla transconduttanza
​ Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza
Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo
​ Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni
Transconduttanza del backgate
​ Partire Transconduttanza del backgate = Transconduttanza*Efficienza della tensione
MOSFET Transconduttanza
​ Partire Transconduttanza = Modifica della corrente di scarico/Tensione gate-source
Transconduttanza MOSFET data la tensione di overdrive
​ Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*Tensione di overdrive
Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET
​ Partire Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive
Assorbimento di corrente tramite transconduttanza
​ Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2
Transconduttanza nei MOSFET
​ Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET Formula

Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive
kn = gm/Vov

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ogni classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità di esaurimento è disponibile in una N o P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o in una P.

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