Kurzschlussstrom im CMOS Taschenrechner

↳

Elektronik

Bürgerlich

Chemieingenieurwesen

Elektrisch

Elektronik und Instrumentierung

Fertigungstechnik

Materialwissenschaften

Mechanisch

⤿

CMOS-Leistungsmetriken

Array-Datenpfad-Subsystem

CMOS-Designmerkmale

CMOS-Spezialsubsystem

CMOS-Verzögerungseigenschaften

CMOS-Wechselrichter

CMOS-Zeiteigenschaften

Eigenschaften der CMOS-Schaltung

✖Die dynamische Leistung wird während des Anstiegs und Abfalls des Eingangssignals berechnet. Diese sind kleiner als die dynamische Verlustleistung.ⓘ Dynamische Kraft [P_dyn]			+10% -10%
✖Die Schaltleistung wird als dynamische Leistung bezeichnet, da sie durch das Schalten der Last entsteht.ⓘ Schaltleistung [P_s]			+10% -10%

✖Unter Kurzschlussleistung versteht man den theoretischen Strom, der im Falle eines Kurzschlusses fließt, wenn der Schutz noch nicht eingegriffen hat.ⓘ Kurzschlussstrom im CMOS [P_sc]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Kurzschlussstrom im CMOS

Formel

`"P"_{"sc"} = "P"_{"dyn"}-"P"_{"s"}`

Beispiel

`"46mW"="46.13mW"-"0.13mW"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen CMOS-Leistungsmetriken Formeln Pdf PDF Image

Kurzschlussstrom im CMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kurzschlussstrom = Dynamische Kraft-Schaltleistung
P_sc = P_dyn-P_s
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Kurzschlussstrom - (Gemessen in Watt) - Unter Kurzschlussleistung versteht man den theoretischen Strom, der im Falle eines Kurzschlusses fließt, wenn der Schutz noch nicht eingegriffen hat.
Dynamische Kraft - (Gemessen in Watt) - Die dynamische Leistung wird während des Anstiegs und Abfalls des Eingangssignals berechnet. Diese sind kleiner als die dynamische Verlustleistung.
Schaltleistung - (Gemessen in Watt) - Die Schaltleistung wird als dynamische Leistung bezeichnet, da sie durch das Schalten der Last entsteht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Dynamische Kraft: 46.13 Milliwatt --> 0.04613 Watt (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Schaltleistung: 0.13 Milliwatt --> 0.00013 Watt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

P_sc = P_dyn-P_s --> 0.04613-0.00013

Auswerten ... ...

P_sc = 0.046

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.046 Watt -->46 Milliwatt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

46 Milliwatt <-- Kurzschlussstrom

(Berechnung in 00.022 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » CMOS-Design und Anwendungen » CMOS-Leistungsmetriken » Kurzschlussstrom im CMOS

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 CMOS-Leistungsmetriken Taschenrechner

Tore auf kritischem Pfad

Gehen Gates auf kritischem Weg = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^Basiskollektorspannung))/(Kapazität von Gate zu Kanal*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)

Unterschwelliger Leckstrom durch AUS-Transistoren

Gehen Unterschwelliger Strom = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Gate-Strom+Konflikt aktuell+Kreuzungsstrom)

Konkurrenzstrom in verhältnismäßigen Schaltungen

Gehen Konflikt aktuell = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Gate-Strom+Kreuzungsstrom)

Gate-Leckage durch das Gate-Dielektrikum

Gehen Gate-Strom = (Statische CMOS-Leistung/Basiskollektorspannung)-(Unterschwelliger Strom+Konflikt aktuell+Kreuzungsstrom)

Ausgangsumschaltung bei Laststromverbrauch

Gehen Ausgangsumschaltung = Stromverbrauch der kapazitiven Last/(Externe Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz)

Leistungsaufnahme der kapazitiven Last

Gehen Stromverbrauch der kapazitiven Last = Externe Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Ausgangsumschaltung

Stromversorgungsunterdrückungsverhältnis

Gehen Unterdrückungsverhältnis der Stromversorgung = 20*log10(Welligkeit der Eingangsspannung/Ausgangsspannungswelligkeit)

Aktivitätsfaktor

Gehen Aktivitätsfaktor = Schaltleistung/(Kapazität*Basiskollektorspannung^2*Frequenz)

Schaltleistung

Gehen Schaltleistung = Aktivitätsfaktor*(Kapazität*Basiskollektorspannung^2*Frequenz)

Schaltleistung in CMOS

Gehen Schaltleistung = (Positive Spannung^2)*Frequenz*Kapazität

Schalten von Energie im CMOS

Gehen Schaltenergie im CMOS = Gesamtenergie im CMOS-Leckageenergie im CMOS

Gesamtenergie in CMOS

Gehen Gesamtenergie im CMOS = Schaltenergie im CMOS+Leckageenergie im CMOS

Leckagenergie im CMOS

Gehen Leckageenergie im CMOS = Gesamtenergie im CMOS-Schaltenergie im CMOS

Statische Leistung im CMOS

Gehen Statische CMOS-Leistung = Totale Kraft-Dynamische Kraft

Gesamtleistung im CMOS

Gehen Totale Kraft = Statische CMOS-Leistung+Dynamische Kraft

Dynamische Leistung im CMOS

Gehen Dynamische Kraft = Kurzschlussstrom+Schaltleistung

Kurzschlussstrom im CMOS

Gehen Kurzschlussstrom = Dynamische Kraft-Schaltleistung

Kurzschlussstrom im CMOS Formel

Kurzschlussstrom = Dynamische Kraft-Schaltleistung
P_sc = P_dyn-P_s

Was sind die Quellen der Verlustleistung?

Die Verlustleistung in CMOS-Schaltungen kommt von zwei Komponenten. Sie sind dynamische Dissipation und statische Dissipation. Zusammen ergibt dies die Gesamtleistung einer Schaltung, dh die dynamische Leistung.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!